前田辰郎 (Tatsurou Maeda) - マイポータル

基本情報

所属: 独立行政法人産業技術総合研究所先端半導体研究センター研究主幹

J-GLOBAL ID: 200901047081760874
researchmap会員ID: 5000087627

外部リンク: http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T03996522

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

論文

160

Impact of excess oxygen on electrical characteristics and bias stability in plasma-enhanced atomic layer deposition ultrathin InOx FETs

Chia-Tsong Chen, Kasidit Toprasertpong, Toshifumi Irisawa, Shota Nunomura, Shinji Migita, Wen Hsin Chang, Ryutaro Nishino, Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Tatsuro Maeda

Japanese Journal of Applied Physics 2026年4月17日
First Demonstration of High-Performance Three-Tier IGZO Channels Gate-All-Around Thin-Film Transistors With Novel Metal Interlayer Contact

Wen-Hsiang Lu, Yun-Hao Yeh, Chia-Tsong Chen, Wen-Hsin Chang, Tatsuro Maeda, Yao-Jen Lee, Yeong-Her Wang

IEEE Electron Device Letters 2026年3月
Enhancement-Mode Operation and Stability Improvement in Ultrathin ALD-InO$_{\textit{x } }$ FETs With AlO$_{\textit{x } }$ /HfO$_{\textit{x } }$ Gate Dielectric

Chia-Tsong Chen, Kasidit Toprasertpong, Toshifumi Irisawa, Wen Hsin Chang, Shinji Migita, Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Tatsuro Maeda

IEEE Transactions on Electron Devices 2026年2月
High-operating-temperature short-wave infrared detector featuring Ge0.93Sn0.07 thin film with simple pn junction structures

Tomo Tanaka, Rahmat Hadi Saputro, Hiroyuki Ishii, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Tatsuro Maeda

Japanese Journal of Applied Physics 2026年1月14日
An additive approach towards realizing a millimeter-wave antenna array for 6G applications

Ying Ying Lim, Michitaka Ameya, Yuto Kato, Motoshi Itagaki, Ryo Sakamaki, Toshihide Ide, Tatsuro Maeda, Ken-ichi Nomura

Japanese Journal of Applied Physics 2026年1月14日
Characterization of a Bow-Tie Antenna Integrated UTC-Photodiode on Silicon Carbide for Terahertz Wave Generation

Hussein Ssali, Yoshiki Kamiura, Tatsuro Maeda, Kazutoshi Kato

Telecom 2026年1月12日
Enhanced performances of n-type Ge Schottky photodetectors with short-wave infrared transparent conductive oxide electrodes

Rahmat Hadi Saputro, Tomo Tanaka, Hiroyuki Ishii, Tatsuro Maeda

Japanese Journal of Applied Physics 2025年12月1日
(Invited) Material, Process, and Device Technologies of GeSn/GeSiSn Heterostructures for Optoelectronic Applications

Osamu Nakatsuka, Tatsuro Maeda, Dong Wang, Koji Sueoka, Tomo Tanaka, Yusuke Noda, Keisuke Yamamoto, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Mitsuo Sakashita

ECS Meeting Abstracts 2025年11月24日
In2O3 gap states in amorphous and poly-crystalline phases: Band tail and defect level characterization by subgap photocurrent spectroscopy

Shota Nunomura, Chia-Tsong Chen, Hitoshi Tampo, Tatsuro Maeda

Applied Physics Letters 2025年11月3日
High Schottky Barrier Height of Cerium-Doped Hydrogenated Indium Oxide/p-Type Ge Diodes

Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Hiroto Ishii, Chia-Tsong Chen, Kouya Kudou, Takashi Koida, Wen Hsin Chang

IEEE Electron Device Letters 2025年10月
Ammonia-free quasi-atmospheric MOCVD of InN/Al2O3 (0001)

Hisashi Yamada, Tokio Takahashi, Takahiro Gotow, Naoto Kumagai, Tetsuji Shimizu, Toshihide Ide, Tatsuro Maeda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 650 2025年1月15日
Surface Roughness and Dislocation Defects Improvement in Monolithic High-Mobility Ge CFETs Through Vacuum Annealing

Fang-Jui Chu, En-Ching Chen, Xin-Ren Yu, Wen-Hsin Chang, Tatsuro Maeda, Chih-Yu Wang, Guang-Li Luo, Yao-Jen Lee, Yeong-Her Wang

IEEE Electron Device Letters 2025年
Excess Oxygen Modulation Through Channel Thickness Scaling and Annealing Ambient for AlOx-Passivated Ultrathin InOx FETs

Chia-Tsong Chen, Kasidit Toprasertpong, Toshifumi Irisawa, Wen Hsin Chang, Shinji Migita, Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Tatsuro Maeda

IEEE Journal of the Electron Devices Society 2025年
Ge0.75Sn0.25 on insulator metal-semiconductor-metal photodetector by layer transfer technique

Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Komei Takagi, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics 2025年1月1日
Mobility and stability improvements through in-situ AlOx passivation on extremely thin 2 nm-thick InOx back-gate FETs

Chia-Tsong Chen, Wen Hsin Chang, Toshifumi Irisawa, Tatsuro Maeda

Japanese Journal of Applied Physics 2025年1月1日
(Invited) Germanium Layer Transfer for Advanced CMOS

Tatsuro Maeda

ECS Meeting Abstracts 2024年11月22日
Characterization of InN Grown Directly on Sapphire Substrate Using Plasma-Enhanced Metal Organic Chemical Vapor Deposition

Takahiro Gotow, Naoto Kumagai, Tetsuji Shimizu, Hisashi Yamada, Toshihide Ide, Tatsuro Maeda

Crystal Research and Technology 59(7) 2024年7月
Layer transfer of epitaxially grown Ge-lattice-matched Si27.8Ge64.2Sn8 films

Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Shiyu Zhang, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

Materials Science in Semiconductor Processing 2024年6月
High-Responsivity Ge Schottky Photodetectors With Short-Wave Infrared Transparent Conductive Oxide Electrodes

Hiroto Ishii, Wen Hsin Chang, Hiroyuki Ishii, Takashi Koida, Hiroki Fujishiro, Tatsuro Maeda

IEEE Electron Device Letters 2023年8月
Schottky barrier contact on In_0.53Ga_0.47As with short-wave infrared transparent conductive oxide

Tatsuro Maeda, Kazuaki Oishi, Hiroto Ishii, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Tetsuji Shimizu, Akira Endoh, Hiroki Fujishiro, Takashi Koida

Applied Physics Letters 121(23) 232102-232102 2022年12月5日

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MISC

Domain size effects on thermoelectric properties of p-type Ge<inf>0.95</inf>Sn<inf>0.05</inf> layers grown on GaAs and Si substrates

Yukihiro Imai, Kouta Takahashi, Noriyuki Uchida, Tatsuro Maeda, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima, Masashi Kurosawa

2018 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2018 - Proceedings 310-312 2018年7月26日
招待講演モノリシック三次元インバータにおける積層トランジスタの電気的結合とその層間絶縁膜厚依存性 (シリコン材料・デバイス)

服部淳一, 福田浩一, 入沢寿史, 太田裕之, 前田辰郎

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(450) 23-28 2017年2月6日
Ge基板上のAl₂O₃膜の構造変化と熱輸送特性

中島佑太, 中島佑太, 藤川紗千恵, 藤代博記, 服部淳一, 福田浩一, 内田紀行, 前田辰郎, 前田辰郎

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th 2017年
Ge立体チャネルトランジスタのための酸素エッチング技術

森田行則, 前田辰郎, 太田裕之, 水林亘, 大内真一, 昌原明植, 松川貴, 遠藤和彦

半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集 = Proceedings of Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology 80 49-52 2016年8月22日
3次元ICに向けた多結晶InSb MOSFETの電気特性評価

高橋正紘, 藤川紗千恵, 藤代博記, 入沢寿史, 富永淳二, 前田辰郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2016.1 3032-3032 2016年3月3日
2014年度神奈川大学総合理学研究所共同研究助成論文二次元半導体デバイスの研究

水野智久, 前田辰郎, 多田哲也

Science journal of Kanagawa University 26 33-39 2015年
招待講演 MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs (シリコン材料・デバイス先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

入沢寿史, 小田穣, 池田圭司, 守山佳彦, 三枝栄子, JEVASUWAN Wipakorn, 前田辰郎, 市川麿, 長田剛規, 秦雅彦 …

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(420) 9-12 2014年1月29日
真空アニール法がAl₂O₃/GaSb MOS界面に与える影響 (電子デバイス)

後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(176) 37-42 2013年8月8日
300mmシリコンウエハー上へのエピタキシャルリフトオフ法によるIII‐V/Ge高移動度チャネル材料転写技術

三枝栄子, 前田辰郎, 宮田典幸, 安田哲二, 前田敦彦, 倉島優一, 高木秀樹, 青木健志, 山本武継, 市川磨 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 60th ROMBUNNO.28A-G6-10 2013年3月11日
2次元層状MoS₂トランジスタ形成プロセスの検討

兼村瑠威, 森貴洋, 渡辺英一郎, 津谷大樹, 森山悟士, 前田辰郎, 内田紀行, 宮田典幸, 安田哲二, 田中正俊 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 60th ROMBUNNO.28P-G12-11 2013年3月11日
TFETにおけるトンネル機構の考察:サブスレッショルド特性の温度変化

森貴洋, 宮田典幸, 福田浩一, 森田行則, 前田辰郎, 大内真一, LIU Yougxun, 昌原明植, 安田哲二, 太田裕之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 60th ROMBUNNO.29A-G9-2 2013年3月11日
次世代高性能CMOS実現に向けた高移動度III‐V/GeチャネルMOSFETの集積化

横山正史, KIM Sanghyeon, ZHANG Rui, 田岡紀之, 卜部友二, 前田辰郎, 高木秀樹, 安田哲二, 山田永, 市川磨 …

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 59th ROMBUNNO.16A-A1-1 2012年2月29日
硫化アンモニウム溶液で表面処理したInGaAs(100),(111)A,(111)BのMOS界面特性

横山正史, 鈴木麗菜, 田岡紀之, JEVASUWAN Wipakorn, 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨, 山田永, 福原昇, 秦雅彦 …

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 59th ROMBUNNO.17P-A4-17 2012年2月29日
InGaAs MOS界面における伝導帯内界面準位の物理的起源

田岡紀之, 田岡紀之, 横山正史, KIM S.H., 鈴木麗菜, 飯田亮, LEE S., 星井拓也, JEVASUWAN W., 前田辰郎 …

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 59th 2012年
極薄膜Al₂O₃界面層を挿入したHfO₂/InGaAs MOS構造のCET薄膜化

鈴木麗菜, LEE S., KIM S.H., 星井拓也, 横山正史, 田岡紀之, JEVASUWAN W., 前田辰郎, 安田哲二, 市川磨 …

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 59th 2012年
InGaAs MOS構造における伝導帯内界面準位によるフェルミレベルピニング

田岡紀之, 田岡紀之, 横山正史, KIM S.H., 鈴木麗菜, 飯田亮, LEE S., 星井拓也, JEVASUWAN W., 前田辰郎 …

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 59th 2012年
世界初の超微細III‐V/Ge CMOSトランジスタ高性能異種チャネルCMOSへの新たな道筋

前田辰郎, 卜部友二, 板谷太郎, 石井裕之, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 秦雅彦, 横山正史, 竹中充 …

産総研TODAY(Web) 11(12) 14 (WEB ONLY) 2011年12月
共通メタルS/D&ゲートを用いた微細III‐V/Ge CMOS技術の開発

前田辰郎, 卜部友二, 板谷太郎, 石井裕之, 宮田典幸, 安田哲二, 山田永, 秦雅彦, 横山正史, 竹中充 …

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 72nd ROMBUNNO.1A-P7-8 2011年8月16日
InGaAs表面の亜セレン酸溶液処理によるMISFET特性改善

卜部友二, 安田哲二, 宮田典幸, 前田辰郎, 大竹晃浩, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 横山正史, 田岡紀之 …

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 72nd ROMBUNNO.1P-Q-8 2011年8月16日
基板貼り合わせ法を用いたIII‐V/Ge CMOSトランジスタ集積化

横山正史, KIM Sanghyeon, ZHANG Rui, 田岡紀之, 卜部友二, 前田辰郎, 高木秀樹, 安田哲二, 山田永, 市川磨 …

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 72nd ROMBUNNO.1A-P7-7 2011年8月16日

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共同研究・競争的資金等の研究課題

真空光トランジスタの創成と超高周波電磁波発生

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2024年4月 - 2027年3月

加藤和利, 前田辰郎, 西谷智博, 本田善央, 三上裕也
電子・フォノン・光の量子協奏がもたらす通信波長帯IV族半導体レーザー

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2023年4月 - 2026年3月

深津晋, 前田辰郎, 神野莉衣奈, 安武裕輔
電子・フォノン・光の量子協奏がもたらす通信波長帯IV族半導体レーザー

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2023年4月 - 2026年3月

深津晋, 前田辰郎, 神野莉衣奈, 安武裕輔
性能バランスを最適設計した異種チャネル3D CFET SRAM

科学技術振興機構 2023年 - 2026年

前田辰郎
自由空間電子走行型光電変換デバイスの創生とテラヘルツ波パルスビームの実現

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2020年4月 - 2023年3月

加藤和利, 前田辰郎, 永妻忠夫, 金谷晴一, 久保木猛, 硴塚孝明, 高畑清人
layer transferによる高移動度材料3次元集積CMOSの精密構造制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 基盤研究(S) 2017年5月 - 2022年3月

高木信一, 前田辰郎, 入沢寿史
最高速ＣＰＵ開発に向けた高品質バルク混晶シリコンゲルマニウム単結晶育成方法の確立

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2015年4月 - 2019年3月

荒井康智, 前田辰郎
Ⅲ‐Ⅴ族ｐチャネルＭＯＳＦＥＴのための価電子帯エンジニアリングと界面双極子制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2012年4月 - 2015年3月

安田哲二, 前田辰郎, 宮田典幸, 大竹晃浩, 奈良純, 藤代博記, 市川昌和, 田中正俊
次世代高移動度チャネル材料向け全窒化膜ゲートスタック技術の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2012年4月 - 2015年3月

前田辰郎, 安田哲二, 田中正俊

産業財産権

特許第7448924号半導体デバイス

高橋正紘, 堀田英樹, 前田辰郎
WO2017-026350 セキュリティ機能を有する回路を含む半導体デバイス

堀洋平, 柳永▲勲▼, 大内真一, 安田哲二, 昌原明植, 入沢寿史, 遠藤和彦, 太田裕之, 前田辰郎, 小池帆平, 小笠原泰弘, 片下敏宏, 福田浩一
特許第5998380号半導体基板、半導体装置および半導体基板の製造方法

廣山雄一, 山中貞則, 秦雅彦, 板谷太郎, 前田辰郎
特開2014-209527 複合基板の製造方法および複合基板

秦雅彦, 長田剛規, 山本武継, 青木健志, 安田哲二, 前田辰郎, 三枝栄子, 高木秀樹, 倉島優一, 国井泰夫, 菊池俊之, 小川有人
特開2014-093348 電界効果型半導体装置及びその製造方法

入沢寿史, 手塚勉, 前田辰郎, 小田穣, ジェバスワン・ウィパコーン, 安田哲二
特開2014-090122 複合基板の製造方法

青木健志, 山本武継, 前田辰郎, 高木秀樹, 三枝栄子
特開2014-090121 複合基板の製造方法

青木健志, 山本武継, 前田辰郎, 高木秀樹, 三枝栄子
WO2014-020906 複合基板の製造方法および半導体結晶層形成基板の製造方法

山本武継, 青木健志, 前田辰郎, 三枝栄子, 菊池俊之, 小川有人
特開2014-003106 複合基板および複合基板の製造方法

秦雅彦, 長田剛規, 山本武継, 青木健志, 安田哲二, 前田辰郎, 三枝栄子, 高木秀樹, 倉島優一, 国井泰夫, 菊池俊之, 小川有人
特開2014-003104 複合基板の製造方法および複合基板

秦雅彦, 長田剛規, 山本武継, 青木健志, 安田哲二, 前田辰郎, 三枝栄子, 高木秀樹, 倉島優一, 国井泰夫, 菊池俊之, 小川有人
特開2014-003105 複合基板の製造方法および複合基板

秦雅彦, 長田剛規, 山本武継, 青木健志, 安田哲二, 前田辰郎, 三枝栄子, 高木秀樹, 倉島優一, 国井泰夫, 菊池俊之, 小川有人
WO2013-187078 半導体基板、半導体基板の製造方法および複合基板の製造方法

長田剛規, 高田朋幸, 秦雅彦, 安田哲二, 前田辰郎, 板谷太郎
WO2013-187076 半導体基板、半導体基板の製造方法および複合基板の製造方法

長田剛規, 高田朋幸, 秦雅彦, 安田哲二, 前田辰郎, 板谷太郎
特開2013-080896 複合基板の製造方法および複合基板

高田朋幸, 山田永, 秦雅彦, 前田辰郎, 板谷太郎, 安田哲二
特開2013-080897 複合基板の製造方法

高田朋幸, 山田永, 秦雅彦, 前田辰郎, 板谷太郎, 安田哲二
特開2013-016792 半導体デバイス、半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体デバイスの製造方法

高田朋幸, 山田永, 秦雅彦, 高木信一, 前田辰郎, 卜部友二, 安田哲二
特開2013-016791 半導体デバイス、半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体デバイスの製造方法

高田朋幸, 山田永, 秦雅彦, 高木信一, 前田辰郎, 卜部友二, 安田哲二
特開2013-004545 半導体基板の製造方法および半導体基板

秦雅彦, 市川磨, 卜部友二, 宮田典幸, 前田辰郎, 安田哲二
特開2012-199524 半導体基板、半導体装置および半導体基板の製造方法

廣山雄一, 山中貞則, 秦雅彦, 板谷太郎, 前田辰郎
特許第3425603号電界効果トランジスタの製造方法

前田辰郎

前田辰郎

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