半導体ウェハー製造プロセスにおける，完全ケミカルフリー，純水フリータイプ，ドライ型極低温マイクロスラッシュの高速二流体ジェット流を用いた新型レジストはく離・除去システムを開発する．従来型の極低温エアロゾル洗浄法とは異なり，過冷却液体窒素と極低温ヘリウムガス（寒剤）の高速衝突により連続生成される微細固体窒素粒子から成るマイクロスラッシュ噴霧流をウェハー面上のレジストに衝突させ，粒子の慣性力と噴霧の熱流体力学的効果の相互作用によりレジストをウェハー面上からはく離・除去，洗浄するシステムの開発である．本システムは，液体窒素と極低温ヘリウムガスの流量制御によるスラッシュ粒径制御が可能である。