水野智久 (Mizuno Tomohisa) - マイポータル

基本情報

所属: 神奈川大学理学部理学科教授

学位: 修士(1981年3月名古屋大学大学院)
工学博士(1991年6月名古屋大学)

研究者番号: 60386810
J-GLOBAL ID: 200901063361008375
researchmap会員ID: 5000088734

外部リンク: https://www.sci.kanagawa-u.ac.jp/math-phys/mizuno/

研究キーワード

Semiconductor nanostructures

研究分野

経歴

2008年7月 - 2013年3月

産業技術総合研究所 (客員研究員)
2008年7月 - 2013年3月

産業技術総合研究所客員研究員
2004年4月 - 2008年3月

産業技術総合研究所 (客員研究員)
2004年4月 - 2008年3月

産業技術総合研究所客員研究員
1999年4月 - 2008年3月

放送大学, 非常勤講師 (兼任（非常勤）講師)

学歴

1981年4月 - 1982年10月

名古屋大学大学院, 理学研究科, 宇宙理学専攻
1979年4月 - 1981年3月

名古屋大学大学院, 理学研究科, 宇宙理学専攻
1974年4月 - 1979年3月

名古屋大学, 理学部, 物理学科

受賞

2014年9月

SSDM Award
2004年12月

IEEE Electron Devices Society George Smith Award
2004年3月

MIRAIプロジェクト優秀賞受賞（ひずみSOI素子の移動度決定に対して）
2004年2月

IEEE-ISSCC Takuo Sugano Award受賞（ひずみSOI技術に対して）
2003年4月

MIRAIプロジェクト最優秀賞受賞（ひずみSOIのCMOS回路実証に対して）
2000年4月

東芝研究開発センター優良賞（ひずみSOI素子実証に対して）
1991年4月

日経BP技術賞電子部門賞受賞（新構造素子SJETに対して）
1986年

東芝社長賞表彰（1MビットCMOS-DRAM開発に対して）

主要な論文

184

Photoluminescence enhancement from hot nitrogen-ion implanted Si quantum dots embedded within SiO₂ layer

T. Mizuno and K. Murakawa

J. Appl. Phys. 135 024301 2024年1月査読有り筆頭著者
Near infrared photoluminescence of Si_1-xGe_x quantum dots fabricated by double hot Ge⁺/ Si⁺implantation into SiO₂ layer

Tomohisa Mizuno, Koki Murakawa, 1 and Toshiyuki Sameshima

J. Appl. Phys. 133 145703-1-145703-9 2023年4月査読有り
Group-IV-semiconductor quantum-dots in thermal SiO2 layer fabricated by hot-ion implantation technique: different wavelength photon emissions

T. Mizuno, R. Kanazawa, K. Yamamoto, K. Murakawa, K. Yoshimizu, M. Tanaka, T. Aoki, and T. Sameshima

Jpn. J. Appl. Phys. 60(SBBK08) SBBK08-1-SBBK08-11 2021年2月査読有り

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講演・口頭発表等

129

熱酸化膜中へのGeホットイオン注入によるGeO₂量子ドットの形成

坂颯人,水野智久

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月16日応用物理学会
ホットN⁺イオン注入法による Si 量子ドットの発光強度向上効果

米津和正,水野智久

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月16日応用物理学会
Influence of High Temperature N2 Annealing on Photoluminescence of SiC and Si Quantum Dots in SiO2 Layer

Kohki Murakawa, Norihito Mayama, and Tomohisa Mizuno

International Conference on Semiconductor Manufacturing (ISSM) 2022年12月13日 IEEE
Near-IR and UV Photon Emissions from SiGe- and C-Quantum-Dots Fabricated by Hot-Ion Implantation into Si-Oxide Layers

International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月28日 JSAP
Si酸化膜中へのダブルSi+/Ge+ホットイオン注入によるSiGe量子ドットの形成

村川洸紀, 青木孝, 鮫島俊之, 水野智久

第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月20日応用物理学会
クオーツ基板及び熱酸化膜中へのホットイオン注入によって形成したⅣ族半導体量子ドットの比較

村川洸紀,青木孝,鮫島俊之,水野智久

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日応用物理学会
シンターアニールによるSi量子ドットのPL強度増大効果

村川洸紀,青木孝,鮫島俊之,水野智久

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月12日応用物理学会
Enhancement of Photon Emissions from Group-IV-Semiconductor Quantum-Dots in Quartz and Thermal-Oxide Layers

T. Mizuno, K. Murakawa, K. Yoshimizu, T. Aoki, and T. Sameshima

International Conference on Solid State Devices and Materials 2021年9月8日 JSAP
Si酸化膜中へのホットダブルSi⁺/C⁺イオン注入法によるSiC量子ドット形成：Si+ドーズ量依存性

村川洸紀,金澤力斗,青木孝,鮫島俊之,水野智久

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月19日応用物理学会
ホットSi+イオン注入法を用いた酸化膜中のSi量子ドットの形成

吉水一真,村川洸紀,青木孝,鮫島俊之,水野智久

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月19日応用物理学会
Different Wavelength Photon Emissions from Group-IV-Semiconductor Quantum-Dots Fabricated by Hot-Ion Implantation Technique

T. Mizuno, R. Kanazawa, K. Yamamoto, K. Murakawa, K. Yoshimizu, M. Tanaka, T. Aoki, and T. Sameshima

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2020年9月30日 JSAP
SiC量子ドットを酸化膜中に作る：イオン注入技術総動員法

水野智久

De Novo Si Workshop 2019年11月22日
ホット-ダブルSi^+/C^＋イオン注入法を用いた酸化膜中のSiC量子ドットの形成

金澤力斗, 青木孝,鮫島俊之,水野智久

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日応用物理学会
SiC Quantum Dots in Si-Oxide Layer Fabricated by Double Hot-Si+/C+-Ion Implantation Technique

T. Mizuno, R. Kanazawa, T. Aoki, and T. Sameshima

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2019年9月4日 JSAP
Si Surface Orientation Dependence of SiC Nano-Dot Formation in Hot-C+-Ion Implanted Bulk-Si Substrate

T. Mizuno, M. Yamamoto, T. Aoki, T. Sameshima

Silicon Nanoelectronics Workshop 2019年6月10日 IEEE
多結晶SiとアモルファスSi基板へのホットC＋イオン注入法によるSiCナノドットの形成(Ⅱ):C+ドーズ依存性

金澤力斗, 青木孝,鮫島俊之,水野智久

第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月9日応用物理学会
バルクSi基板へのホットC＋イオン注入法によるSiCナノドット形成 (Ⅳ)：面方位依存性

山本将輝,青木孝,鮫島俊之,水野智久

第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月9日応用物理学会
SiCドット形成は基板構造を選ばない

水野智久

De Novo Si Workshop 2018年11月30日
多結晶SiとアモルファスSi基板へのホットC＋イオン注入法によるSiCナノドットの形成

金澤力斗, 青木孝,鮫島俊之,水野智久

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月19日応用物理学会
多結晶SiとアモルファスSi基板へのホットC＋イオン注入法によるSiCナノドットの形成

金澤力斗, 青木孝, 鮫島俊之, 水野智久

第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月19日応用物理学会

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所属学協会

2004年12月 - 現在

米国物理学会
1986年 - 現在

IEEE
1983年 - 現在

日本応用物理学会
1987年 - 2023年12月

日本物理学会

Works(作品等)

12万倍に増えた！進化する記録メディア

2007年3月その他
（110）面ひずみ及び無ひずみ素子における正孔移動度特性

2004年その他
高性能ひずみSOI-CMOS素子

水野智久,杉山直治,手塚勉, 沼田敏典, 高木信一

2002年その他
SiGe2層構造化によるひずみSOI-MOSFETの正孔移動度向上

2001年その他
ITOX法を用いた高品質/応力緩和SGOI基板技術

2001年その他
Device Structure and Electrical Characteristics of Strained-Si-on-Insulator (Strained-SOI) MOSFETs (Invited)

2001年その他
Temperature Effects on Oxidization Process of SiGe-on-Insulator Structures to Form Thin and High-Ge-content SiGe Virtual Substrates

2001年1月その他
Application of Strained-Si Films and Strained-Si-on-Insulator Structures to Advanced CMOS

2001年1月その他
ひずみＳｉチャネルを有する超高速ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴの提案とその製法

2000年その他
ひずみＳｉチャネルを有するＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴにおける正孔移動度向上

2000年その他
イントロダクトリートーク：０．１ｕｍ世代総合技術

1999年その他
高速化と特性ゆらぎ抑制が両立する新ＭＯＳ素子設計法（Ⅰ）

1998年その他
ＭＯＳ素子における拡散層接合深さの統計的ゆらぎの問題

1998年その他
Ｓｉ酸化の不純物濃度の統計的ゆらぎへの影響（Ⅰ）

1997年その他
Novel Statistical Fluctuation of Dopant Concentration and Its Influence on Scaled MOS Device Performance

1997年その他
０．１mｍＣＭＯＳのホットキャリア効果の特徴（Ⅰ）

1993年その他
高性能シャロージャンクションウェルＭＯＳＦＥＴ（Ⅰ）

1991年その他
チャージポンピング電流のだれ現象

1991年その他
高性能・高誘電体ＬＤＤスペーサＭＯＳＦＥＴ（Ⅰ）

1990年その他
ＬＤＤ窒化膜スペーサのホットキャリア効果への影響（Ⅱ）

1989年その他

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共同研究・競争的資金等の研究課題

新機能半導体基板の開発と，ナノ領域での半導体素子の研究/開発及びその電子輸送現象の解明

半導体MIRAIプロジェクト 2004年4月 - 現在
PN接合内蔵電位依存少数キャリヤ再結合欠陥調査及び解析の研究

日本学術振興会基盤研究(C)（一般） 2018年4月 - 2021年3月
炭素ホットイオン注入法を用いた二次元シリコンカーバイド及びグラフェンの基盤研究

日本学術振興会基盤研究（C) 2017年4月 - 2020年3月
金属仕事関数誘起高効率シリコンソーラーセルの研究

基盤研究C 2013年4月 - 2016年3月
半導体単原子層を用いた超微細素子の基盤研究

基盤研究（C) 2012年4月 - 2015年3月
マイクロ波フリーキャリヤ吸収法による非熱平衡プロセス処理起因欠陥とその制御の研究

日本学術振興会基盤研究Ｃ基盤研究(C) 2010年4月 - 2013年3月

鮫島俊之, 水野智久, 蓮見真彦
歪制御による同一半導体を用いたヘテロ素子構造の研究

日本学術振興会基盤C 基盤研究(C) 2009年4月 - 2012年3月

水野智久, 鮫島俊之
イオンビーム照射を利用したシリコン半導体とダイヤモンド半導体の高機能化の研究

神奈川大学 2008年4月 - 2011年3月
ソースヘテロ構造を用いたバリスティック素子の基盤研究

日本学術振興会特定領域研究特定領域研究 2008年4月 - 2010年3月

水野智久, 鮫島俊之
新機能半導体基板の開発と，ナノ領域での半導体素子の研究/開発及びその電子輸送現象の解明

半導体MIRAIプロジェクト 2004年4月 - 現在

産業財産権

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