福山敦彦 (Atsuhiko Fukuyama) - マイポータル

基本情報

所属: 宮崎大学工学教育研究部電子物理工学科担当教授

学位: 博士（工学）(東北大学)
修士（工学）(宮崎大学)
学士(宮崎大学)

J-GLOBAL ID: 200901018695134201
researchmap会員ID: 5000091604

外部リンク: http://www.cc.miyazaki-u.ac.jp/fukuyamalabo/

研究キーワード

ナノ・材料領域

研究分野

受賞

2016年11月

平成28年度(第8回)半導体材料・デバイスフォーラムポスター発表奨励賞フォトルミネッセンス法を用いた超格子構造中のキャリア輸送評価熊本高専半導体材料・デバイス研究部

魯家男, 武田秀明, 中村翼, 松落高輝, 鈴木秀俊, 碇哲雄, K. Toprasertpong, 杉山正和, 中野義昭, 福山敦彦
2015年11月

平成27年度(第7回)半導体材料・デバイスフォーラムポスター発表奨励賞無触媒MBE‐VLS成長したGaAsナノワイヤのSiドーピングによる結晶構造変化熊本高専半導体材料・デバイス研究部

岩元杏里, 中野真理菜, 杉原圭二, 大堀大介, 境健太郎, 本田善央, 山口雅史, 天野浩, 碇哲雄, 福山敦彦
2004年2月

第1回素材工学研究奨励賞財団法人素材工学研究会

福山敦彦
2003年4月

第2回船井情報科学奨励賞船井情報科学振興財団

福山敦彦
2002年6月

第15回安藤博記念学術奨励賞財団法人安藤研究所

福山敦彦

論文

207

Effect of strain relaxation layer insertion on carrier recombination and escaping process in superlattice solar cell structures using photoluminescence spectroscopy

T. Nakamura, A. Fukuyama, M. Sugiyama, T. Ikari

Journal of Physics D: Applied Physics 52 045104-1-045104-8 2018年11月20日査読有り
Optical properties of Si nanopillar/Si0.7Ge0.3 compsite film fabricated by using a neutral beam etching technique

N. Nishikawa, S. Takeichi, T. Hanada, S. Tategami, A. Fukuyama, T. Yoshitake

Proceedings of the 19th Int. Sympo. on Advanced Fluid Information 94-95 2018年11月7日査読有り
Minority carrier lifetimes in ultrananocrystalline diamond/hydrogenated amorphous carbon composite films

N. Nishikawa, S. Takeichi, T. Hanada, S. Tategami, A. Fukuyama, T. Yoshitake

Transactions of the Material Research Society of Japan 43(1) 49-52 2018年4月1日査読有り
Quantum confinement effect in lateral direction of GaAs nanodisk fabricated by neutral beam etching

N. Nishikawa, S. Takeichi, T. Hanada, S. Tategami, A. Fukuyama, T. Yoshitake

Proceedings of the 18th Int. Sympo. on Advanced Fluid Information 48-49 2017年11月1日査読有り
Effect of substrate orientation on strain relaxation mechanisms of InGaAs layer grown on vicinal GaAs substrates measured by in situ X-ray diffraction

Hidetoshi Suzuki, Takuo Sasaki, Masamitu Takahasi, Yoshio Ohshita, Nobuaki Kojima, Itaru Kamiya, Atsuhiko Fukuyama, Tetsuo Ikari, Masafumi Yamaguchi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(8) 08MA06-1-08MA06-5 2017年8月査読有り
Investigation of miniband formation and optical properties of strain-balanced InGaAs/GaAsP superlattice structure embedded in p–i–n GaAs solar cells

Fukuyama Atsuhiko, Matsuochi Kouki, Nakamura Tsubasa, Takeda Hideaki, Toprasertpong Kasidit, Sugiyama Masakazu, Nakano Yoshiaki, Suzuki Hidetoshi, Ikari Tetsuo

Japanese Journal of Applied Physics 56(8S2) 08MC07-1-08MC07-5 2017年7月査読有り
Photoluminescence emission from GaAs nanodisks in GaAs/AlGaAs nanopillar arrays fabricated by neutral beam etching

D. Ohori, A. Fukuyama, K. Sakai, A. Higo, C. Thomas, S. Samukawa, T. Ikari

Japanese Journal of Applied Physics 56(05) 050308-1-050308-4 2017年4月18日査読有り
Optical properties of miniband formed in the InGaAs/GaAs quantum well solar cells by means of photoreflectance, photoluminescence, and photothermal spectroscopies

A. Fukuyama, K. Matsuochi, T. Nakamura, H. Takeda, H. Suzuki, K. Toprasertpong, M. Sugiyama, Y. Nakano, T. Ikari

Nanotechnology Materials and Devices Conference, NMDC 2016 - Conference Proceedings 2016年12月7日査読有り
Radiative carrier recombination process in GaAs ND fabricated by bio-template and neutral beam etching embedded by AlGaAs

A. Iwamoto, D. Ohori, Cedric Thomas, A. Higo, S. Samukawa, T. Ikari, A. Fukuyama

Proceedings of the 17th Int. Symo. on Advanced Fluid Information 16-17 2016年12月1日
Piezoelectric photothermal detection of the mini-band edge energies of strain-balanced InGaAs/GaAsP superlattice structures

T. Ikari, A. Fukuyama, T. Nakamura, M. Sugiyama, Y. Nakano

Proceedings of Symposium on Ultrasonic Electronics 37 3P1-3P7 2016年12月1日査読有り
Cross-sectional transmission electron microscope observation of Si clathrate thin films grown on Si (111) substrates

K. Sakai, H. Takeshita, T. Haraguchi, H. Suzuki, F. Ohashi, T. Kume, A. Fukuyama, S. Nonomura, T. Ikari

Thin Solid Films 621 32-35 2016年11月12日査読有り
Optical properties of quantum energies in GaAs quantum nanodisks produced using a bio-nanotemplate and a neutral beam etching technique

Daisuke Ohori, Atsuhiko Fukuyama, Cedric Thomas, Akio Higo, Seiji Samukawa, Tetsuo Ikari

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(9) 092101-1-092101-4 2016年9月査読有り
Observation of mini-band formation in the ground and high-energy electronic states of super-lattice solar cells

T. Usuki, K. Matsuochi, T. Nakamura, K. Toprasertpong, A. Fukuyama, M. Sugiyama, Y. Nakano, T. Ikari

Proceedings of SPIE 9743 974312-1-974312-8 2016年4月1日査読有り
Thin film of guest-free type-II silicon clathrate on Si(111) wafer

T. Kume, F. Ohashi, K. Sakai, A. Fukuyama, M. Imai, H. Udono, T. Ban, H. Habuchi, H. Suzuki, T. Ikari, S. Sasaki, S. Nonomura

Thin Solid Films 609 30-34 2016年1月15日査読有り
Control of hydrogen and carbon impurity inclusion during the growth of GaAsN thin film by atomic layer epitaxy

Yuki Yokoyama, Atsuhiko Fukuyama, Tomohiro Haraguchi, Toshihiro Yamauchi, Tetsuo Ikari, Hidetoshi Suzuki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(1) 01AC06-1-01AC06-4 2016年1月査読有り
Effect of Built-in Electric Field on Miniband Structure and Carrier Nonradiative Recombination in InGaAs/GaAsP Superlattice Investigated Using Photoreflectance and Photoluminescence Spectroscopy

Tsubasa Nakamura, Kouki Matsuochi, Hidetoshi Suzuki, Tetsuo Ikari, Kasidit Toprasertpong, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Atsuhiko Fukuyama

Energy Procedia 102 121-125 2016年査読有り
Photoluminescence study on GaAs quantum nanodisk array fabricated by bio-nano-template and neutral beam etching

D. Ohori, K. Kondo, C. Thomas, A. Higo, S. Samukawa, A. Fukuyama, T. Ikari

Proceedings of the 15th Int. Symo. on Advanced Fluid Information 98-99 2015年12月1日
Zinc-blende and wurtzite phase separation in catalyst-free molecular beam epitaxy vapor-liquid-solid-grown Si-doped GaAs nanowires on a Si(111) substrate induced by Si doping

Akio Suzuki, Atsuhiko Fukuyama, Hidetoshi Suzuki, Kentaro Sakai, Ji-Hyun Paek, Masahito Yamaguchi, Tetsuo Ikari

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(3) 035001-1-035001-5 2015年3月査読有り
Effect of number of stack on the thermal escape and non-radiative and radiative recombinations of photoexcited carriers in strain-balanced InGaAs/GaAsP multiple quantum-well-inserted solar cells

Taketo Aihara, Atsuhiko Fukuyama, Hidetoshi Suzuki, Hiromasa Fujii, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Tetsuo Ikari

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 117(8) 084307-1-084307-6 2015年2月査読有り
Effect of preheating time on uniformity of electrodeposited Cu2ZnSnS4 thin films studied by carrier lifetime and photoluminescence measurements

T. Hamada, A. Fukuyama, F. Jiang, S. Ikeda, T. Ikari

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 12, NO 6 12(6) 725-728 2015年査読有り

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MISC

n-およびp-Si基板のライフタイムと光照射時のキャリアタイプ反転による太陽電池特性への影響

高内健二郎, 立神秀弥, 松田真輝, 碇哲雄, 西岡賢祐, 福山敦彦

宮崎大学工学部紀要 47 73-76 2018年7月1日
集光照射によるSiおよびGaAs基板のHall移動度変化と太陽電池特性への影響

松田真輝, 立神秀弥, 高内健二郎, 碇哲雄, 西岡賢祐, 福山敦彦

宮崎大学工学部紀要 47 77-82 2018年7月1日
擬似太陽光照射による単結晶Siのキャリア移動度変化と太陽電池特性への影響

立神秀弥, 徳田直樹, 高内健二郎, 碇哲雄, 西岡賢祐, 福山敦彦

宮崎大学工学部紀要 46 95-99 2017年7月1日
SPV法を用いたGaAs歪緩和挿入InGaAs/GaAsP系量子井戸太陽電池のキャリア輸送評価

武田秀明, 中村翼, 魯家男, K. Toprasertpong, 杉山正和, 碇哲雄, 福山敦彦

宮崎大学工学部紀要 46 89-94 2017年7月1日
液滴エピタキシー法により作製したGaAs QDsの発光再結合特性

杉原圭二, 中野真理菜, 岩元杏里, 大堀大介, 本田善央, 天野浩, 碇哲雄, 福山敦彦

宮崎大学工学部紀要 46 85-88 2017年7月1日
InGaAs/GaAsP系量子井戸太陽電池におけるミニバンド形成過程とその光学的評価

松落高輝, 中村翼, 武田秀明, K. Toprasertpong, 杉山正和, 中野義昭, 碇哲雄, 福山敦彦

宮崎大学工学部紀要 45 119-124 2016年7月1日
GaAsN薄膜の原子層エピタキシー成長におけるドーパンドSi供給順序が電気特性に与える影響

堀切将, 横山祐貴, 鈴木秀俊, 碇哲雄, 福山敦彦

宮崎大学工学部紀要 45 115-118 2016年7月1日
擬似太陽光照射による単結晶Siのキャリア移動度の変化と太陽電池特性への影響

徳田直樹, 立神秀弥, 李垚, 碇哲雄, 西岡賢祐, 福山敦彦

宮崎大学工学部紀要 45 111-114 2016年7月1日
フォトルミネッセンス法による加工Si基板上半極性(1-101)面GaN薄膜の発光再結合特性評価

杉原圭二, 中野真理菜, 岩元杏里, 大堀大介, 本田善央, 天野浩, 碇哲雄, 福山敦彦

宮崎大学工学部紀要 45 105-110 2016年7月1日
圧電素子光熱変換分光法を用いた多接合太陽電池におけるキャリア再結合断面プロファイル測定

福山敦彦, 杉本泰士, 村上匠, 相原健人, 碇哲雄

超音波TECHNO 27(4) 66-71 2015年7月15日
場所選択加工したSi基板を用いたGaAs-NWsの成長

原田一徹, 河瀨平雅, 鈴木秀俊, 福山敦彦, 碇哲雄

宮崎大学工学部紀要 44 5-8 2015年7月1日
温度変化I-V測定によるAlGaAs/GaAs単一量子井戸からのキャリア熱脱出過程の評価

村上匠, 倉留弘憲, 杉本泰士, 相原健人, 福山敦彦, 碇哲雄

宮崎大学工学部紀要 44 1-4 2015年7月1日
非発光再結合検出による量子ナノ構造太陽電池材料評価

福山敦彦, 杉山正和, 中野義昭, 碇哲雄

日本結晶成長学会誌 41(2) 50-57 2014年9月1日
量子井戸太陽電池におけるキャリアの非発光再結合および輸送特性

杉本泰士, 相原健人, 杉山正和, 中野義昭, 福山敦彦, 碇哲雄

宮崎大学工学部紀要 43 17-20 2014年8月1日
Si(111)表面へのIII族供給によるGaAs薄膜中の回転双晶軽減

伊東大樹, 太刀掛弘晃, 鈴木秀俊, 福山敦彦, 碇哲雄

宮崎大学工学部紀要 42 19-22 2013年8月1日
PR及びPL法によるシリコン基板上に成長させた窒化ガリウムの光学的特性に対する歪みの影響

元田雄太郎, 鈴木章生, 大堀大介, 福山敦彦, 本田善央, 山口雅史, 天野浩, 碇哲雄

宮崎大学工学部紀要 42(42) 23-26 2013年8月1日
原料供給シーケンスの違いが原子層エピタキシー法によるGaAsN薄膜成長に与える影響

芳賀章博, 貞任萌, 原口智宏, 鈴木秀俊, 福山敦彦, 尾関雅志, 碇哲雄

宮崎大学工学部紀要 42 27-30 2013年8月1日
PPT法を用いた多結晶p-nシリコンの結晶粒界割合と発電特性に関する研究

石橋大輔, 佐藤洋平, 福山敦彦, 碇哲雄

宮崎大学工学部紀要 41 13-16 2012年7月1日
PPT法とPL法を用いたダイヤモンド様炭素の光学ギャップ温度依存性の研究

丁文, 中野陽介, 境健太郎, 福山敦彦, 碇哲雄

宮崎大学工学部紀要 41 9-12 2012年7月1日
N添加によるGaAsN薄膜のバンド構造変化とバンド反交差モデルの比較

牟田口和真, 境健太郎, 福山敦彦, 碇哲雄

宮崎大学工学部紀要 39 29-34 2010年9月

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書籍等出版物

微結晶シリコン太陽電池の光学的性質

碇哲雄, 福山敦彦 (担当:共著)

シーエムシー 2009年7月24日 (ISBN: 9784781301341)
LED革新のための最新技術と展望

福山敦彦

情報機構 2008年11月14日 (ISBN: 9784904080092)
Nonradiative Investigation of Impurity and Defect Levels in Si and GaAsby Piezoelectric Photo-acoustic Spectroscopy

T. Ikari, A. Fukuyama (担当:共著, 範囲:第５章を分担執筆)

SPIE Press (Washington, USA) Total 353 page (分担) 145-174 page 2000年6月

所属学協会

産業財産権

特願2014-245861 光電変換素子および光電変換素子の製造方法

福山敦彦, 雨堤耕史, 喜井浩紀
特許第4938960 光電変換装置の製造方法及び光電変換装置

碇哲雄, 福山敦彦, 境健太郎, 小林靖之, 山下信樹, 米倉義道