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2012年2月29日

硫化アンモニウム溶液で表面処理したInGaAs(100),(111)A,(111)BのMOS界面特性

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)
  • 横山正史
  • 鈴木麗菜
  • 田岡紀之
  • JEVASUWAN Wipakorn
  • 前田辰郎
  • 安田哲二
  • 市川磨
  • 山田永
  • 福原昇
  • 秦雅彦
  • 杉山正和
  • 中野義昭
  • 竹中充
  • 高木信一
    • … 全て表示
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巻
59th
号
開始ページ
ROMBUNNO.17P-A4-17
終了ページ
記述言語
日本語
掲載種別
リンク情報
J-GLOBAL
https://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=201202290046504181
ID情報
  • J-Global ID : 201202290046504181
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