2010年6月15日
High‐k/III‐V界面の組成・構造とMIS特性との関係
電子情報通信学会技術研究報告
- 巻
- 110
- 号
- 90(SDM2010 33-48)
- 開始ページ
- 49
- 終了ページ
- 54
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- 出版者・発行元
- 一般社団法人電子情報通信学会
ゲート長が10nm以下となる技術世代において駆動力向上と低消費電力化を可能にする技術としてIII-V族半導体をチャネルとしたnMISFETが関心を集めている.Inを含むIII-Vチャネル材料の上にALDによりAl_2O_3絶縁膜を形成した界面は,nMIS動作に必要なフェルミレベル変調を比較的容易に得ることができる.本報告では,界面準位の発生とそのエネルギーギャップ内の分布に影響を与える要因を整理した上で,界面におけるアニオンとカチオンの組成・結合状態とMIS特性との関係について議論する.
- リンク情報
- ID情報
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- ISSN : 0913-5685
- J-Global ID : 201002297420634981
- CiNii Articles ID : 110007890344
- CiNii Books ID : AN10013254
- identifiers.cinii_nr_id : 9000045821651