寒川義裕 (Yoshihiro Kangawa) - マイポータル

Chemical vapor deposition of compound semiconductors: process simulation and experimental validation

Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Toru Akiyama, Shugo Nitta, Motoaki Iwaya, Hideto Miyake, Paweł Kempisty, Marta A. Chabowska, Hristina Popova, Magdalena A. Załuska-Kotur

Applied Physics Express 19(1) 010101-010101 2026年1月1日査読有り招待有り筆頭著者責任著者
Influence of Intrinsic Point Defects Incorporated from Growth Surface on Atomic Interdiffusion and Unintentional Compositional Gradient in AlGaN/AlN Heterointerfaces

Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Takahiro Kawamura, Pawel Kempisty, Kana Ishisone, Mauro Boero

Crystal Growth & Design 25(3) 740-746 2025年1月24日査読有り筆頭著者責任著者
Progress in Modeling Compound Semiconductor Epitaxy: Unintentional Doping in GaN MOVPE

Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Paweł Kempisty, Kenji Shiraishi, Shugo Nitta, Hiroshi Amano

Crystal Growth & Design 21(3) 1878-1890 2021年2月査読有り筆頭著者責任著者
Evolution of the free energy of the GaN (0001) surface based on first-principles phonon calculations

Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa

PHYSICAL REVIEW B 100 085304-1-12 2019年8月査読有り

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主要なMISC

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AIによる材料製造条件の探索『プロセス・インフォマティクス』技術の進展

寒川義裕

応用物理 92 599 2023年10月査読有り招待有り筆頭著者責任著者
窒化物半導体の化学気相成長における表面科学の進展（特集「結晶成長ダイナミクスの展望－平衡過程と非平衡過程の協奏－」）

寒川義裕, 草場彰

表面と真空 66(4) 227-232 2023年4月10日査読有り筆頭著者責任著者
結晶成長とプロセスインフォマティクス〜理論解析から計算予測へ〜

寒川義裕

日本結晶成長学会誌 2022年4月査読有り招待有り筆頭著者責任著者
材料開発におけるプロセス・インフォマティクスの最新事情

寒川義裕

学士會会報 2021年9月査読有り招待有り筆頭著者責任著者
GaAsエピタキシャル成長における吸着－脱離現象への理論的アプローチ

寒川義裕, 伊藤智徳, 田口明仁, 白石賢二, 平岡佳子, 入澤寿美, 大鉢忠

2002年2月

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主要な書籍等出版物

Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds: Computational Approach

T. Matsuoka, Y. Kangawa

Springer 2018年
Atomic Structures and Electronic Properties of Semiconductor Interfaces

Takashi Nakayama, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi (担当:共著)

Elsevier Inc. 2011年1月

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主要な講演・口頭発表等

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Incorporation and diffusion mechanism of intrinsic point defects in AlGaN/AlN MOCVD

Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba

International Workshop on Nitride Semiconductors 2026 (IWN2026) 2026年11月9日招待有り
Optimal Design of MOCVD Process for AlGaN Deep-Ultraviolet Laser Diodes: Ab initio-Based Approach

Yoshihiro Kangawa

Satellite Workshop of International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices 2026 (SISPAD2026) 2026年9月27日招待有り
Theoretical approach to point defect formation at growth front in III-Nitride MOCVD

Yoshihiro Kangawa

European Materials Research Society (EMRS) 2026 Fall Meeting 2026年9月14日招待有り
Development of Digital Twin for Chemical Vapor Deposition of Compound Semiconductor

Yoshihiro Kangawa

International Seminar of RCIQE FY2025 International Seminar ~Emerging Semiconductor Technology for Efficient and Intelligent Electronics~ 2026年3月5日招待有り
Optimal Design of Fabrication Process for Deep Ultraviolet Laser Diodes: Computational Approach

Yoshihiro Kangawa

8th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-8) 2025年11月10日招待有り
半導体化学気相成長のプロセスモデリング

寒川義裕

日本金属学会九州支部日本鉄鋼協会九州支部 2024年度春季講演会（湯川記念講演会） 2024年4月招待有り
GaN MOCVDにおけるプロセスインフォマティクスの進展

寒川義裕

化学工学会CVD反応分科会第37回シンポジウム「CVDと薄膜の計算科学」 2023年3月招待有り
Process Informatics − 半導体化学気相成長の科学

寒川義裕

学習院桜友会寄付講座（生命情報社会学）シンポジウム X–informatics 〜巡り会うデータサイエンス〜 2023年2月招待有り
Theoretical aspects in growth of In-rich InGaN

Y. Kangawa, K. Kakimoto

SPIE 2015 Photonics West 2015年2月9日招待有り