新田 淳作

スピンFETプロジェクトの中でIII-V族半導体を用いたスピン軌道相互作用のゲート制御方法を確立する。

本課題は、新しい量子力学的自由度を利用するエネルギー散逸のないエレクトロニクスの構築を目的とする。 “トポロジカルエレクトロニクス”とは「幾何学的に量子性が保証される現象の電気的制御を原理とするエレクトロニクス」という意味で、具体的には、（Ａ）スピン軌道相互作用、（Ｂ）トポロジカル絶縁体、（Ｃ）非局所的なエンタングルメント生成、という典型的な現象に注目して研究を行う。日本側チームは主に（Ａ）と（Ｃ）、ドイツ側は主に（Ａ）と（Ｂ）の研究を担当する。 両国の研究チームが相互補完的に取り組むことで、将来の低消費電力エレクトロニクスと高度情報処理に貢献することが期待される。

知能デバイス材料学専攻では、最先端の研究を実践することにより最高の教育が達成されるとの考えをもとに、世界最高の材料科学研究拠点として実績を挙げてきた。現在当専攻には３８名の博士課程学生が在籍しており、教育実習経費として研究費を援助する。３８名にうち９名の学生が日本学術振興会特別研究員として援助を受けているが、本卓越した大学院拠点形成支援補助金の一部は、学振からの援助を受けていない学生へのＲＡ経費として援助し研究・学業に専念する環境を作る。また、材料研究に共通の装置類のうち老朽化が進んでいるものについては本予算から新しい装置を導入し実験の精密化・迅速化を図り研究の高度化と質の向上を目指す。本プログラムの支援を受けた博士学生は、３月に本学の材料拠点と共同での成果報告会を実施する。

本課題は、新しい量子力学的自由度を利用するエネルギー散逸のないエレクトロニクスの構築を目的とする。 “トポロジカルエレクトロニクス”とは「幾何学的に量子性が保証される現象の電気的制御を原理とするエレクトロニクス」という意味で、具体的には、（Ａ）スピン軌道相互作用、（Ｂ）トポロジカル絶縁体、（Ｃ）非局所的なエンタングルメント生成、という典型的な現象に注目して研究を行う。日本側チームは主に（Ａ）と（Ｃ）、ドイツ側は主に（Ａ）と（Ｂ）の研究を担当する。 両国の研究チームが相互補完的に取り組むことで、将来の低消費電力エレクトロニクスと高度情報処理に貢献することが期待される。

第１４回狭ギャップ半導体国際会議を開催するための助成金

スピンフィルターとスピン干渉デバイスを組み合わせることによりスピン位相操作による量子論理ゲートへの展開を図る。

スピン要素技術をベースにデバイス応用におけるメリットを調査・研究する。

半導体中の電子スピンを電界により制御する方法を確立しスピンを用いたデバイス化を図る。

半導体、磁性体、超伝導体を組み合わせることにより個々の材料では発現しないスピンに関する物性を用いて機能化を図る。