Yoshihiro Kangawa

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Name
Yoshihiro Kangawa
Affiliation
Kyushu University
Section
Research Institute for Applied Mechanics
Job title
Associate Professor
Other affiliation
Japan Science and Technology Agency

Research Interests

 
 

Research Areas

 
 

Academic & Professional Experience

 
Jan 2005
 - 
May 2017
Associate Professor, RIAM, Kyushu University
 

Awards & Honors

 
Apr 2018
Formation mechanism of singular structure in AlInN layer grown on m-GaN substrate by MOVPE, Student's Paper Award, Yamaguchi Masahito Award, LEDIA 18
Winner: Y. Inatomi, A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Kojima, S. F. Chichibu
 
Mar 2018
APEX/JJAP Editorial Contribution Award, JSAP
 
Nov 2017
Poster award, JACG
 
Oct 2017
Thermodynamic Modeling of GaN MOVPE: Contribution of Surface State, Outstanding Presentation Award of International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017 (ICMaSS 2017), ICMaSS 2017
Winner: A. Kusaba, Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi, K. Kakimoto, A. Koukitu
 
Jul 2017
Presentation award, JACG
Winner: 稲富悠也、寒川義裕、伊藤智徳、柿本浩一
 
Aug 2016
Photo Contest Award in The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy, ICCGE 18
 
Mar 2016
Student award, Kyushu Univ.
Winner: Akira Kusaba
 
Nov 2015
Ab initio-based approach to surface reconstruction on InN(0001) during induced-pressure MOVPE, Young Scientist Award, The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
Winner: A. Kusaba, Y. Kangawa, Y. Honda, H. Amano, K. Kakimoto
 
Sep 2015
Relationship between stability of facet surfaces and incorporation of zinc-blende phase in InN during pressurized reactor MOVPE: A theoretical approach, Poster Prize of Italian Association of Crystallography (AIC), Fifth European Conference on Crystal Growth (ECCG5)
Winner: A. Kusaba, Y. Kangawa, S. Krukowski, K. Kakimoto
 
Aug 2015
Presentation award, JACG
 
Nov 2014
Surface Stability and Growth Kinetics of Compound Semiconductors: An Ab Initio-Based Approach, Paper award, JACG
Winner: Y. Kangawa, T. Akiyama, T. Ito, K. Shiraishi, T. Nakayama
 
Nov 2011
outstanding achievement award, Kyushu Univ.
 
Oct 2010
outstanding achievement award, Kyushu Univ.
 
May 2009
outstanding achievement award, Kyushu Univ.
 

Published Papers

 
Kazuki Sekiguchi, Hiroki Shirakawa, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, Kenji Shiraishi
Japanese Journal of Applied Physics   57(4S) 04FJ03-1-4   2018
P. Kempisty, P. Strak, K. Sakowski, Y. Kangawa, S. Krukowski
Physical Chemistry Chemical Physics   19(43) 29676-29684   2017
P. Kempisty, Y. Kangawa, A. Kusaba, K. Shiraishi, S. Krukowski, M. Bockowski, K. Kakimoto, H. Amano
APPLIED PHYSICS LETTERS   111(14) 141602-1-5   2017
T. Kawamura, A. Kitamoto, M. Imade, M. Yoshimura, Y. Mori, Y. Morikawa, Y. Kangawa, K. Kakimoto
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   254(8) 1600706-1-6   2017

Books etc

 
Epitaxial Growth of III-Nitride Compounds: Computational Approach
T. Matsuoka, #Y. Kangawa
Springer   2018   
Atomic arrangement and In composition in InGaN quantum wells
Yoshihiro Kangawa
Springer Verlag   2018   
Thermodynamic approach to InN epitaxy
Yoshihiro Kangawa
Springer Verlag   2018   
11 - Ab initio-Based Approach to Crystal Growth: Chemical Potential Analysis
T. Ito, Y. Kangawa (Part:Joint Work)
Elsevier   2014   
第3編、第3章; 固体ソース溶液成長法〜AlN単結晶成膜を事例として〜
寒川 義裕 (Part:Joint Work)
(株)NTS   2013   

Conference Activities & Talks

 
Theoretical study: Impurity incorporation in GaN MOVPE [Invited]
Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, and Kenji Shiraishi
The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides   Aug 2018   
Compositional Dependence of Band Gaps in III-Nitride Semiconductor Superlattices
T. Kawamura, T. Akiyama, Y. Kangawa
The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides   Aug 2018   
Monte Carlo simulation of carbon incorporation in GaN MOVPE
S. Yamamoto, Y. Inatomi, A. Kusaba, P. Kempisty, Y. Kangawa
The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides   Aug 2018   
A theoretical model for carbon incorporation during step-flow growth of GaN by MOVPE
Y. Inatomi, Y. Kangawa
The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides   Aug 2018   
Contribution of first principles phonon calculations to thermodynamics analysis of GaN surfaces
Pawel Kempisty, Yoshihiro Kangawa, Stanislaw Krukowski
The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides   Aug 2018   
First Principles and Thermodynamic Studies on GaN MOVPE Processes [Invited]
Yuto Okawachi, Kazuki Sekiguchi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Mitsuo Shoji, Yasuteru Shigeta, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto, and Kenji Shiraishi
The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides   Aug 2018   
Relationship between the CH4 Adsorption Probability and the C Impurity Concentration in the Polar-GaN MOVPE System
A. Kusaba, G. Li, M. R. von Spakovsky, P. Kempisty, Y. Kangawa
The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides   Aug 2018   
Surface reconstruction and impurity incorporation in GaN MOVPE: Ab initio-based modeling [Invited]
Y. Kangawa, P. Kempisty, S. Krukowski, K. Shiraishi, K. Kakimoto
The 19th International Conference on MOVPE (ICMOVPE-XIX)   Jun 2018   
First-principle study of ammonia decomposition and nitrogen incorporation on the GaN surface in Metal Organic Vapor Phase Epitaxy
Thi Kieu My Bui, Jun-Ichi Iwata, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi, Yasuteru Shigeta, and Atsushi Oshiyama
The 19th International Conference on MOVPE (ICMOVPE-XIX)   Jun 2018   
First-Principles Calculations of GaN Surface Structures under OVPE Growth Conditions and Desorption Energies of Oxygen Impurities
Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto
The 19th International Conference on MOVPE (ICMOVPE-XIX)   Jun 2018   
Formation mechanism of singular structure in AlInN layer grown on m-GaN substrate by MOVPE [Invited]
Y. Inatomi, A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Kojima, S. F. Chichibu
The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications   Apr 2018   
Modeling and process design of III-nitride MOVPE [Invited]
Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi
The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications   Apr 2018   
MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(2)
稲富悠也,草場 彰,柿本浩一,寒川義裕,小島一信,秩父重英
第65回応用物理学会春季学術講演会   Mar 2018   
気相原子−吸着原子の平衡を考慮した新規結晶成長モデルの提案:GaN MOVPEにおける不純物取り込み機構の理論解析
稲富悠也, 寒川義裕, 柿本浩一
日本物理学会第73回年次大会   Mar 2018   
Driving force for m-plane GaN MOVPE: a new thermodynamic modeling
Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi
ISPlasma2018/IC-PLANTS2018   Mar 2018   
Theory of GaN MOVPE process considering surface reconstruction [Invited]
Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi, K. Kakimoto
SPIE Photonics Wese OPTO   Jan 2018   
Multi-Physics Simulations of GaN MOVPE [Invited]
Kenji Shiraishi, Katsunori Yoshimatsu, Naoya Okamoto, Yoshihiro Kangawa, Koichi Kakimoto
The 19th International Conference on MOVPE (ICMOVPE-XIX)   2018   
GaN(0001)におけるNH3吸着過程の非平衡量子熱力学モデリング:付着係数の理論解析
草場 彰, G. Li, M. R. von Spakovsky, 寒川義裕, 柿本浩一
第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)   Nov 2017   
GaN MOVPE法における基板面方位依存性を考慮した流れの影響II
高村昴, 川上賢人, 山本芳裕, 草場 彰, 芳松克則, 岡本直也, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二
第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)   Nov 2017   
MOVPE GaN成長における駆動力への流れの影響
山本芳裕, 川上賢人, 芳松克則, 岡本直也, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二
第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)   Nov 2017   
Thermodynamic Analysis of the TMG Decomposition Process in GaN MOVPE
K. Sekiguchi, H. Shirakawa, K. Chokawa, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
2017 MRS Fall Meeting   Nov 2017   
Theoretical study of composition pulling effect in AlGaN and AlInN MOVPE
Y. Inatomi, Y. Kangawa, S. F. Chichibu, K. Kakimoto
International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)   Nov 2017   
Adsorption of ammonia in III-nitrides vapor phase epitaxy: theoretical approach based on steepest-entropy-ascent quantum thermodynamics
A. Kusaba, G. Li, M. R. von Spakovsky, Y. Kangawa, K. Kakimoto
International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)   Nov 2017   
Influence of lattice constraint on In incorporation in InGaN MOVPE
Y. Inatomi, Y. Kangawa, K. Kakimoto
The 36th Electronic Materials Symposium   Nov 2017   
A kinetic?thermodynamic theory in step?flow growth of compound semiconductor: Application to impurity incorporation in GaN MOVPE
Y. Inatomi, Y. Kangawa, K. Kakimoto
大阪電気通信大学国際ワークショップ   Oct 2017   
GaN MOVPEにおける結晶成長プロセスの理論解析 [Invited]
寒川義裕, 芳松克則, 白石賢二, 柿本浩一
日本学術振興会第162委員会第105回研究会   Oct 2017   
Thermodynamic Modeling of GaN MOVPE: Contribution of Surface State
A. Kusaba, Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi, K. Kakimoto, A. Koukitu
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017   Sep 2017   
Stability of the carbon and oxygen impurities in the subsurface layer near the polar GaN surface
P. Kempisty, Y. Kangawa, K. Shiraishi, S. Krukowski, M. Bockowski, K. Kakimoto, H. Amano
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017   Sep 2017   
A Methodology for Multiphysics Simulation of Gallium Nitride MOVPE Method using Thermodynamic Analysis of Driving Force of Gallium Nitride Crystal Growth
K. Kawakami, Y. Yamamoto, K. Yoshimatsu, N. Okamoto, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017   Sep 2017   
Multiphysics Flow Simulation with Appropriate Conditions Predicted by Thermodynamic Analysis of Driving Force of GaN Crystal Growth
Y. Yamamoto, K. Kawakami, K. Yoshimatsu, N. Okamoto, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017   Sep 2017   
Thermodynamic Analysis of the Surface Reactions in GaN MOVPE
K. Sekiguchi, H. Shirakawa, K. Chokawa, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials   Sep 2017   
Steepest-entropy-ascent quantum thermodynamic modeling of NH3 chemical adsorption on GaN(0001) reconstructed surfaces under metalorganic vapor phase epitaxy conditions
A. Kusaba, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, Y. Kangawa, K. Kakimoto
E-MRS   Sep 2017   
GaN MOVPEにおける気相中および基板上での反応プロセス解明
関口一樹, 白川裕規, 長川健太, 洗平昌晃, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二
第78回 応用物理学会 秋季学術講演会   Sep 2017   
InGaN薄膜成長における格子不整合とIn組成の相関
稲富悠也, 寒川義裕, 伊藤智徳, 柿本 浩一
第64回応用物理学会春季学術講演会   Sep 2017   
活性化エネルギーを考慮したTMG分解プロセスの理論的考察
関口一樹, 白川裕規, 長川健太, 洗平昌晃, 寒川義裕, 柿本 浩一, 白石賢二
第64回応用物理学会春季学術講演会   Sep 2017   
GaN MOVPEにおける結晶成長マルチフィジックス流動シミュレーション
川上賢人, 山本芳裕, 芳松克則, 岡本直也, 寒川義裕, 柿本 浩一, 白石賢二
第64回応用物理学会春季学術講演会   Sep 2017   
OVPE成長条件下におけるGaN 非極性表面構造の第一原理計算
河村貴宏, 北本啓, 今出完, 吉村政志, 森勇介, 森川良忠, 寒川義裕, 柿本浩一
第64回応用物理学会春季学術講演会   Sep 2017   
Multi-physics flow simulation satisfying appropriate conditions on GaN deposition predicted by a thermodynamic analysis of the deposition driving force
Y. Yamamoto, K. Kawakami, K. Yoshimatsu, N. Okamoto, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)   Jul 2017   
A methodology for multiphysics simulation of GaN MOVPE using thermodynamic analysis of driving force for the deposition of GaN
K. Kawakami, Y. Yamamoto, K. Yoshimatsu, N. Okamoto, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)   Jul 2017   
Thermodynamic Analysis of the TMG Decomposition Process Considering the Activation Energy
K. Sekiguchi, H. Shirakawa, K. Chokawa, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)   Jul 2017   
Thermodynamic analysis of InGaN MOVPE: influence of lattice constraint
Y. Inatomi, Y. Kangawa, T. Ito, T. Suski, K. Kakimoto, A. Koukitu
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)   Jul 2017   
Density Functional Theory study on stability of carbon and oxygen at GaN(0001) and GaN(000-1) surfaces
P. Kempisty, Y. Kangawa, K. Shiraishi, S. Krukowski, M. Bockowski, K. Kakimoto, H. Amano
12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)   Jul 2017   
窒化物半導体結晶成長モデリングの現状と課題 [Invited]
寒川義裕, 白石賢二, 柿本浩一
第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会   Jul 2017   
NH3化学吸着の非平衡状態発展:最急エントロピー勾配量子熱力学モデリング
草場 彰, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, 寒川義裕, 柿本浩一
第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会   Jul 2017   
AlInN薄膜成長における格子不整合と組成取り込み効率の相関
稲富悠也, 寒川義裕, 伊藤智徳, 柿本浩一
第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会   Jul 2017   
GaN MOVPEにおけるTMG分解反応プロセスの理論的考察
関口一樹, 白川裕規, 長川健太, 洗平昌晃, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二
第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会   Jul 2017   
GaN MOVPE法における結晶成長マルチフィジックスシミュレーション
川上賢人, 山本芳裕, 芳松克則, 岡本直也, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二
第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会   Jul 2017   
GaN MOVPE法における基板面方位依存性を考慮した流れの影響I
川上賢人, 高村昴, 山本芳裕, 草場 彰, 芳松克則, 岡本直也, 寒川義裕, 柿本浩一, 白石賢二
第46回結晶成長国内会議(JCCG-46)   2017   
エピタキシャル成長のマルチフィジックスシミュレーションの現状
白石賢二, 関口一樹, 長川健太, 白川裕規, 川上賢人, 山本芳裕, 洗平昌晃, 永松謙太郎, 新田州吾, 岡本直也, 芳松克則, 寒川義裕, 柿本浩一, 天野浩
第64回応用物理学会春季学術講演会   2017   
Innovation of AlN solution growth technique [Invited]
Y. Kangawa
Workshop on Ultra-Precision Processing for Wide Bandgap Semiconductors (WUPP 2016)   Oct 2016   
Ab Initio-Based Approach to Crystal Growth of Nitride Semiconductors: Contribution of Growth Orientation and Surface Reconstruction [Invited]
Y. Kangawa
International Workshop on Nitride Semiconductors 2016   Oct 2016   
Influence of Growth Orientation on Driving Force for InN Deposition by MOVPE
A. Kusaba, Y. Kangawa, M. R. von Spakovsky, K. Shiraishi, K. Kakimoto, A. Koukitu
International Workshop on Nitride Semiconductors 2016   Oct 2016   
Consideration of MOVPE Growth Process of GaN by First Principles Calculations and Thermodynamic Analysis
K. Sekiguchi, H. Shirakawa, Y. Yamamoto, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
International Workshop on Nitride Semiconductors 2016   Oct 2016   
First Principles Based Simulation for Compound Semiconductor Growth Processes [Invited]
Y. Kangawa
2016 International Conference on Solid State devices and Materials (SSDM 2016) Short Course   Sep 2016   
First Principle and Thermodynamic Analysis of MOVPE Growth of GaN and AlN
K. Sekiguchi, H. Shirakawa, K. Chokawa, Y. Yamamoto, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
2016 International Conference on Solid State devices and Materials (SSDM2016)   Sep 2016   
窒化物半導体成長メカニズムの熱力学的考察
関口 一樹, 白川 裕規, 長川 健太, 洗平 昌晃, 寒川 義裕, 柿本 浩一, 白石 賢二
第77会応用物理学会秋季学術講演会   Sep 2016   
GaN結晶成長シミュレーションの新展開: 第一原理計算に基づくアプローチ [Invited]
寒川 義裕, 白石 賢二, 柿本 浩一
第77会応用物理学会秋季学術講演会   Sep 2016   
Computational fluid dynamic approach coupled with thermodynamic analysis of driving force for deposition in GaN MOVPE
K. Yoshimatsu, N. Okamoto, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18)   Aug 2016   
Contribution of lattice constraint to indium incorporation during coherent growth of InGaN
T. Tamura, A. Kusaba, Y. Kangawa, T. Ito, T. Suski, K. Kakimoto, A. Koukitu
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18)   Aug 2016   
MOCDV and CBE of GaAs1-xNx modeled by ab initio stabilities of (100) surfaces under As2, H2, and N2
H. VALENCIA, Y. Kangawa, K. Kakimoto
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18)   Aug 2016   
Thermodynamic analysis of In- and N-polar InN growth by metalorganic vapor phase epitaxy
A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi, A. Koukitu
35th Electronic Materials Symposium   Jul 2016   
4H-SiC再構成表面における初期酸化過程に関する研究
平山楓, 中村拓人, 村岡幸輔, 石井純子, 寒川 義裕, 黒木伸一郎, 内藤正路, 碇智徳
平成 28 年度九州表面・真空研究会 2016   Jun 2016   
InN(0001)面および(000-1)面MOVPE成長の熱力学解析
草場 彰, 寒川 義裕, 白石 賢二, 柿本 浩一, 纐纈明伯
第8回窒化物半導体結晶成長講演会   May 2016   
半導体材料の結晶成長〜表面反応に関して第一原理計算と熱力学解析の視点から〜 [Invited]
寒川 義裕
第29期CAMMフォーラム本例会   Jan 2016   
Thermodynamic analysis of InN metalorganic vapor phase epitaxy: influence of growth orientation and surface reconstruction
A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Kakimoto, K. Shiraishi, H. Amano, A. Koukitu
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE18)   2016   
Theoretical aspects in growth of In-rich InGaN [Invited]
Y. Kangawa, K. Kakimoto
SPIE 2015 Photonics West   Jan 2015   
Ab initio-based approach to surface reconstruction on InN(0001) during induced-pressure MOVPE
A. Kusaba, Y. Kangawa, Y. Honda, H. Amano, K. Kakimoto
The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)   2015   
InN加圧MOVPEにおけるファセット面制御によるポリタイプ制御
寒川 義裕, 柿本 浩一
第45回結晶成長国内会議   2015   
Relationship between stability of facet surfaces and incorporation of zinc-blende phase in InN during pressurized reactor MOVPE: A theoretical approach
A. Kusaba, Y. Kangawa, S. Krukowski, K. Kakimoto
Fifth European Conference on Crystal Growth (ECCG-5)   2015   
Development of in-situ observation system for high-temperature liquid/solid interfaces: application to solid-source solution growth of AlN
Y. Kangawa, H. Miyake, M. Bockowski, K. Kakimoto
Fifth European Conference on Crystal Growth (ECCG-5)   2015   
Development of in situ observation system for liquid/solid interface during solution growth of AlN
Y. Kangawa, H. Miyake, M. Bockowski, K. Kakimoto
Workshop on Ultra-Precision Processing for Wide Bandgap Semiconductors (WUPP2015)   2015   
窒化物半導体結晶成長用基板表面の第一原理計算による考察
寒川 義裕
日本学術振興会「ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会」第94回研究会   2015   
Surface Energy and Facet Formation in InN films grown by Pressurized-Reactor MOVPE
A. Kusaba, Y. Kangawa, S. Krukowski, T. Kimura, T. Tanikawa, R. Katayama, T. Matsuoka, K. Kakimoto
34th Electronic Materials Symposium (EMS-34)   2015   
InN加圧MOVPE成長における成長形と異相混入:表面エネルギーの理論解析
草場 彰, 寒川 義裕, 柿本 浩一
第7回窒化物半導体結晶成長講演会   2015   
AlN固体ソース溶液成長における固‐液界面形状のその場観察
草場 彰, 住吉 央朗, 寒川 義裕, 三宅 秀人, 柿本 浩一
第7回窒化物半導体結晶成長講演会   2015   
シードを用いた太陽電池用シリコンの結晶成長
柿本 浩一, GAO BING, LIU XIN, 中野 智, 原田 博文, 宮村 佳児, 関口 隆史, 寒川 義裕
第62回応用物理学会春季学術講演会   2015   
パワーデバイス用単結晶の結晶成長
柿本 浩一, GAO BING, LIU XIN, 中野 智, 西澤 伸一, 原田 博文, 宮村 佳児, 関口 隆史, 寒川 義裕
第62回応用物理学会春季学術講演会   2015   
SiC表面分解法によるステップ端近傍のグラフェン成長シミュレーション
土井 優太, 井口 綾佑, 河村 貴宏, 鈴木 泰之, 寒川 義裕, 柿本 浩一
第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)   2014   
分子動力学法によるらせん転位を含む4H-SiCの歪エネルギー解析
水谷充利, 河村 貴宏, 鈴木 泰之, 寒川 義裕, 柿本 浩一
第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)   2014   
化合物半導体エピタキシーにおける量子計算科学の展開
寒川義裕, 秋山 亨, 伊藤智徳, 白石賢二, 中山隆史
第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)   2014   
Theoretical approach to growth mechanisms of InN by vapor phase epitaxy
Y. Kangawa, K. Kakimoto
2nd Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors (IDGN-2)   2014   
CL studies of AlN/AlN(0001) grown by solid source solution growth method
H. Sumiyoshi, Y. Kangawa, S. F. Chichibu, M. Knetzger, E. Meissner, Y. Iwasaki, K. Kakimoto
International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN2014)   2014   
固体ソース溶液成長におけるAlN成長機構の解析
住吉央朗, 寒川義裕, 秩父重英, M. Knetzger, E. Meissner, 岩崎洋介, 柿本 浩一
第6回窒化物半導体結晶成長講演会   2014   
Theoretical study on structural stability of InN grown by pressurized-reactor MOVPE
Y. Kangawa, T. Hamada, T. Kimura, R. Katayama, T. Matsuoka, K. Kakimoto
33rd Electronic Materials Symposium   2014   
Structural Phase Diagram of InN by Pressurized-Reactor MOVPE: A Theoretical Study
Y. Kangawa, T. Hamada, T. Kimura, R. Katayama, T. Matsuoka, K. Kakimoto
The 5th International Conference on White LEDs and Solid State Lighting (WLED-5)   2014   
InN 加圧MOVPE 成長における立方晶混入メカニズム
寒川 義裕, 濱田 達郎, 木村 健司, 片山 竜二, 松岡 隆志, 柿本 浩一
2014年 第61回 応用物理学会春季学術講演会   2014   
電力変換の高効率化に向けた次世代パワーデバイス用AlN結晶の開発
寒川 義裕
九州大学共進化社会システム創成拠点フォーラム   2014   
固体ソース溶液成長法により作製したAlN の光学測定
寒川 義裕, 石川陽一, 田代公則, 古澤健太郎, 秩父重英, 柿本 浩一
第13回 東北大学多元物質科学研究所 研究発表会   2013   
InN高圧MOVPE成長における構造多形の制御に関する理論検討
濱田 達郎, 屋山 巴, 寒川 義裕, 柿本 浩一
平成25年度応用物理学会九州支部学術講演会   2013   
Influence of growth direction on threading dislocation annihilation process in AlN grown by 3SG method
H. Suetsugu, Y. Kangawa, S. Nagata, K. Kakimoto
6th KAIST-Kyushu University Symposium on Aerospace Engineering   2013   
Stabilities of GaAs(100) Surfaces under As2, H2, and N2 Conditions as a Model for Vapor-Phase Epitaxy of GaAs1-xNx: a First-Principles Study
VALENCIA HUBERT, 寒川 義裕, 柿本 浩一
第43回結晶成長国内会議(NCCG43)   2013   
Microstructure of AlN/AlN(0001) grown by solid-source solution growth (3SG) method
Y. Kangawa, S. Nagata, K. Kakimoto
8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)   2013   
Designing vicinal direction of SiC(0001) for epitaxial graphene growth
M. Inoue, Y. Kangawa, H. Kageshima, S. Tanaka, K. Kakimoto
The International Conference on?Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2013)   2013   
Dislocation propagation behavior in AlN grown by solid-source solution growth (3SG) method
Y. Kangawa, S. Nagata, B. M. Epelbaum, K. Kakimoto
JSAP-MRS Joint Symposia   2013   
Structural control of C clustering at SiC(0001) steps
M. Inoue, Y. Kangawa, H. Kageshima, K. Kakimoto
JSAP-MRS Joint Symposia   2013   
Investigation of growth process of MBE growth of GaN under Ga-rich conditions by molecular dynamics
T. Kawamura, H. Hayashi, M. Amekawa, Y. Suzuki, Y. Kangawa, K. Kakimoto
JSAP-MRS Joint Symposia   2013   
The orientation dependence of In incorporation of InGaN: The role of N-H layer
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto
JSAP-MRS Joint Symposia   2013   
The role of N-H molecular layer on the surface for high quality In-rich InGaN growth by MOVPE
T. Yayama, Y. Kangawa, K. Kakimoto
International Symposium on Innovative Materials for Processes in Energy Systems 2013 (IMPRES2013)   2013   
SiC表面分解法によるグラフェン成長の分子動力学シミュレーション
井口綾佑, 河村貴宏, 鈴木泰之, 井上仁人, 寒川義裕, 柿本 浩一
第74回応用物理学会秋季学術講演会   2013   
Structural controllability of C clusters by template effect of SiC step
M. Inoue, Y. Kangawa, H. Kageshima, K. Kakimoto
17th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-17)   2013   

Association Memberships

 
 

Research Grants & Projects

 
中核拠点
科学研究費補助金 (文部科学省): 省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発
Project Year: 2016 - 2020    Investigator(s): 天野浩
計算科学によるヘテロボンドの理論的材料設計
JSPS: 新学術領域研究(研究領域提案型)
Project Year: 2016 - 2020    Investigator(s): 伊藤智徳
大口径GaN基板の高品質・低コスト化を可能にする結晶径拡大成長技術の開発
その他: JST A-step
Project Year: 2018 - 2019    Investigator(s): 柴田真佐知
自己組織化による窒化アルミニウム結晶薄膜の創製
JSPS: 基盤研究(C)
Project Year: 2017 - 2019    Investigator(s): 寒川義裕
革新的高信頼性窒化物半導体パワーデバイスの開発と応用
その他: 戦略的国際共同研究プログラム(SICORP)
Project Year: 2016 - 2019    Investigator(s): 三宅秀人
窒化物半導体成長プロセスの基板面方位依存性
その他: 東北大学金属材料研究所研究部共同研究(一般研究)
Project Year: 2018 - 2018    Investigator(s): 寒川義裕
超高効率・低コストIII-V化合物太陽電池モジュールの研究開発(高効率・低コストIII-V/Siタンデム) 〜III-V-N系半導体における欠陥構造・特性の理論解析〜
産業技術研究助成事業 (経済産業省): NEDO高性能・高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発
Project Year: 2015 - 2017    Investigator(s): 山口真史
窒化アルミニウム粉末を原料とする窒化アルミニウム単結晶成長技術の開発
JSPS: 基盤研究(C)
Project Year: 2013 - 2015    Investigator(s): 寒川義裕
固体ソース溶液成長法により作製したAlNの光学測定(継続)
その他: 物質・デバイス領域共同研究拠点 共同研究
Project Year: 2014 - 2014    Investigator(s): 寒川義裕
InN高圧MOVPEにおける異相混入の抑制に関する理論検討
その他: 東北大学金属材料研究所研究部共同研究費
Project Year: 2014 - 2014    Investigator(s): 寒川義裕
固体窒素原料を用いた窒化アルミニウム溶液成長法の開発
JSPS: 二国間交流(特定国派遣研究者)
Project Year: 2014 - 2014    Investigator(s): 寒川義裕
ポストシリコン超高効率太陽電池の研究開発(集光型多接合) 〜III-V-N系半導体成長シミュレーターの研究開発(継続)〜
産業技術研究助成事業 (経済産業省): NEDO革新的太陽光発電技術研究開発(革新型太陽電池国際研究拠点整備事業)
Project Year: 2013 - 2014    Investigator(s): 山口真史
固体ソース溶液成長法により作製したAlNの光学測定
その他: 物質・デバイス領域共同研究拠点 共同研究
Project Year: 2013 - 2013    Investigator(s): 寒川義裕
高圧下における窒化インジウムの結晶成長機構の解明(継続)
その他: 東北大学金属材料研究所研究部共同研究費
Project Year: 2013 - 2013    Investigator(s): 寒川義裕
グラフェンナノ構造の作製と構造−物性相関
JSPS: 基盤研究(A)
Project Year: 2011 - 2013    Investigator(s): 田中悟
高圧下における窒化インジウムの結晶成長機構の解明
その他: 東北大学金属材料研究所研究部共同研究費
Project Year: 2012 - 2012    Investigator(s): 寒川義裕
ポストシリコン超高効率太陽電池の研究開発(集光型多接合) 〜III-V-N系半導体成長シミュレーターの研究開発〜
産業技術研究助成事業 (経済産業省): NEDO革新的太陽光発電技術研究開発(革新型太陽電池国際研究拠点整備事業)
Project Year: 2008 - 2012    Investigator(s): 山口真史
Fabrication of III-nitride substrate for optoelectronic integrated circuit and control of its heat transfer
JST Basic Research Programs (Precursory Research for Embryonic Science and Technology :PRESTO)
Project Year: 2008 - 2012
表面構造制御法開発による準安定立法晶III族窒化物半導体の創製と物性制御
JSPS: 基盤研究(B)
Project Year: 2008 - 2010    Investigator(s): 大鉢忠
超高効率太陽電池開発の加速・強化
科学技術振興調整費 (文部科学省): 革新的技術推進費
Project Year: 2009 - 2009    Investigator(s): 山口真史
動的電場・磁場を用いた新規結晶育成方法の創製
JSPS: 基盤研究(B)
Project Year: 2007 - 2009    Investigator(s): 柿本浩一
第3元素の占有個所を特定する結晶ナノ構造解析と機能特性発現の解明
JSPS: 基盤研究(B)
Project Year: 2005 - 2007    Investigator(s): 桑野範之
原料分子およびナノ結晶場制御によるAlNおよびAlGaN厚膜エピタキシー
JSPS: 基盤研究(B)
Project Year: 2003 - 2005    Investigator(s): 纐纈明伯
アルミ(Al)系窒化物半導体の大型基板結晶成長装置の開発
産業技術研究助成事業 (経済産業省): 大学発事業創出実用化研究開発事業費
Project Year: 2002 - 2004    Investigator(s): 纐纈明伯