MATSUOKA Takashi

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Name
MATSUOKA Takashi
E-mail
matsuokaimr.tohoku.ac.jp
URL
http://db.tohoku.ac.jp/whois/e_detail/ebda89e61e8c58d7d3601dff015f89aa.html
Affiliation
Tohoku University
Section
Institute for Materials Research Physics of Electronic Materials
Job title
Professor
Degree
工学博士(Hokkaido University)

Research Areas

 

Academic & Professional Experience

 
Feb 2005
 - 
Today
教授, 東北大学 金属材料研究所
 
Apr 1978
 - 
Jan 2005
Senior Research Engineer, Supervisor, NTT Basic Research Laboratories
 

Education

 
 
 - 
Mar 1978
電子工学専攻, Graduate School, Division of Engineering, Hokkaido University
 
 
 - 
Mar 1976
電子工学科, Faculty of Engineering, Hokkaido University
 

Committee Memberships

 
Feb 2010
 - 
Today
The Open Applied Physics Journal  副編集長
 
Apr 2015
 - 
Mar 2016
APEX/JJAP編集員  編集委員
 
Apr 2014
 - 
Mar 2015
APEX/JJAP編集員  編集委員
 
Jul 2013
 - 
Sep 2014
Japanese Journal of Applied Physics Selected Topics in Applied Physics “Progress of Nitride Semiconductors and their Future Prospects”  特別編集委員長
 
Apr 2013
 - 
Mar 2014
APEX/JJAP編集員  編集委員
 

Awards & Honors

 
Apr 2017
新しい半導体材料の開発とその素子応用に関する研究, 平成29年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰 科学技術賞, 文部科学省
 
Aug 2016
光ファイバ通信・青色発光素子用結晶の先駆的成長技術, 日本結晶成長学会 第11回業績賞および赤﨑 勇賞, 日本結晶成長学会
 
Mar 2016
平成27年度総長優秀学生賞, 東北大学
Winner: 正直花奈子
 
Mar 2016
InGaN/GaN 太陽電池の格子極性と発電特性, 第7回薄膜太陽電池セミナー 優秀ポスター賞, 第7回薄膜太陽電池セミナー組織委員会
Winner: 谷川智之,川島静人,正直花奈子,窪谷茂幸,片山竜二,松岡隆志
 
Mar 2016
Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN template by metal-organic vapor phase epitaxy, Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center" Poster Presentation Award, 東北大学金属材料研究所
Winner: 劉 陳燁, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志
 
Mar 2016
-c面窒化インジウムガリウム混晶の有機金属気相成長と光学素子応用, 第6回日本学術振興会育志賞, 日本学術振興会
Winner: 正直花奈子
 
Jan 2016
N極性(0001)p型GaNのMOVPE成長における Mg/Ga・V/III 原料供給比の正孔濃度への影響, 第20回応用物理学会東北支部 講演奨励賞, 応用物理学会東北支部
Winner: 野々田 亮平, 正直 花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志
 
Dec 2014
MOVPE法による可視光全域波長の発光を有するN 極性(000-1)InGaN 発光ダイオードの作製」, 第19回 応用物理学会東北支部 講演奨励賞, 応用物理学会
Winner: 正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志
 
Nov 2014
MOVPE成長N極性(000-1)InGaN発光ダイオードによる可視光全域波長での発光の実現」, 第128回 金属材料研究所講演会 優秀ポスター賞, 東北大学金属材料研究所
Winner: 正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之,窪谷茂幸,花田貴,片山竜二,松岡隆志
 
Nov 2014
転位低減に向けたN 極性(000-1)面GaN のMOVPE 選択成長」, 第128回 金属材料研究所講演会 優秀ポスター賞, 東北大学金属材料研究所
Winner: 逢坂崇, 谷川智之,木村健司,正直花奈子,窪谷茂幸,片山竜二,松岡隆志
 
Nov 2014
サファイア基板上MOVPE成長N極性面(000-1) InGaNを用いた赤・緑・青色発光ダイオードの作製, 第37回(2014年秋季)応用物理学会講演奨励賞, 応用物理学会
Winner: 正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之,窪谷茂幸,花田貴,片山竜二,松岡隆志
 
Sep 2014
長波長DFB-LDと窒化物の研究による半導体光素子の開発」, 第8回(2014年度)応用物理学会フェロー表彰, 応用物理学会
 
May 2014
サファイア窒化AIN基板を用いたMOVPE法によるN極性GaNの成長, 金属材料研究所第127回講演会 ポスター賞, 東北大学金属材料研究所
Winner: 吉野川伸雄, 逢坂崇, 木村健司,谷川智之,片山竜二, 松岡隆志, 福山博之
 
Apr 2014
APEX/JJAP Editorial Contribution Award, The Japana Society of Applied Physics
 
Mar 2014
Observation of Indium Content Distribution on m-plane InGaN Film with Hillocks, 2013 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center" Poster Presentation Award, 東北大学金属材料研究所
Winner: 正直花奈子 ,崔正焄 ,花田貴,谷川智之,片山竜二,松岡隆志
 
Mar 2014
2013 Annual Meeting of Excellent Graduate Schools for "Materials Integration Center" and "Materials Science Center" Poster Presentation Award, Materials Integration Center and Materials Science Center
Winner: 正直花奈子(博士1年) ,崔正焄(博士3年) ,花田貴,谷川智之,片山竜二,松岡隆志,
 
Nov 2013
サイファイア基板上(000-1)GaNの有機金属気相成長におけるMgによる表面マイグレーションの促進, 第126回金属材料研究所講演会 優秀ポスター賞, 東北大学金属材料研究所
Winner: 谷川智之,正直花奈子(博士1年),逢坂崇(修士1年),木村健司,窪谷茂幸,片山竜二,
 
Sep 2013
第74回応用物理学会秋季講演会ポスタ賞, 応用物理学会
Winner: 水上成美, 崔正焄, 花田貴, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志
 
Sep 2013
第74回応用物理学会秋季講演会 ポスター賞, 応用物理学会
Winner: 正直花奈子, 崔正焄, 花田貴, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志
 
Dec 2012
第17回(2012年度)応用物理学会東北支部講演奨励賞, 応用物理学会東北支部
Winner: 217. 谷川智之, 正直花奈子, 崔 正焄, 片山竜二, 松岡隆志
 
Mar 2011
東北大学総長賞, 東北大学
Winner: 正直加奈子
 
Nov 2009
温度安定性に優れた光通信用InN半導体レーザの研究, CREST「新機能創成に向けた光・光量子科学技術」研究領域第二回公開シンポジウム ポスター賞, 科学技術振興機構
 
Mar 2003
"Optical Band-Gap Energy of Wurtzite InN", Appl. Phys. Lett., 81(2002)1246, NTT物性科学研究所長表彰 論文賞, 日本電信電話株式会社
 
Oct 1988
超高速・長スパン光ファイバ伝送技術の開発, NTT社長表彰, 日本電信電話株式会社
Winner: 松岡隆志 他7名
 
Sep 1984
現在広く世界中の光ファイバ通信システム用光源の開発, ECOC Prize 1984 (the best paper of 10th European Conference on Optical Communication), ヨーロッパ光通信会議組織委員会
Winner: 松岡隆志、永井治男、吉国裕三、脇田紘一
 

Published Papers

 
T. Matsuoka, K. Takahei, Y. Noguchi and H. Nagai
Electron. Lett.   17(1) 12-14   Jan 1981   [Refereed]
T. Matsuoka, H. Nagai, Y. Itaya, Y. Noguchi, Y. Suzuki and T. Ikegami
Electron. Lett.   18(1) 27-28   Jan 1982   [Refereed]
T. Matsuoka, Y. Suzuki, Y. Noguchi and H. Nagai
Electron. Lett.   18(9) 359-361   Apr 1982   [Refereed]
K. Iwashita, K. Nakagawa, T. Matsuoka and M. Nakahara
Electron. Lett.   18(22) 937-938   Oct 1982   [Refereed]
Y. Itaya, T. Matsuoka, Y. Nakano, Y. Suzuki, K. Kuroiwa and T. Ikegami
Electron. Lett.   18(23) 1006-1008   Nov 1982   [Refereed]
H. Nagai, Y. Noguchi, T. Matsuoka and Y. Suzuki
Jpn. J. Appl. Phys.   22(5) L291-L293   May 1983   [Refereed]
H. Asahi, Y. Kawamura, Y. Noguchi, T. Matsuoka and H. Nagai
Electron. Lett.   19(14) 507-509   Jul 1983   [Refereed]
M. Kitamura, M. Seki, M. Yamaguchi, I. Mito, Ke. Kobayashi, Ko. Kobayashi and T. Matsuoka
Electron. Lett.   19(20) 840-841   Sep 1983   [Refereed]
Effect of the Grating Phase at the Cleaved Facet on DFB Laser Properties
T. Matsuoka, H. Nagai, Y. Noguchi, Y. Suzuki and Y. Kawaguchi
Jpn. J. Appl. Phys.   23(3) L138-L140   Mar 1984   [Refereed]
Y. Itaya, T. Matsuoka, K. Kuroiwa and T. Ikegami
IEEE J. Quantum Electron.   QE-20(3) 230-235   Mar 1984   [Refereed]
Y. Noguchi, Y. Suzuki, Y. Matsuoka and H. Nagai
Electron. Lett.   20(19) 769-771   Sep 1984   [Refereed]
Mode Behavior Improvement in DFB LDs by Light Phase Control at the Facet
T. Matsuoka, H. Nagai, Y. Suzuki, Y. Noguchi and K. Wakita
Jpn. J. Appl. Phys.   23(10) L782-L784   Oct 1984   [Refereed]
Y. Suzuki, H. Nagai, Y. Noguchi, T. Matsuoka and K. Kurumada
Electron. Lett.   20(21) 881-882   Oct 1984   [Refereed]
Y. Yoshikuni, T. Matsuoka, N. Yamanaka, and G. Motosugi
Appl. Phys. Lett.   45(8) 820-823   Oct 1984   [Refereed]
単一縦モード半導体レーザを用いた高速光ファイバ伝送系の符号誤り率特性
岩下克、 中川清司、 松岡隆志
電子通信学会   J67-B(12) 1415-1422   Dec 1984   [Refereed]
H. Nagai, Y. Noguchi and T. Matsuoka
J. Crystal Growth   71(1) 225-231   Mar 1985   [Refereed]
H. Kawaguchi, K. Inoue, T. Matsuoka and K. Otsuka
IEEE J. Quantum Electron.   21(9) 1314-1317   Sep 1985   [Refereed]
T. Matsuoka, Y. Yoshikuni and G. Motosugi
Electron. Lett.   21(24) 1151-1152   Nov 1985   [Refereed]
T. Matsuoka, H. Nagai and Y. Yoshikuni
IEEE J. Quantum Electron.   QE-21(12) 1880-1886   Dec 1985   [Refereed]
H. Nagai, T. Matsuoka, Y. Noguchi, Y. Suzuki and Y. Yoshikuni
IEEE J. Quantum Electron.   QE-22(3) 450-457   Mar 1986   [Refereed]
J. Yoshida, Y. Itaya, Y. Noguchi, T. Matsuoka and Y. Nakano
Electron. Lett.   22(6) 327-328   Mar 1986   [Refereed]
Temperature Range for DFB mode Oscillation in 1.5 μm InGaAsP/InP DFB Lasers
T. Matsuoka
Jpn. J. Appl. Phys.   25(8) 1206-1210   Aug 1986   [Refereed]
Y. Yoshikuni, K. Oe, G. Motosugi and T. Matsuoka
Electron. Lett.   22(22) 1153-1154   Oct 1986   [Refereed]
T. Matsuoka and H. Nagai
J. Electrochem. Soc.   133(12) 2485-2491   Dec 1986   [Refereed]
高出力1.5μm帯分布帰還形レーザの設計とその特性
松岡隆志、吉国裕三、本杉常治、遠谷光広
電子通信学会   J70-C(3) 369-378   Mar 1987   [Refereed]
T. Sasaki and T. Matsuoka
J. Appl. Phys.   64(9) 4531-4535   Nov 1988   [Refereed]
T. Sasaki, T. Matsuoka and A. Katsui
Appl. Sur. Sci.   41/42 504-508   Nov 1989   [Refereed]
Growth and Properties of a Wide-Gap Semiconductor InGaN
T. Matsuoka, T. Sasaki and A. Katsui
J. Optoelectronics   5(1) 53-64   Jun 1990   [Refereed]
Crystallinity of GaN Film Grown by ECR Plasma-Excitation MOVPE
H. Satoh, T. Sasaki, T. Matsuoka and A. Katsui
Jpn. J. Appl. Phys.   29(9) L1654-L1655   Sep 1990   [Refereed]
Wide-Gap Semiconductor (In, Ga)N
T. Matsuoka, H. Tanaka, T. Sasaki and K. Katsui
Inst. Phys. Conf. Ser.   106 141-146   Dec 1990   [Refereed]
T. Matsuoka, N. Yoshimoto, T. Sasaki, and K. Katsui
J. Electronic Mat.   21(2) 157-163   Feb 1991   [Refereed]
Reactive Fast Atom Beam Etching of a Wide-Gap Semiconductor GaN
H. Tanaka, F. Shimokawa, T. Sasaki and T. Matsuoka
J. Optoelectronics   6(1) 150-153   Jun 1991   [Refereed]
N. Yoshimoto, T. Matsuoka, T. Sasaki and A. Katsui
Appl. Phys. Lett.   59(18) 2251-2253   Oct 1991   [Refereed]
T. Matsuoka
J. Crystal Growth   124 433-438   Nov 1992   [Refereed][Invited]
T. Matsuoka, A. Ohki, T. Ohno and Y. Kawaguchi
J. Crystal Growth   138 727-736   Apr 1994   [Refereed][Invited]
T. Ohno, Y. Kawaguchi, A. Ohki and T. Matsuoka
Jpn. J. Appl. Phys.   33(Part1,10) 5766-5773   Oct 1994   [Refereed]
Effect of Tilted Substrates on P-type Doping in ZnSe and ZnCdSe/ZnSe Quantum Wells
T. Matsuoka
Phys. Stat. Sol. (b)   187(2) 401-406   1995   [Refereed]
T. Sasaki and T. Matsuoka
J. Appl. Phys.   77(1) 192-200   Jan 1995   [Refereed]
T. Matsuoka
Phys. Stat. Sol. (b)   187(2) 471-476   Feb 1995   [Refereed][Invited]
T. Matsuoka, T. Ohno and A. Ohki
Phys. Stat. Sol. (b)   187(2) 401-406   Feb 1995   [Refereed]
Gas Source Molecular Beam Epitaxy Growth of InAlP Band-Offset Reduction Layer on p-Type ZnSe
K. Iwata, H. Asahi, J. H. Kim, X. F. Liu, S. Gonda, Y. Kawaguchi, A. Ohki and T. Matsuoka
J. Crystal Growth   150(1月4日) 833-837   May 1995   [Refereed]
InGaAlN and II-VI Systems for Blue-Green Light-Emitting Devices
T. Matsuoka
Advanced Mat.   8(6) 469-479   1996   [Refereed]
Low Temperature Grown Be-Doped InAlP Band-Offset Reduction Layer to p-Type ZnSe
K. Iwata, H. Asahi, T. Ogura, J. Sumino, S. Gonda, A. Ohki, Y. Kawaguchi and T. Matsuoka
J. Electron. Mat.   25(4) 637-641   Apr 1996   [Refereed]
T. Matsuoka
Advanced Mater.   8(6) 469-479   Jun 1996   [Refereed][Invited]
Lattice-Matching Growth of InGaAlN Systems
T. Matsuoka
Proc. Fall Meeting of Material Research Symp.   395 39-50   Dec 1996   [Refereed][Invited]
T. Ohno, A. Ohki and T. Matsuoka
Jpn. J. Appl. Phys.   36(2B) L190-L193   Feb 1997   [Refereed]
A.Ohki, T. Ohno and T. Matsuoka
Electron. Lett.   33(11) 990-991   May 1997   [Refereed]
T. Matsuoka
Appl. Phys. Lett.   71(1) 105-106   Jul 1997   [Refereed]
Reactive Fast-Atom-Beam-Etching of GaN, InGaN, and AlGaN using Cl2
H. Tanaka, A. Nakadaira, T. Matsuoka
Proceedings of the Topical Workshop on III-V Nitrides   71-73   Dec 1997   [Refereed]
Room-Temperature CW Operation of II-VI Laser Grown on ZnSe Substrate Cleaned with Hydrogen Plasma
T. Ohno, A. Ohki and T. Matsuoka
J. Crystal Growth   184/185 550-553   Feb 1998   [Refereed]
T. Matsuoka
J. Crystal Growth   189/190 19-23   Jun 1998   [Refereed]
T. Ohno, A. Ohki and T. Matsuoka
J. Vac. Sci. Technol. B.   16(4) 2539-2545   Jul 1998   [Refereed]
Phase Separation in Wurtzite In1-X-YGaXAlYN
T. Matsuoka
MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.   3 54   Dec 1998   [Refereed]
T. Matsuoka, T. Itoh and T. Kainoh
Electron. Lett.   36(22) 1836-1837   Oct 2000   [Refereed]
Polarity of GaN Grown on (001) β-LiGaO2
T. Matsuoka and T. Ishii
Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conf. Series   1 11-14   Dec 2000   [Refereed]
Green LEDs Look Good for Plastic-Fiber LAN Transmission
T. Matsuoka
Laser Focus World   37(1) 9-9   2001   [Refereed]
T. Matsuoka and E. Hagiwara
phys. stat. sol. (a)   188 485-489   Nov 2001   [Refereed]
T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima and E. Kurimoto
Appl. Phys. Lett.   81(7) 1246-1248   Aug 2002   [Refereed]
T. Matsuoka, M. Nakao, H. Okamoto, H. Harima and E. Kurimoto
Jpn. J. Appl. Phys.   42(4B) 2288-2290   Apr 2003   [Refereed]
T. Matsuoka, H. Okamoto, and M. Nakao,
phys. stat. sol. (c)   0 2806-2809   Jul 2003   [Refereed]
T. Matsuoka
Superlatttices and Microstructure J.   35 19-32   Jan 2004   [Refereed][Invited]
T. Matsuoka, H. Okamoto, H. Takahata, T. Mitate, S. Mizuno, Y. Uchiyama and T. Makimoto
J. Cryst. Growth   269 139-144   Aug 2004   [Refereed]
T. Mitate, H. Takahata, S. Mizuno, T. Matsuoka, and N. Kuwano
Appl. Phys. Lett.   86 134103-1-134103-3   Mar 2005   [Refereed]
Polarity Determination of Indium Nitride by CBED Method
T. Mitate, H. Takahata, S. Mizuno, T. Matsuoka and N. Kuwano
Appl. Phys. Lett.   86 134103-134103-3   Mar 2005   [Refereed]
J. J. Kim, E. Ikenaga, M. Kobata, A. Takeuchi, M.Awaji, H. Makino, P. P. Cehn, A. Yamamoto, T. Matsuoka, D. Miwa, Y. Nishino, T. Yamamoto, T. Yao and K. Kobayashi
Appl.Surf. Sci.   252(15) 5602-5606   2006   [Refereed][Invited]
T. Matsuoka
Proc. SPIE   6050 60500K1-60500K9   2006   [Refereed][Invited]
T. Matsuoka, T. Mitate, H. Takahata, S. Mizuno, Y. Uchiyama, A. Sasaki, M. Yoshimoto, T. Ohnishi, and M. Sumiya
phys. stat. sol. (b)   243(7) 1446-1450   Jun 2006   [Refereed]
T. Matsuoka
Proceeding of SPIE   6473 1-12   2007   [Refereed][Invited]
T. Kimura and T. Matsuoka
Jpn. J. Appl. Phys.   46(24) L574-L576   2007   [Refereed]
Progress in MOVPE-Growth of GaN to InN
T. Matsuoka
Proc. SPIE   6900 69000S-1-69000S-6   2008   [Refereed]
Mysterious Material InN in Nitride Semiconductors, - What's the bandgap energy and its application?
T. Matsuoka
Proceeding of IPRM   372-375   2008   [Refereed][Invited]
M. Nakao, T. Shimada, M. Wakaba, N. Motegi, A. Gomyo, S. Mizuno, and T. Matsuoka
phys. stat. sol. (c)   5(9) 3063-3065   2008   [Refereed]
K. Nakashima and T. Matsuoka
J. Appl. Crystallography   41 191-197   Feb 2008   [Refereed]
M. Nakao, T. Kimura, Y. Liu, S-Y. Ji, and T. Matsuoka
phys. stat. sol. (c)   6(S2) S893-S896   Jun 2009   [Refereed]
Y. Liu, T. Kimura, T. Shimada, M. Hirata, M. Wakaba, M.Nakao, S-Y. Ji, and T. Matsuoka
phys. stat. sol. (c)   6(S2) S381-S384   Jun 2009   [Refereed]
Growth Temperature Dependence of Phase Purity in InN Grown by Pressurized Reactor MOVPE
T. Kimura, Y. H. Liu, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, J. G. Kim, N. Hasuike,H. Harima,R. Katayama, and T. Matsuoka
6th Intern. Workshop Nitride Semicond. (IWN2010)   AP1.49   2010   [Refereed]
New possibility of MOVPE-Growth in GaN and InN, - Polarization in GaN and Nitrogen-Incorporation in InN
T. Matsuoka
Proc. SPIE   6900(26)    2010   [Refereed][Invited]
J. G. Kim, Y. Kamei, A. Kimura, N. Hasuike, H. Harima, K. Kisoda, Y. H. Liu, and T. Matsuoka
phys. stat. sol. (b)   249 779-783   2011   [Refereed]
K. Prasertsuk, Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, T. Iwabuchi, R. Katayama, and T. Matsuoka
phys. stat. sol. (c)   9(3-4) 681-684   2011   [Refereed]
T. Kimura, K. Prasertsuk, Y. Zhang, Y. Liu, R. Katayama, and T. Matsuoka
phys. stat. sol. (c)   9(3-4) 654-657   2011   [Refereed]
T. Matsuoka, Y.Liu, T.Kimura, Y.Zhang, K.Prasertsuk, and R. Katayama
Proc. SPIE   7945 1-5   2011   [Refereed][Invited]
T.Hanada, T.Shimada, S.Y.Ji, K.Hobo, Y.H.Liu, and T. Matsuoka
phys. stat. sol. (c)   8(2) 444-446   2011   [Refereed]
Y.T.Zhang, Y.H.Liu, T.Kimura, M.Hirata, K.Prasertusk, R.Katayama, and T. Matsuoka
phys. stat. sol. (c)   8(2) 482-484   2011   [Refereed]
S.Miyazawa, S.Ichikawa, Y.H.Liu, S.Y.Ji, T.Matsuoka, and H. Nakae
phys. stat. sol. (a)   208(5) 1195-1198   2011   [Refereed]
T. Iwabuchi, Y. H. Liu, T. Kimura, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, H. Watanebe, N. Usami, R. Katayama, and T. Matsuoka
Jpn. J. Appl. Phys.   51(04DH02) 1-4   2012   [Refereed]
K. Shojiki, T. Hanada, T. Shimada, Y. H. Liu, R. Katayama, and T. Matsuoka
Jpn. J. Appl. Phys.   51    2012   [Refereed]
R. Katayama, Y. Fukuhara, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe, S. Kurokawa, N. Fujii, and T. Matsuoka
Proc. SPIE   8268    2012   [Refereed][Invited]
J. H. Choi, S. Kumar, S. Y. Ji, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
Key Eng. Mater.   508 193-198   2012   [Refereed]
Growth Temperature Dependence of Phase Purity in InN Grown by Pressurized Reactor MOVPE
T. Kimura, Y. H. Liu, Y. T. Zhang, K. Prasertsuk, J. G. Kim, N. Hasuike, H. Harima, R. Katayama, and T. Matsuoka
J. Appl. Phys      2013   [Refereed]
Y. T. Zhang, T. Kimura, K. Prasertusk, T. Iwabuchi, S. Kumar, Y. H. Liu, R. Katayama, and T. Matsuoka
Thin Solid Films   536 152-155   2013   [Refereed]
J. H. Choi, K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka,
phys. stat. sol   10 417-240   2013   [Refereed]
K. Kobayashi, M. Kano, T. Yoshida, R. Katayama, T. Matsuoka, T. Otsuji, and T. Suemitsu
phys. stat. sol   10 790-793   2013   [Refereed]
T. Matsuoka
Jpn. J. Appl. Phys.   53 1-1   2014   [Refereed]
D. Ehrentraut, G. K.L. Goh., K. Fujii, C. C. Ooi, L. H. Quang, T. Fukuda, M. Kano, Y. Zhang, and T. Matsuoka
J. Sol. Stat. Chem   214 96-100   2014   [Refereed]
J. H. Choi, K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
J. Nanoscience and Nanotechnology   14 6112-6115   2014   [Refereed]
T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
Jpn. J. Appl. Phys.   53 05FL05 1-4   2014   [Refereed]
T. Aisaka, T. Tanikawa, T. Kimura, K. Shojiki, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
Jpn. J. Appl. Phys   53 085501 1-4   2014   [Refereed]
K. Shojiki, J.H. Choi, H. Shindo, T. Kimura, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
Jpn. J. Appl. Phys   53 05FL07-1-05FL07-5   2014   [Refereed]
K. Shojiki, J. H. Choi, T. Iwabuchi, N. Usami, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
Appl. Phys. Lett.   106(22) 222102-1-222102-4   2015   [Refereed]
K. Shojiki, T. Tanikawa, J. H. Choi, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
Appl. Phys. Express   8(6) 061005-1-061005-4   2015   [Refereed]

Misc

 
分布帰還型レーザと青色発光素子の研究開発
MATSUOKA Takashi
電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ News Letter   168(1) 6-8   2018
1.5μm帯光伝送方式用DFBレーザ
松岡隆志, 吉国裕三, 中野好典, 車田克彦
NTT 研究実用化報告   36(3) 331-338   Mar 1987
1.55 μm F-400M System
K. Aida, Y. Hayashi and T. Matsuoka
Review of the Electrical Communications Laboratories   35(6) 621-626   Jun 1987
半導体ワイドバンドギャップ素子
松岡隆志
光技術動向調査委員会報告書   46-55   Mar 1995
InGaAlNエピタキシャル成長用基板およびその上のエピタキシャル成長
松岡隆志
日本結晶成長学会誌   23(3) 51-59   Mar 1996
青色半導体発光素子
松岡隆志
NTT技術ジャーナル   9 76-80   Sep 1996
松岡隆志
電気学会誌   117(5) 299-302   May 1997
窒化インジウムのバンドギャップは従来報告の半分
松岡隆志
日経先端技術   24 1-2   Oct 2002
InN
松岡隆志
光技術動向調査委員会報告書   56-62   Mar 2004
窒化物半導体の有機金属気相成長
MATSUOKA Takashi
金属   79(11) 23-28   2009

Books etc

 
Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds ~Computational Approach~
Takashi Matsuoka, Yoshihiro Kangawa (Part:Editor)
Springer   2018   
未来をさがそう 韓国語版
松岡 隆志 (Part:Editor)
ダイヤモンド社   2007   
未来をさがそう
東倉洋一, 清水雅史, 曽根原登, 鳥光慶一, 松岡隆志, 山田一郎, 大和淳司 (Part:Joint Editor)
ダイヤモンド社   Nov 2005   
Advanced Materials in Electronics 2004
K.S.A.Butcher, Q.Guo, T.Matsuoka, A.Yamamoto, Y.Sato, H.Itoh, T.Yamaguchi, Y.Chang, Z.Wu, H.Dumont 他 (Part:Joint Work, Chapter 3 "MOVPE Growth of Characteristics of Nitride Semiconductors from GaN to InN", pp.45~83)
Research Signpost   Dec 2004   
新編 光学材料ハンドブック
前田三男, 原 勝男, 皆方 誠,小林孝嘉, 吉國裕三, 小山二三夫, 米津宏雄, 松岡隆志, 石田祐三, 高橋史郎, 谷内哲夫, 宮 哲雄, 村田則夫 他 (Part:Joint Work, 1章1節 「可視、青色、紫外光源」 pp.226 ~ 236)
株式会社 リアライズ社   Dec 2000   
"Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices, Vol. 2, "GaN and Related Materials"
J.I.Pankove, C.R.Abernathy, Takashi Matsuoka, F. A. Ponce, S. K. Estreicher, M. Sato, T.L.Tansley, S. Porowski, P. Perlin, S. J. Pearton (Part:Joint Work, Chapter 4 "Ternary Alloys", pp.53~83)
Oversea Publishers Association   Dec 1997   
Intermetallic Compounds: Principles and Practice
J.H.Westbrook, R.L.Fleischer, K. Masumoto, A. Katsui, T. Matsuoka 他 (Part:Joint Work, Vol. 2, Chapter 15 "Semiconductor Applications", pp.323~350)
John Wiley & Sons   Dec 1995   
Properties of III-V Nitrides
J.H.Edgar, I.Akasaki, T.L.Tansley, S.Porowski, W.R.L.Lambrecht, T.Matsuoka, S.C.Strite, R.F.Davis 他 (Part:Joint Work, Section 7.3 "Photoluminescence of InN and InGaN", pp.231~236.)
INSPEC, IEE   Dec 1994   

Conference Activities & Talks

 
Multi-striped Orthogonal Photon-Photocarrier Propagation Solar Cell (MOP3S) in Waveguide-Coupled Scheme
MATSUOKA Takashi
18 Dec 2018   
REverse-Bias-Inducced Virtual Gate Phenomenon in N-polar GaN HEMTs
T.suemisyu,K.Prasertsuk,T.Tanikawa,T.Kimura,S.Kuboya,andT.Matsuoka
25 Nov 2018   
Novel Characterrization Teshnique of Threading Dislocation in GaN Using Multiphoton-Excitation Photoluminesccence [Invited]
T.Tanikawa,andT.Matsuoka
18 Nov 2018   
Three-dimensional and Non-Destructuve Inveestigation of Relation between Reverse Leakage Currwnt and Threading dislocation in Vertical GaN Schottky Barrier Diodes
T.Fujita,T.Yanikawa,H.Fukushima,S.Usami,A.TAnaka,T.Suemitsu,andT.Matsuoka
11 Nov 2018   
Challenge to MOVPE Growth of N-Polar InAIN Film with Higt InN Mole Fractio
S.Kuboya,K.Oomura,T.Tanikawa,andT.Matsuoka
11 Nov 2018   
Precise Characterrization of Expitaxial Laterral Overgrowth Process in HVPE-Grown GaN using Multiphoton-Excitation Photoluminescence [Invited]
T.Tanikawa,T.Yoshida,andT.Matsuoka
11 Nov 2018   
Reuse of SeAlMgO4 Substrates Utilzed for Halide Vapor Phase Epitaxy of GaN
K.Ohnishi,S.Kuboya,T.Tanikawa,T.Fukuda,T.Matsuoka
11 Nov 2018   
Characterization of Threading Dislocation in Thick GaN Films Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence [Invited]
T.Tanikawa,K.Ohnishi,T.Fujita,andT.Matsuoka
5 Aug 2018   
GaN Growth and Blue LED on Novel Oxide Substrate ScAlMgO4 [Invited]
S.kuboya,t.tanikawa,K.Ohnisi,H.Yahara,T.Tanikawa,T.fukuda,andT.Matsuoka
4 Jul 2018   
History and Current Status of Research on Nitride Semiconductors [Invited]
T.Matsuoka
2 Jul 2018   
History and Future Perspectives of the Nitride Semiconductors [Invited]
T.Matsuoka
14 Jun 2018   
Influence of Self Absorption in Two-Photon-Excitation Photoluminescence of GaN
T.Tanikawa,T.Fujita,K.kojima,S.F.Chichibu,andT.Matsuoka
3 Jun 2018   
Growth of Indium-lndium-Including Nitride Semiconducto [Invited]
T.Matsuoka,S.Kuboya,andT.Tanikawa
3 Jun 2018   
Reverse Bias Anneling Effects in N-polar GaN AlGaN GaN MIS-HENTs
T.Suemitsu,K.Prasertsuk,T.Tanikawa,T.Kimura,S.Kuboya,andT.Matsuoka
29 May 2018   
Nondestructive Analysis of Threading Dislocations in GaN by Multiphoton Excitation Photoluminesccence [Invited]
T.Tanikawa,andT.Matsuoka
25 Apr 2018   
MOVPE- and HVPE- GaN Growth on SCAM Substrates [Invited]
T. Matsuoka, K. Ohnishi, S. Kuboya, T. Iwabuchi, M. Kanoh, and T. Fukuda
SPIE Photonics West 2018   27 Jan 2018   
New Solar-cell System and Clean Unit System Platform (CUSP) for Electronics, Communications and Networks
A. Ishibashi, T. Matsuoka, R. Enomoto, and M. Yasutake
CECNet2017   24 Nov 2017   
Internal Quantum Efficiency of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Grown on ScAlMgO4 substrate
C. Hagiwara, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Fukuda, and T. Matsuoka,
35th Electron. Mat. Symp   10 Nov 2017   
Surface-Roughness Improvement and Electrical Properties in N-Polar InGaN/GaAlN HEMT Structures Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
MATSUOKA Takashi
36th Electron. Mat. Symp., Fr1-13   10 Nov 2017   
State-the-art of-Nitride Semiconductors [Invited]
T. Matsuoka
7th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-7)   15 Oct 2017   
Growth of Emerging Materials for Electronics by Advanced Growth Technique based on the Carrier over Half Century [Invited]
T. Fukuda, T. Matsuoka, S. Suzuki, and K. Sugiyama
7th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-7)   15 Oct 2017   
Application of Nitride Semiconductors for Optical Communications Systems [Invited]
T. Matsuoka
RIEC Intern. Symp. Photonics and Optical Commun. (ISPOC 2017)   Oct 2017   
Three-dimensional Imaging of Threading Dislocation in GaN crystals by Multiphoton-Excitation Photoluminescence [Invited]
T.Tanikawa,K.Ohnishi,andT.Matsuoka
29 Sep 2017   
Research on Nitride Semiconductors from the Dawn, through the Present, to the Future [Invited]
T. Matsuoka
Solid State Device Meeting 2017 (SSDM 2017)   20 Sep 2017   
History of blue LED Consisted of Nitride Semiconductors
T. Matsuoka
Proc. History of Electro-technology Conference (HISTELCON 2017)   7 Aug 2017   
History of Distributed Feedback Laser
T. Matsuoka and K. Iwashita
Proc. History of Electro-technology Conference (HISTELCON 2017)   7 Aug 2017   
HVPE of Thick GaN Layers on ScAlMgO4 Substrates and their Self-Separation for Fabricating Free-Standing Wafers
K. Ohnishi, M. Kanoh, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Mukai, and T. Matsuoka
Intern. Conf. Nitride Semiconductors   24 Jul 2017   
Three-dimensional Analysis of Threading Dislocation in HVPE-grown GaN using Two-photon-excitation Photoluminescence Spectroscopy
T. Tanikawa, K. Ohnishi, M. Kanoh, T.Mukai, and T. Matsuoka
Intern. Conf. Nitride Semiconductors   24 Jul 2017   
Roll of Hydrogen during Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of N-polar III-nitrides
T. Hanada and T.Matsuoka
Intern. Conf. Nitride Semiconductors   24 Jul 2017   
Surface Structure of Cleaved ScAlMgO4 (0001) Substrate for III-nitrides Growth Analyzed by X‐ray Crystal Truncation Rod Scattering
T. Hanada, H. Tajiri, O. Sakata, T. Fukuda, and T. Matsuoka
Intern. Conf. Nitride Semiconductors   24 Jul 2017   
N-polar GaN/AlGaN/GaN MIS-HEMTs on Sapphire Substrates with Small Off-cut for Flat Interface by MOVPE
K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, T. Suemitsu, and T. Matsuoka
Compound Semiconductor Week (CSW2017)   14 May 2017   
Reduced Gate Leakage Current in N-polar GaN Metal-Insulator-Semiconductor High Electron Mobility Transistors
K. Prasertsuk, A. Miura, S. Tanaka, T.Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, and T. Matsuoka
15 Mar 2017   
二光子励起フォトルミネッセンス法によるGaN中の貫通転位の三次元分布評価
谷川智之、大西一生、加納聖也、向井孝志、松岡隆志
第64回応用物理学会春季学術講演会   14 Mar 2017   
ハイドライド気相成長法によるScAlMgO4基板上へのGaN厚膜成長と自己剥離プロセス
大西一生、加納聖也、窪谷茂幸、谷川智之、向井孝志、松岡隆志
第64回応用物理学会春季学術講演会   14 Mar 2017   
N極性GaN HEMTsにおけるMIS構造導入によるリーク電流の低減
プラスラットスック キャッティウット、三浦輝紀、田中真二、谷川智之、木村健司、窪谷茂幸、末光哲也、松岡隆志
第64回応用物理学会春季学術講演会   14 Mar 2017   
MOVPE Growth of N-polar GaN/AlGaN/GaN Inverted HEMT Structures and Their Electrical Properties
K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, A. Miura, S. Kuboya, T. Suemitsu, and T. Matsuoka
3rd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductor (IDGN-3)   16 Jan 2017   
Current Status and Future Prospects of Nitride Semiconductors for Energy Saving
Intern. Workshop on Advanced Functional Materials and Devices (IWAFMD2017)   8 Jan 2017   
Large-Scale Crystal Growth of Emerging Materrials for Electronics by Advanced Czochralski Technique [Invited]
T.Fukuda,T.Matsuoka,andS.Suzuki
16 Oct 2016   
Novel Approach to Fabrication of Free-standing GaN Wafer for Transistors Enabling Energy Saving
T. Matsuoka, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Hanada, and T. Fukuda
10th Intern. Conf. on Polish Soc. for Crystal Growth (ICPSCG10)   16 Oct 2016   
Control of Impurity Concentration of Undoped N-polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
T. Tanikawa, S. Kuboya and T. Matsuoka
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)   2 Oct 2016   
Improvement of Emission Wavelength Homogeneity in N-polar (000-1) InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
R. Nonoda, T. Tanikawa, K. Shojiki, S. Tanaka, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2016)   2 Oct 2016   
Ga-polar GaN Film Grown by MOVPE on Cleaved ScAlMgO4 (0001) Substrate with Nillimeter-scale Wide Terraces
T. Hanada, T. Iwabuchi, S. Kuboya, H. Tajiri, K. Inaba, T. Tanikawa, T. Fukuda, and T. Matsuoka
2016 European Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting   19 Sep 2016   
N 極性 n 型 GaN 上 Ni ショットキーダイオード特性の蒸着法依存性
寺島 勝哉, 野々田 亮平, 正直 花奈子, 谷川 智之, 松岡 隆志, 鈴木 秀明, 岡本 浩
第77回応用物理学会秋季学術講演会   13 Sep 2016   
NH3雰囲気で熱処理した ScAlMgO4のラマン分光評価
山村 和也, 蓮池 紀幸, 播磨 弘, 福田 承生, 窪谷 茂幸, 谷川 智之, 花田 貴, 松岡 隆志
第77回応用物理学会秋季学術講演会   13 Sep 2016   
Ni/N 極性 p-GaN ショットキー電極界面の電流-電圧特性の温度依存性
青木俊周, 谷川智之, 松岡隆志, 塩島謙次
第77回応用物理学会秋季学術講演会   13 Sep 2016   
窒化物半導体における窒素極性成長
第77回応用物理学会秋季学術講演会講演会   13 Sep 2016   
Polarity in the Growth of Nitride Semiconductors
T. Matsuoka, T. Kimura, T. Tanikawa, S. Kuboya, and T. Suemitsu
Collaborative Conf. on Crystal Growth (EMN 3CG)   4 Sep 2016   
Localized emission from quantum-dot-like InGaN islands formed in N-polar InGaN/GaN multiple quantum wells
T. Tanikawa, K. Shojiki, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama and T. Matsuoka
第35回電子材料シンポジウム   6 Jul 2016   
Dependence of group-III source ratio on photoluminescence of N-polar (000-1) InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
R. Nonoda, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, S. Tanaka, S. Kuboya, R. Katayama and T. Matsuoka
第35回電子材料シンポジウム   6 Jul 2016   
Phonon mode assignments of ScAlMgO4 single crystal by polarized Raman scattering spectroscopy
K. Yamamura, N. Hasuike, H. Harima, T. Fukuda, S. Kuboya, T. Tanikawa, R. Katayama and T. Matsuoka
第35回電子材料シンポジウム   6 Jul 2016   
MOVPE Growth of N-polar GaN/AlxGa1-xN/GaN Heterostructure on Small Off-cut Substrate for Flat Interface
K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, and T. Matsuoka
Compound Semiconductor Week 2016   26 Jun 2016   
Group-Ⅲ Source Ratio Dependence on Photoluminesccence of N-Polar(0001)InGaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
R.Nonoda,T.Tanikawa,K.Shojiki,T.Kimura,S.Tanaka,S.Kuboya,andT.Matsuoka
18 May 2016   
Large Stokes-like Shift due to Selt-Formed InGaN Islands in N-Polar InGaN Light-Emittimg Diodes
T.Tanukawa,K.Shojiki,R.Nonioda,S.Kuboya,R.Katayama.andT.Matsuoka
18 May 2016   
Paths of Impurity Incorporation in GaN Films Grow on ScAlMgO4 Substrates by MOVPE
S.Kuboya.H.Yahara,TIwabuti,H.Hanada,R.Katayama,andT.Matsuoka
18 May 2016   
Influence of Growth Conditions on Transport Properties in Undoped N-polar (000-1) GaN Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
T. Tanikawa, K. Prasertsuk, A. Miura, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
The 4th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications(LEDIA’16)   18 May 2016   
N極性InGaN/GaN量子井戸の微視的構造・光学特性
谷川智之、正直花奈子、野々田亮平、窪谷茂幸、片山竜二、松岡隆志、高宮健吾、矢口裕之、秋山英文
第8回窒化物半導体結晶成長講演会   9 May 2016   
N 極性(000–1)InGaN における局所発光の III 族原料供給比依存性
野々田 亮平、谷川 智之、正直 花奈子、木村 健司、窪谷 茂幸、片山 竜二、松岡 隆志
第8回窒化物半導体結晶成長講演会   9 May 2016   
N極性InGaN/GaN LEDに形成されたInGaN微小島からの局所発光
谷川 智之、正直 花奈子、片山 竜二、窪谷 茂幸、松岡 隆志
第63回応用物理学会春季学術講演会   19 Mar 2016   
ScAlMgO4 基板上GaN の不純物混入の抑制
矢原弘崇、岩渕拓也、窪谷茂幸、谷川智之、花田貴、片山竜二、福田承生、松岡隆志
第63回応用物理学会春季学術講演会   19 Mar 2016   
InGaN Quantum Nanodisks by Fusion of Bio-nano-template and Neutral Beam Etching processes
A. Higo, C. Thomas, C. Y. Lee, T. Kiba, S. Chen, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, K. Shojiki, I. Yamashita, A. Murayama, S. Samukawa
第63回応用物理学会春季学術講演会   19 Mar 2016   
Polarity control of GaN grown on pulsed-laser-deposited AlN/GaN template by metal-organic vapor phase epitaxy
J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, T. Matsuoka
Japan-Russia Joint Seminar "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure"   18 Mar 2016   
Two-dimensional electron gas in N-polar GaN/AlGaN/GaN heterostructures grown by metalorganic vapor phase epitaxy
K. Prasertsuk, S. Tanaka, T. Tanikawa, K. Shojiki, T. Kimura, A. Miura, R. Nonoda, F. Hemmi, S. Kuboya, R. Katayama, T. Suemitsu, and T. Matsuoka
Japan-Russia Joint Seminar "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure"   18 Mar 2016   
Electrical properties of GaN films on ScAlMgO4 substrates grown by MOVPE
T. Iwabuchi, H. Yahara, S. Kuboya, T. Tanikawa, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
Japan-Russia Joint Seminar "Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure"   18 Mar 2016   
InGaN/GaN太陽電池の格子極性と発電特性
谷川智之、川島静人、正直花奈子、窪谷茂幸、片山竜二、松岡隆志
第7回薄膜太陽電池セミナー   13 Mar 2016   
N極性(000-1)窒化物半導体混晶InGaNの結晶成長表面と発光素子応用
正直花奈子、高宮健吾、谷川智之、花田貴、野々田良平、窪谷茂幸、秋山英文、矢口裕之、片山竜二、松岡隆志
平成27年度日本表面科学会東北・北海道支部講演会   9 Mar 2016   
Current Status and Future Prospecta of Nitride Semiconductors [Invited]
T.Matsuoka,K.Shojiki,T.Kimura,T.Tanikawa,S.Kuboya,R.Katayama,andT.Suemitsu
24 Oct 2016   
N極性(000)p型GaNのMOVPE成長におけるMg/Ga・V/III原料供給比の正孔濃度への影響
野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志
70回 東北支部学術講演会, 3A11 (南田温泉 ホテルアップルランド, 2015年12月3-4日)   3 Dec 2015   
ScAlMgO4基板上SiドープGaNの電気伝導特性評価
矢原弘崇, 岩渕拓也, 窪谷茂幸, 谷川智之, 花田貴, 片山竜二, 福田承生, 松岡隆志
70回 東北支部学術講演会, 3A11 (南田温泉 ホテルアップルランド, 2015年12月3-4日)   3 Dec 2015   
Devices of Nitride Semiconductors beyond Conventional Concepts
T. Matsuoka, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Suemitsu
Taiwan Association for Coating and Thin Film Technology (TACT) 2015 International Thin Films Conference, C2 (Tainan, Taiwan, Nov. 16-18, 2015)   16 Nov 2015   
NH3 Decomposition Catalyst-assisted MOVPE Growth of In0.3Ga0.7N
A. Yamamoto, K. Kodama, N. Shigekawa, T. Matsuoka, and M. Kuzuhara
25th Intern.Photovoltaic Science and Engineering Conf. (PVSEC-25), NMD-O-06 (Busan, Korea, Nov. 15-20, 2015)   15 Nov 2015   
Waveguide-coupled Multi-striped Orthogonal Photon-Photocarrier-Propagation Solar Cells with InGaN layers
A. Ishibashi, T. Matsuoka, T. Kasai, K. Kondo, and N. Sawamura
16th Ries-Hokudai Intern. Symp., P52 (Sapporo, Nov. 10-11, 2015)   10 Nov 2015   
Polarity control of GaN grown on PLD-AlN/GaN templates by MOVPE
J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
6th Intern. Symp. Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-A3 (Hamamatsu, Nov. 8-13, 2015)   8 Nov 2015   
Effects of Mg/Ga and V/III source ratios on hole concentration of N-polar (000-1) p-type GaN grown by MOVPE
R. Nonoda, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
6th Intern. Symp. Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-A3 (Hamamatsu, Nov. 8-13, 2015)   8 Nov 2015   
Homogeneity improvement of N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells by changing substrate off-cut-angle direction
K Shojiki, T Hanada, T. Tanikawa, Y Imai, S. Kimura, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
6th Intern. Symp. Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-A3 (Hamamatsu, Nov. 8-13, 2015)   8 Nov 2015   
Large Stokes shift in N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes
T. Tanikawa, K. Shojiki, R. Katayama, S. Kuboya, and T. Matsuoka
6th Intern. Symp. Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-A3 (Hamamatsu, Nov. 8-13, 2015)   8 Nov 2015   
Microscopic structure of N-polar (000-1) InGaN/GaN multiple quantum wells and light-emitting diodes
K. Shojiki, T. Tanikawa, T. Hanada, Y. Imai, S. Kimura, R. Nonoda, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
6th Intern. Symp. Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-A3 (Hamamatsu, Nov. 8-13, 2015)   8 Nov 2015   
Migration-enhanced, Low-temperature (~400˚C) MOVPE Growth of InN using NH3 Decomposition Catalysts
A. Yamamoto, K. Kodama, N. Shigekawa, T. Matsuoka, and M. Kuzuhara
6th Intern. Symp. Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-A3 (Hamamatsu, Nov. 8-13, 2015)   8 Nov 2015   
Low-resistivity InxGa1-xN (x=0~0.35) Grown by Low-temperature (≲600˚C) MOVPE using NH3 Decomposition Catalysts
A. Yamamoto, K. Kodama, N. Shigekawa, T. Matsuoka, and M. Kuzuhara
6th Intern. Symp. Growth of III-Nitrides (ISGN-6), Tu-A3 (Hamamatsu, Nov. 8-13, 2015)   8 Nov 2015   
窒化物半導体のMOVPE成長における相純度
片山竜二,正直花奈子,谷川智之,窪谷茂幸,松岡隆志,矢口裕之,尾鍋研太郎
第45回結晶成長国内会議(NCCG-45) ナノ構造エピ成長分科会シンポジウム「結晶におけるポリタイプの制御と利用」(主催:日本結晶成長学会), 6 (東北大学, 2015年10月19-21日)   19 Oct 2015   
Electrical Characteristics of N-polar p-type GaN Schottky Contacts
2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015), G-1-4 (Sapporo, Japan, Sept. 28-30, 2015)   28 Sep 2015   
Potential of N-Polarity in Applications for GaN-based Devices
2015 European Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting (Warsaw, Poland, Sept. 15-18, 2015).   15 Sep 2015   
NH3分解触媒援用MOVPE法によるInN系材料の低温(~400℃)成長(I): InN成長
山本暠勇, 児玉和樹, 重川直輝, 松岡隆志, 葛原正明
第76回応用物理学会学術講演会講演会, 14a-1D-1 (名古屋国際会議場, 2015年9月13-16日)   13 Sep 2015   
NH3分解触媒援用MOVPE法によるInN系材料の低温(~400℃)成長(II): InxGa1-xN (x~0.3)の成長
山本暠勇, 児玉和樹, 重川直輝, 松岡隆志, 葛原正明
第76回応用物理学会学術講演会講演会, 14a-1D-1 (名古屋国際会議場, 2015年9月13-16日)   13 Sep 2015   
MOVPE成長N極性(000)p型GaNの正孔濃度に与えるMg/Ga・V/III原料比の影響
野々田亮平, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志
第76回応用物理学会学術講演会講演会, 14a-1D-1 (名古屋国際会議場, 2015年9月13-16日)   13 Sep 2015   
窒化物半導体用各種基板とⅢ族窒化物半導体のヘテロ成長
松岡隆志, 岩渕拓也, 窪谷茂幸, 福田承生
日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第94回研究会 (主婦会館プラザエフ, 2015年7月24日)   24 Jul 2015   
Surface Energy and Facet Formation in InN Films Grown by Pressurized-reactor MOVPE
A. Kusaba, Y. Kangawa, S. Krukowski, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka, and K. Kakimoto
第34回電子材料シンポジウム, We1-23 (ラフォーレ琵琶湖, 2015年7月15日~17日)   15 Jul 2015   
Polarity-controlled MOVPE Growth of GaN on PLD-AlN Templates
J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, T. Hanada, R. Katayama, and T. Matsuoka
第34回電子材料シンポジウム, We1-23 (ラフォーレ琵琶湖, 2015年7月15日~17日)   15 Jul 2015   
Design of the Transverse Quasi-Phase Matched AlN Waveguides for Deep-UV Second Harmonic Generation
Y. Mitani, R. Katayama, J. Yoo, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, and T. Matsuoka
第34回電子材料シンポジウム, We1-23 (ラフォーレ琵琶湖, 2015年7月15日~17日)   15 Jul 2015   
Effects of V/III Source Ratio on the Hole Concentration of N-polar (000) p-type GaN Grown by MOVPE
R. Nonoda, K. Shojiki, T. Tanikawa, S. Kuboya, R. Katayama, and T. Matsuoka
第34回電子材料シンポジウム, We1-23 (ラフォーレ琵琶湖, 2015年7月15日~17日)   15 Jul 2015   
Drain Depletion Length in InAlN/GaN MIS-HEMTs with Slant Field Plates
N. Yasukawa, S. Hatakeyama, T. Yoshida, T.Kimura, T. Matsuoka, T. Otsuji, and T. Suemitsu
the Compound Semiconductor Week 2015, the common venue for the 42nd Intern. Symp. Comp.Semicond. and the 27th Intern. Conf. Indium Phosphide and Related Mat., (Santa Barbara, USA, June 28-July 2, 2015).   28 Jun 2015   
Possibility of N-Polarity in Applications for GaN-based Devices
T. Matsuoka, K. Shojiki, T. Kimura, T. Tanikawa, and R. Katayama
the Compound Semiconductor Week 2015, the common venue for the 42nd Intern. Symp. Comp.Semicond. and the 27th Intern. Conf. Indium Phosphide and Related Mat., (Santa Barbara, USA, June 28-July 2, 2015).   28 Jun 2015   
窒化物半導体の開発経緯とその将来
松岡隆志
第7回窒化物半導体結晶成長講演会(主催:日本結晶成長学会ナノエピ分科会), 基調講演 (東北大学, 2015年5月7-8日)   7 May 2015   
N極性p形GaNショットキー電極の電気的特性の評価
青木俊周, 谷川智之, 片山竜二, 松岡隆志, 塩島謙次
62回応用物理学会春季学術講演会   11 Mar 2015   
MOVPE成長N極性(0001)InGaN多重量子井戸構造と発光ダイオードの構造・光学特性
正直花奈子, 崔正焄, 谷川智之, 木村健司, 窪谷茂幸, 花田貴, 片山竜二, 松岡隆志
62回応用物理学会春季学術講演会 [講演奨励賞受賞記念講演]   11 Mar 2015   
N極性(0001)GaNのMOVPE選択成長における貫通転位密度の低減
逢坂崇, 谷川智之, 木村健司, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志, 三宅秀人
62回応用物理学会春季学術講演会   11 Mar 2015   
±c面GaNの表面熱的安定性に関する研究
岡田俊祐, 三宅秀人, 平松和政, 逢坂崇, 谷川智之, 松岡隆志
62回応用物理学会春季学術講演会   11 Mar 2015   
オール窒化物半導体による白色LEDの開発に向けて
松岡隆志, 正直花奈子, 谷川智之, 窪谷茂幸, 片山竜二
日本学術振興会 光電相互変換第125委員会 EL分科会第46回研究会   4 Feb 2015   
励起子吸収による増感を利用した高効率太陽電池の研究"
堀越佳治, 松岡隆志
CREST「太陽光を利用した独創的クリーンエネルギー生成技術の創出」研究領域   20 Jan 2015   
励起子吸収による増感を利用した高効率太陽電池の研究~InGa(Al)N/GaN超格子太陽電池~
松岡隆志, 堀越佳治
CREST「太陽光を利用した独創的クリーンエネルギー生成技術の創出」研究領域   20 Jan 2015   
N 極性(000-1)GaN のMOVPE 選択成長における結晶形態変化
逢坂崇, 谷川智之, 木村健司, 正直花奈子, 窪谷茂幸, 片山竜二, 松岡隆志
第69回 東北支部学術講演会   4 Dec 2014   

Research Grants & Projects

 
Research for Advanced Electronic Materials
Basic Science Research Program
Project Year: Aug 1987 - Today

Patents

 
松岡 隆志, 片山 竜二, 谷川 智之
4072107 : 半導体光変調器及び光変調器付きレーザ
松岡隆志, 深野秀樹
EP 1389814 : Semiconductor Light-emitting Device
Takashi Matsuoka
ZL03107531.2 : Semiconductor Light-emitting Device
Takashi Matsuoka
ZL03158879.4 : Semiconductor Light Modulator and Semiconductor Laser Diode with Semiconductor Light Modulator
Takashi Matsuoka, Hideki Fukano
US 7039078 B2 : Semiconductor Light Modulator and Semiconductor Laser Diode with Semiconductor Light Modulator
Takashi Matsuoka, Hideki Fukano
特許0568701 : Semiconductor Light-emitting Device
Takashi Matsuoka
US 6927426 B2 : Semiconducotor Light-emitting Device for Optical Communications
Takashi Matsuoka, Hiroshi Okamoto
特許3616989 : 研磨装置および研磨方法
松岡隆志
特許3508010 : 半導体発光素子およびその製造方法
松岡隆志、石井隆生
3489711 : 気相成長装置及び結晶成長方法
松岡隆志
US 6586819 B2 : Sapphire Substrates, Semiconductor Device, Electronic Component, and Crystal growing Method
Takashi Matsuoka
3441051 : 原子間力顕微鏡、トンネル顕微鏡又はスピン偏極トンネル顕微鏡に用いる探針及びカンチレバー並びにその作製法
松岡隆志、赤坂哲也
特許3344633 : Ⅱ-Ⅵ族半導体レーザおよびその形成法
松岡隆志、川口悦弘、大野哲一郎
特許3243768 : 半導体発光素子
佐々木徹、松岡隆志、前佛栄
EPC90102634.4 : Sapphire Substrates, Semiconductor Device, Electronic Component, and Crystal growing Method
Takashi Matsuoka
特許3147316 : 半導体発光素子の作製方法
佐々木徹、松岡隆志
特許3102647 : 半導体発光素子
吉本直人、松岡隆志、勝井明憲
特許3062510 : 半導体光素子
松岡隆志、吉本直人、勝井明憲
特許2970818 : ビーム変調分光装置およびその測定方法
佐々木徹、安東孝止、松岡隆志、勝井明憲
特許2965709 : 半導体発光素子の作製方法
佐々木徹、松岡隆志、吉本直人、勝井明憲
特許2893099 : MIS型高効率発光素子
安東孝止、佐々木徹、松岡隆志、勝井明憲
特許2825527 : 半導体面発光素子
松岡隆志
特許2136803 : 半導体発光素子
勝井明憲、柴田典義、松岡隆志
特許2704181 : 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法
佐々木徹、松岡隆志
特許1985649 : 半導体発光素子
田中秀尚、松岡隆志、尾江邦重
特許1929002 : 半導体レーザ
松岡隆志、柴田典義
特許2916639 : 光電子集積回路及びその製法
芹川正、松岡隆志、田中秀尚
特許EP0383215 : Epitaxial-growth Structure for a Semiconductor Light-Emitting Device、and Semiconductor Light-Emitting Device Using the Same
Takashi Matsuoka, Toru Sasaki
特許1734162 : 半導体レーザの製造方法
松岡隆志、永井治男
特許1700300 : 半導体レーザ装置
松岡隆志、永井治男
US 5,006,908 : Epitaxial Wurtzite growth structure for semiconductor light-emitting device
Takashi Matsuoka, Toru Sasaki
特許1472193 : 分布帰還形半導体レーザ
松岡隆志、永井治男
特許1470882 : 分布帰還形半導体レーザ(1)
松岡隆志、永井治男
特許1496549 : 単一軸モード発振半導体レーザ
日本電気、松岡隆志
松岡隆志、窪谷茂幸、福田承生
松岡 隆志, 窪谷 茂幸, 福田 承生
WO 2016/132815 A1 : 窒化物半導体自立基板作製方法
松岡隆志
特願 2013JP078139 : Photoelectric Conversion Device, Built Strcture, and Electronic Instrument
A. Ishibashi and T. Matsuoka
松岡 隆志, 劉 玉懐, 保浦 健二
特願昭60-235372 : 分布帰還構造半導体レーザ
本杉常治, 松岡隆志, 板屋義夫, 吉國裕三
特願昭60-81322 : 微細周期格子形成方法およびその装置
内海裕一, 久良木億, 宇理須恒雄, 松岡隆志
特願昭57-157353 : 周期構造を有する埋込形半導体レーザ
MATSUOKA Takashi

Social Contribution

 
山形県立鶴岡南高等学校 理数セミナー
[Others]  21 Mar 2017
『“豆電球”から“発光ダイオード”を考えてみよう』

金研にて、半導体の座学、実験、および、実験室見学を通して、生きた学問を学ぶ。
みやぎ県民大学主催
[Others]  22 Aug 2016 - 25 Aug 2016
地球にやさしいエネルギーと環境・省エネルギー技術 ~太陽電池・半導体・超伝導・植物の品種改良~
みやぎ県民大学主催: "地球にやさしいエネルギーと環境・省エネルギー技術 ~太陽電池・半導体・超伝導・植物の品種改良~"
[Others]  22 Aug 2016 - 25 Aug 2016
一般者向けに題目の講義を行う。
出前授業 総括編, "楽しい理科のはなし ~不思議の箱を開けよう~「光通信の不思議」"
[Others]  23 Aug 2016
一般向けに、光通信に必要な波長多重通信の技術を体感してもらう。
研究室見学招待
[Others]  8 Mar 2016
古川学園中学校

Others

 
Aug 2015   高効率低コストLEDを実現する GaNベース基板の開発
提案法人名:パナソニック株式会社
(委託:株式会社福田結晶技術研究所)
Apr 2014   N極性InAlN混晶半導体の減圧および加圧有機金属気相成長による高効率光・電子素子応用
N極性InAlN混晶半導体の減圧および加圧有機金属気相成長による高効率光・電子素子応用に関する研究
Apr 2014   フォトン・フォトキャリア直交型太陽電池のInGaN系による展開可能性の検討
フォトン・フォトキャリア直交型太陽電池のInGaN系による展開可能性の検討を行う
Aug 2013   窒化物半導体の素子応用に向けた高In組成InAlNエピタキシャル成長に関する実用化研究
青色発光ダイオードで知られる窒化物半導体混晶InGaAlNは、バンドギャップ・エネルギEgが0.65~6.0eV(波長換算0.2~1.9μm)と広く、固体照明用高輝度紫外発光ダイオード、高効率太陽電池、高周波・高出力トランジスタ等の実用化が緊急に期待されている。Egが広いという特性を活かすために、混晶組成域の拡大が必須である。従来の研究は、InN、GaNやAlNの成長温度の差や熱力学的相分離のため、GaNへInやAlを添加する研究がなされてきた。本課題では、素子応用に有利な価電子帯のバンド障壁が大きくなるInNに、Alを添加する「エピタキシャル成長技術」を研究する。
Feb 2013   窒化物半導体エピタキシャル成長に関する研究
窒化物半導体エピタキシャル成長に関する研究を行う