山口敦史 (Atsushi Yamaguchi) - マイポータル

基本情報

所属: 金沢工業大学金沢工業大学工学部電気電子工学科教授
: (兼任)工学部電気電子工学科教授
: (兼任)大学院工学研究科電気電子工学専攻教授

J-GLOBAL ID: 200901098442481456
researchmap会員ID: 5000089785

研究キーワード

研究分野

自然科学一般 / 半導体、光物性、原子物理 / 窒化物半導体の光物性。なかでも、GaN基板の精密歪みマッピング特性、非極性InGaN量子井戸構造の偏光特性など。

学歴

1988年4月 - 1991年3月

東京大学大学院, 理学系研究科, 物理学専攻
1986年4月 - 1988年3月

東京大学大学院, 理学系研究科, 物理学専攻
1984年4月 - 1986年3月

東京大学, 理学部, 物理学科
1982年4月 - 1984年3月

東京大学, 教養学部, 理科I類

論文

139

Determination of deformation potentials in InGaN at visible light region

Keito Mori-Tamamura, Atsushi A. Yamaguchi, Shuhei Ichikawa, Kazunobu Kojima

Journal of Applied Physics 138(3) 035701-1-035701-9 2025年7月15日査読有り
Multimodal Luminescence Spectral Imaging Analysis of the InGaN Single Quantum Well Using One‐Sided Orthogonal Nonnegative Matrix Factorization

Kazunori Iwamitsu, Kenta Sakai, Zentaro Akase, Atsushi A. Yamaguchi, Shigetaka Tomiya

physica status solidi (b) 2025年6月査読有り
Demonstration of optical polarization control for surface emission from c-plane InGaN quantum wells and determination of anisotropic deformation potential in InGaN alloy materials by applying external uniaxial stress

Keito Mori-Tamamura, Atsushi A. Yamaguchi, Maho Ohara, Tomohiro Makino, Rintaro Koda, Tatsushi Hamaguchi

Japanese Journal of Applied Physics 64(3) 031002-031002 2025年3月1日
Determination of deformation potentials of InGaN alloy materials based on photoluminescence polarization measurements under uniaxial stress application

Atsushi A. Yamaguchi, Maho Ohara, Tomohiro Makino, Tatsushi Hamaguchi, Rintaro Koda, Keito Mori-Tamamura

Gallium Nitride Materials and Devices XIX 38-38 2024年3月9日
Absolute evaluation of internal and external quantum efficiencies and light extraction efficiency in InGaN single quantum wells by simultaneous photoacoustic and photoluminescence measurements combined with integrating-sphere method

Keito Mori-Tamamura, Yuchi Takahashi, Shigeta Sakai, Yuya Morimoto, Junji Hirama, Atsushi A. Yamaguchi, Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya

Science and Technology of Advanced Materials: Methods 4(1) 2024年2月14日査読有り責任著者
Improvement of S/N ratio in simultaneous photoacoustic and photoluminescence measurements by utilizing Helmholtz resonance

Hiroki Tosa, Keito Mori-Tamamura, Atsushi A. Yamaguchi

Japanese Journal of Applied Physics 63(2) 02SP81-02SP81 2024年2月1日査読有り責任著者
Evaluation of radiative and non-radiative recombination lifetimes in InGaN quantum wells with different ion-implantation damage

Keito Mori-Tamamura, Yuya Morimoto, Atsushi A. Yamaguchi, Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya

Japanese Journal of Applied Physics 63(1) 01SP19-01SP19 2023年12月21日査読有り責任著者
ストライプコアGaN基板上InGaN量子井戸における顕微PA・PL同時ラインスキャン測定

神野翔綺, 森恵人, 山口敦史, 草薙進, 蟹谷裕也, 富谷茂隆, 工藤喜弘

123(290) 52-55 2023年11月責任著者
ヘルムホルツ共鳴利用と光音響セル内空気加圧によるInGaN量子井戸の光音響・発光同時計測のS/N比改善

土佐宏樹, 森恵人, 山口敦史

電子情報通信学会技術研究報告 123(290) 48-51 2023年11月最終著者責任著者
一軸性応力印加によるInGaN量子井戸の偏光制御と変形ポテンシャルの決定

森恵人, 山口敦史, 牧野智大, 大原真穂, 濱口達史, 幸田倫太郎

電子情報通信学会技術研究報告 123(290) 56-59 2023年11月責任著者
Evaluation of radiative and nonradiative recombination lifetimes in c-plane InGaN quantum wells with emission colors ranging from blue to red

Keito Mori-Tamamura, Yuya Morimoto, Atsushi A. Yamaguchi, Susumu Kusanagi, Yuya Kanitani, Yoshihiro Kudo, Shigetaka Tomiya

Japanese Journal of Applied Physics 62(10) 105501-105501 2023年10月1日査読有り責任著者
Optical properties of nitride semiconductors: quantitative analysis of radiative and non-radiative recombination processes

Atsushi A. Yamaguchi

JSAP Review 2023 230209-1-230209-8 2023年8月査読有り筆頭著者
窒化物半導体の光物性発光再結合と非発光再結合の定量解析

山口敦史

応用物理 92(6) 333-339 2023年6月査読有り筆頭著者
電気電子工学科における誰一人取り残さない教育の実践：必修科目「工学基礎」における補充授業の導入

津田敏宏, 山口敦史, 會澤康治, 宮田俊弘

KIT Progress (31) 167-175 2023年3月査読有り
輻射・非輻射再結合の同時計測による窒化物半導体における再結合機構の解明へ向けた研究

森恵人, 森本悠也, 山口敦史, 草薙進, 蟹谷裕也, 工藤喜弘, 冨谷茂隆

電子情報通信学会技術研究報告 122(273) 73-76 2022年11月招待有り責任著者
Precise determination of deformation potentials in InGaN alloy material in semipolar and nonpolar InGaN quantum wells

Shigeta Sakai, Kazunobu Kojima, Shigefusa F. Chichibu, Atsushi A. Yamaguchi

Japanese Journal of Applied Physics 61(6) 061003-061003 2022年5月23日査読有り最終著者責任著者
Optical anisotropy of (112¯3) semipolar InGaN quantum wells homoepitaxially grown on GaN substrates

Mitsuru Funato, Yoshinobu Matsuda, Keito Mori-Tamamura, Atsushi A. Yamaguchi, Hiroki Goto, Yasunobu Sumida, Yujiro Ishihara, Yoichi Kawakami

Journal of Applied Physics 131(7) 074502-074502 2022年2月18日査読有り
光音響・発光同時計測法による窒化物半導体の発光内部量子効率の絶対測定

山口敦史, 森恵人, 草薙進, 冨谷茂隆

日本結晶成長学会誌 48(4) 1-9 2022年1月査読有り筆頭著者責任著者
InGaN量子井戸におけるPLスペクトル温度変化の理論モデル解析

袴田舜也, 藤田貴志, 渡邊龍一, 山口敦史

電子情報通信学会技術研究報告 121(261) 41-44 2021年11月責任著者
ハイドライド気相成長法によってホモエピ成長された高純度GaN膜のフォトルミネッセンス評価

今城大渡, 山肥田涼, 金森弘尚, 渡邊龍一, 木村健司, 今野泰一郎, 藤倉序章, 山口敦史

電子情報通信学会技術研究報告 121(261) 37-40 2021年11月責任著者

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MISC

ベイズ推定を用いた窒化物半導体の時間分解フォトルミネッセンススペクトルの解析

池辺啓太, 岩満一功, 金木奨太, 藤倉序章, 赤瀬善太郎, 山口敦史, 冨谷茂隆

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 72nd 2025年
非負値行列因子分解を活用したInGaN量子井戸構造のマルチモーダル発光スペクトルイメージング解析 II

岩満一功, 坂井健太, 赤瀬善太郎, 山口敦史, 冨谷茂隆

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 72nd 2025年
InGaN量子井戸の時間分解フォトルミネッセンス発光減衰挙動に対するベイズ推論解析

岩満一功, 新保樹, 赤瀬善太郎, 横川俊哉, 山口敦史, 冨谷茂隆

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 86th 2025年
InGaN単一量子井戸におけるフォトルミネセンス寿命の波長依存性

新保樹, 土佐宏樹, 山口敦史, 岩満一功, 冨谷茂隆

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 85th 2024年
非負値行列因子分解を活用したInGaN量子井戸構造のマルチモーダル発光スペクトルイメージング解析

岩満一功, 坂井健太, 赤瀬善太郎, 山口敦史, 冨谷茂隆

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 85th 2024年
k・p摂動法による低In組成領域におけるInGaNの変形ポテンシャルの決定

森恵人, 山口敦史, 市川修平, 小島一信

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 85th 2024年
In組成の異なるInGaN量子井戸におけるキャリアダイナミクスの研究

山形梨里花, 新保樹, 森恵人, 山口敦史, 岩満一功, 冨谷茂隆

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 124(278(ED2024 20-38)) 2024年
井戸数の異なるInGaN量子井戸におけるキャリアダイナミクスの研究

新保樹, 土佐宏樹, 神野翔綺, 森恵人, 山口敦史, 岩満一功, 冨谷茂隆

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 124(278(ED2024 20-38)) 2024年
窒化物半導体における光再結合過程【JST・京大機械翻訳】

YAMAGUCHI Atsushi A., MORI-TAMAMURA Keito

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年
一軸性応力印加によるc面上InGaN量子井戸の偏光制御

森恵人, 山口敦史, 大原真穂, 牧野智大, 幸田倫太郎, 濱口達史

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
ヘルムホルツ共鳴を利用したInGaN量子井戸の光音響・発光同時計測のS/N改善

土佐宏樹, 森恵人, 山口敦史

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
光音響・発光同時計測法による窒化物半導体の発光内部量子効率の絶対測定

山口敦史, 森恵人, 草薙進, 冨谷茂隆

日本結晶成長学会誌(CD-ROM) 48(4) 2022年
光音響・発光同時計測と時間分解発光測定によるInGaN量子井戸における輻射・非輻射再結合寿命の分離評価

森恵人, 森本悠也, 袴田舜也, 山口敦史, 草薙進, 蟹谷裕也, 工藤喜弘, 冨谷茂隆

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
イオン注入ダメージ量の異なるInGaN量子井戸の輻射・非輻射再結合寿命の分離評価

森恵人, 森本悠也, 山肥田涼, 今城大渡, 柏木咲希, 高野泰雅, 石田悠, 山口敦史, 草薙進, 蟹谷裕也 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年
光音響・発光同時計測法による窒化物半導体の発光内部量子効率の絶対測定—Absolute Measurement of Emission Internal Quantum Efficiency in Ⅲ-Nitride Semiconductors by Simultaneous Photo-Acoustic and Photoluminescence Spectroscopy—特集ワイドギャップ半導体の光・フォノン物性の最先端評価解析技術

山口敦史, 森恵人, 草薙進, 冨谷茂隆

日本結晶成長学会誌 Journal of the Japanese Association for Crystal Growth 48(4) 1-9 2021年
光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率の推定—Estimation of Internal Quantum Efficiency in Various InGaN Single Quantum Wells with Different Qualities by Simultaneous Photoacoustic and Photoluminescence Measurements—電子部品・材料

森恵人, 高橋佑知, 森本悠也, 山口敦史, 草薙進, 蟹谷裕也, 工藤喜弘, 冨谷茂隆

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119(303) 101-106 2019年11月
InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討

藤田貴志, 坂井繁太, 池田優真, 山口敦史, 蟹谷裕也, 冨谷茂隆

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 3130-3130 2019年2月25日
光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率測定

森恵人, 高橋祐知, 山口敦史, 草薙進, 蟹谷裕也, 工藤喜弘, 冨谷茂隆

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 80th 2019年
光励起誘導放出光測定によるInGaN量子井戸レーザのポテンシャル揺らぎ評価—A new method to evaluate the degree of potential fluctuation in InGaN quantum-well laser diodes by optical-pump stimulated-emission measurements—電子デバイス

大島一輝, 池田優真, 坂井繁太, 山口敦史, 蟹谷裕也, 冨谷茂隆

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118(330) 79-82 2018年11月
InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討—Theoretical and Experimental Studies on Potential Fluctuation in InGaN Quantum-Well Structures—電子部品・材料

藤田貴志, 坂井繁太, 池田優真, 山口敦史, 蟹谷裕也, 冨谷茂隆

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118(331) 75-78 2018年11月

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講演・口頭発表等

293

InGaN 量子井戸におけるPL 寿命スペクトル・マッピング測定

畑中颯真, 山口敦史, 岩満一功, 冨谷茂隆

畑中颯真1、山口敦史1、岩満一功2、冨谷茂隆2 2026年5月19日
InGaN量子井戸における変調測定によるキャリア寿命の推定

山岸颯矢, 山口敦史, 冨谷茂隆

第 8 回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム 2026年5月19日
InGaN量子井戸におけるフォトルミネセンス寿命の波長依存性

山形梨里花, 新保樹, 山口敦史, 岩満一功, 冨谷茂隆

第 8 回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム 2026年5月19日
光音響・発光同時測定における光音響測定精度の改善

鈴木晴夏, 澤野永遠, 森恵人, 山口敦史, 冨谷茂隆

第 8 回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム 2026年5月19日
InGaN系光デバイスにおける発光増強機構の研究

新保樹, 土佐宏樹, 森恵人, 山口敦史, 岩満一功, 冨谷茂隆

第 8 回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム 2026年5月19日
InGaN量子井戸でのキャリア拡散現象の共焦点光学系を用いた測定

櫻井裕太, 伊藤央祐, 山口敦史

第 8 回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム 2026年5月19日
InGaN量子井戸におけるPL減衰曲線の関数形の検討

洲崎新太, 山形梨里花, 新保樹, 山口敦史, 飯田大輔, 大川和宏

第 8 回有機・無機エレクトロニクスシンポジウム 2026年5月19日
不純物濃度の異なるGaN結晶における波長・時間分解フォトルミネッセンスによる再結合ダイナミクス解析

池辺啓太, 伊藤央祐, 秋山航太郎, 櫻井裕太, 金木奨太, 藤倉序章, 岩満一功, 赤瀬善太郎, 山口敦史, 冨谷茂隆

第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月17日
時間分解フォトルミネッセンス寿命分布解析によるInGaN量子井戸再結合ダイナミクスの不均一性評価

岩満一功, 新保樹, 赤瀬善太郎, 横川俊哉, 山口敦史, 冨谷茂隆

第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月15日
In 組成の異なるInGaN 量子井戸におけるフォトルミネセンス寿命の波長および温度依存性

山形梨里花, 畑中颯真, 山岸颯矢, 新保樹, 山口敦史, 岩満一功, 冨谷茂隆

第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月15日
InGaN多重量子井戸における再結合速度の量子井戸分離評価と InGaN下地層構造における発光増強機構の検討

新保樹, 土佐宏樹, 森恵人, 山口敦史, 岩満一功, 冨谷茂隆

第73回応用物理学会春季学術講演会 2026年3月15日
時間分解発光測定によるInGaN 量子井戸におけるキャリア拡散の温度変化測定

2025年10月17日
In 組成の異なるInGaN量子井戸におけるフォトルミネセンス寿命の温度および波長依存性

第44回電子材料シンポジウムThe 44rd Electronic Materials Symposium(EMS-44) 2025年10月17日
InGaN 量子井戸におけるPL減衰曲線の関数形の検討

第44回電子材料シンポジウムThe 44rd Electronic Materials Symposium(EMS-44) 2025年10月17日
赤色発光InGaN系LEDエピ膜における光学利得スペクトル測定

第44回電子材料シンポジウムThe 44rd Electronic Materials Symposium(EMS-44) 2025年10月16日
GaN における不純物のキャリアダイナミクスに与える影響：ベイズ推定を用いた TRPL 曲線解析による解明

2025年10月15日
時間分解発光測定によるInGaN量子井戸におけるキャリア拡散の温度変化測定

伊藤央祐, 秋山航太郎, 櫻井裕太, 山口敦史, 福井まいこ, 濱口達史

第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月9日
Optical gain measurements of InGaN red-light-emitting LED epitaxial layers

Itsuki Shimbo, Atsushi A. Yamaguchi, Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa

The 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15)
Relationship between additive impurities and formation of electron traps in SrAl2O4:Eu,Dy phosphors

Shuto Sugito, Takumi Shinogi, Haruki Fukata, Atsushi A. Yamaguchi

2025年6月14日
Time-resolved photoluminescence decay curve analysis in high-purity gallium nitride based on Bayesian inference

Keita Ikebe, Osuke Ito, Kazunori Iwamitsu, Zentaro Akase, Atsushi A. Yamaguchi, Shigetaka Tomiya

2025年6月13日

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