水野 智久

J-GLOBALへ         更新日: 18/11/30 04:19
 
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研究者氏名
水野 智久
URL
https://www.sci.kanagawa-u.ac.jp/math-phys/mizuno/
所属
神奈川大学
部署
理学部数理・物理学科
職名
教授
学位
修士(名古屋大学大学院), 工学博士(名古屋大学)
科研費研究者番号
60386810

研究分野

 
 

経歴

 
2008年7月
 - 
2013年3月
産業技術総合研究所 客員研究員
 
2004年4月
 - 
2008年3月
産業技術総合研究所 客員研究員
 
1999年4月
 - 
2008年3月
放送大学 兼任(非常勤)講師
 

学歴

 
1981年4月
 - 
1982年10月
名古屋大学大学院 理学研究科 宇宙理学専攻
 
1979年4月
 - 
1981年3月
名古屋大学大学院 理学研究科 宇宙理学専攻
 
1974年4月
 - 
1979年3月
名古屋大学 理学部 物理学科
 

受賞

 
2004年12月
IEEE Electron Devices Society George Smith Award
 
2014年9月
SSDM Award
 
2004年3月
MIRAIプロジェクト優秀賞受賞(ひずみSOI素子の移動度決定に対して)
 
2004年2月
IEEE-ISSCC Takuo Sugano Award受賞(ひずみSOI技術に対して)
 
2003年4月
MIRAIプロジェクト最優秀賞受賞(ひずみSOIのCMOS回路実証に対して)
 

論文

 
Nano-SiC region formation in (100)Si-on-insulator substrate: Optimization of hot-C+-ion implantation process to improve photoluminescence intensity
T. Mizuno, Y. Omata, R. Kanazawa, Y. Iguchi, S. Nakada, T. Aoki, and T. Sasaki
Jpn. J. Appl. Phys.   (57) 04FB03-1-04FB03-9   2018年3月   [査読有り]
SiC Nano-Dots in Bulk-Si Substrate Fabricated by Hot-C+-Ion Implantation Technique
T. Mizuno, S. Nakada, M. Yamamoto, S. Irie, Y. Omata, T. Aoki, and T. Sameshima
Extended Abst. of SSDM   597-598   2017年9月   [査読有り]
Experimental Study of Single Source-Heterojunction MOS Transistors (SHOTs) for Quasi-Ballistic Regime: Optimization of Source-Hetero Structures and Electron Velocity Characteristics at Low Temperature
T. Mizuno, Y. Moriyama, T. Tezuka, N.Sugiyama, and S.Takagi
Jpn. J. Appl. Phys.   50 010107   2011年1月   [査読有り]
SiC Dots in Amorphous-Si and Poly-Si Substrates Fabricated by Hot-C+ -Ion Implantation
T. Mizuno, R. Kanazawa, Y. Omata, T. Aoki, and T. Sameshima
Extended Abst. of Solid State Devices and Materials   803-804   2018年9月   [査読有り]
SiC Nano-Dot Controlled by Hot-C+-Ion Implantation Conditions in Bulk-Si Substrate for Photonic Devices
T. Mizuno, S. Nakada, M. Yamamoto, S. Irie, T. Aoki, T. Sameshima
Abst. IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop   121-122   2018年6月   [査読有り]

講演・口頭発表等

 
バルクSi基板中のSiCナノドットサイズのプロセス依存性
山本将輝,青木孝,鮫島俊之,水野智久
第79回応用物理学会秋季学術講演会   2018年9月19日   応用物理学会
多結晶SiとアモルファスSi基板への  ホットC+イオン注入法によるSiCナノドットの形成
金澤力斗, 青木孝,鮫島俊之,水野智久
第79回応用物理学会秋季学 術講演会   2018年9月19日   応用物理学会
SiC Dots in Amorphous-Si and Poly-Si Substrates Fabricated by Hot-C+ -Ion Implantation
T. Mizuno, R. Kanazawa, Y. Omata, T. Aoki, and T. Sameshima
International Conference on Solid State Devices and Materials   2018年9月12日   JSAP
SiC Nano-Dot Controlled by Hot-C+-Ion Implantation Conditions in Bulk-Si Substrate for Photonic Devices
T. Mizuno, S. Nakada, M. Yamamoto, S. Irie, T. Aoki, T. Sameshima
IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)   2018年6月18日   IEEE/JSAP
Hot-C+-Ion Implantation Optimization for Forming Nano-SiC Region at Surface (100)SOI Substrate
T. Mizuno, Y. Omata, S. Nakada, T. Aoki, T. Sasaki
SSDM   2017年9月21日   JSAP

Works

 
12万倍に増えた!進化する記録メディア
その他   2007年3月
(110)面ひずみ及び無ひずみ素子における正孔移動度特性
その他   2004年
水野智久,杉山直治,手塚勉, 守山佳彦,中払周,前田辰郎, 高木信一
高性能ひずみSOI-CMOS素子
水野智久,杉山直治,手塚勉, 沼田敏典, 高木信一   その他   2002年
Application of Strained-Si Films and Strained-Si-on-Insulator Structures to Advanced CMOS
その他   2001年1月
S. Takagi, T. Mizuno, N. Sugiyama, T. Tezuka, T. Hatakeyama and A. Kurobe
Temperature Effects on Oxidization Process of SiGe-on-Insulator Structures to Form Thin and High-Ge-content SiGe Virtual Substrates
その他   2001年1月
N. Sugiyama, T. Tezuka, T. Mizuno, M. Suzuki, Y. Ishikawa, N. Shibata and S. Takagi

競争的資金等の研究課題

 
PN接合内蔵電位依存少数キャリヤ再結合欠陥調査及び解析の研究
日本学術振興会: 基盤研究(C)(一般)
研究期間: 2018年4月 - 2021年3月
炭素ホットイオン注入法を用いた二次元シリコンカーバイド及びグラフェンの基盤研究
日本学術振興会: 基盤研究(C)
研究期間: 2017年4月 - 2020年3月
金属仕事関数誘起高効率シリコンソーラーセルの研究
基盤研究C
研究期間: 2013年4月 - 2016年3月
半導体単原子層を用いた超微細素子の基盤研究
基盤研究(C)
研究期間: 2012年4月 - 2015年3月
マイクロ波フリーキャリヤ吸収法による非熱平衡プロセス処理起因欠陥とその制御の研究
基盤研究C
研究期間: 2010年4月 - 2013年3月

特許

 
6583437 : 半導体装置及びその製造方法
第3420168号 : 電界効果トランジスタ及びこれを用いた集積化論理回路
6509587 : 半導体装置及びその製造方法
第3378414号 : 半導体装置
第3372110号 : 半導体装置