小林清輝 (Kiyoteru Kobayashi) - マイポータル

基本情報

所属: 電子科学株式会社応用研究室室長

学位: 博士（工学）(名古屋大学)

連絡先: kobayashiescoltd.co.jp
J-GLOBAL ID: 200901040955350642
researchmap会員ID: 5000094959

研究キーワード

研究分野

経歴

2024年4月 - 現在

電子科学株式会社, 応用研究室, 室長 (博士（工学）)
2005年4月 - 2024年3月

東海大学, 工学部, 教授 (博士（工学）)
2003年4月 - 2005年3月

株式会社ルネサステクノロジ, グループマネージャー (博士（工学）)
1983年4月 - 2003年3月

三菱電機株式会社, グループマネージャー (博士（工学）)

学歴

1997年3月 - 1997年3月

名古屋大学, 大学院工学研究科結晶材料工学専攻より博士（工学）の学位を授与
1981年4月 - 1983年3月

名古屋大学大学院, 工学研究科, 応用物理学専攻前期課程
1977年4月 - 1981年3月

名古屋大学, 工学部, 応用物理学科

委員歴

2007年 - 現在

電気化学会電子材料委員会, 副委員長
2023年3月 - 2024年3月

第87回半導体・集積回路技術シンポジウムプログラム委員会, 委員長
2020年 - 2024年3月

日本学術振興会R025先進薄膜界面機能創成委員会, 委員
2011年 - 2024年3月

私立大学情報教育協会ＣＣＣ電気通信工学グループ運営委員会, 運営委員
2021年 - 2022年

ISCSI-IX (9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces) 国際プログラム委員会, 委員
2021年 - 2022年

第86回半導体・集積回路技術シンポジウム論文委員会, 委員長
2020年 - 2021年

第85回半導体・集積回路技術シンポジウム論文委員会, 委員長
2020年 - 2020年

第84回半導体・集積回路技術シンポジウム論文委員会, 委員長
2019年 - 2020年

PRiME 2020, Symposium:H06 - Nonvolatile Memories and Artificial Neural Networks, Symposium organizer
2006年 - 2020年

半導体界面制御技術第154委員会, 委員
2018年 - 2019年

第83回半導体・集積回路技術シンポジウム実行委員会, 委員長
2017年 - 2018年

AiMES 2018 (Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science 2018), Symposium: D04 Nonvolatile Memories 6, Symposium organizer
2017年 - 2018年

第82回半導体・集積回路技術シンポジウム実行委員会, 委員長
2009年 - 2011年

2011 Int. Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE DEVICESプログラム委員会, 委員
2009年 - 2010年

第74回半導体・集積回路技術シンポジウムプログラム委員会, 委員長
2010年

6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, International Technical Program Committee, International Technical Program Committee member
2007年 - 2008年

第72回半導体・集積回路技術シンポジウムプログラム委員会, 委員長
2006年 - 2007年

5th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces組織委員会, 委員

論文

Characterization of Hydrogen Desorption and Charge Traps in Silicon Nitride Films

Kiyoteru Kobayashi, Kenshi Kimoto

2024年12月9日
Influence of high-temperature thermal annealing on paramagnetic point defects in silicon-rich silicon nitride films formed in a single-wafer-type low-pressure chemical vapor deposition reactor

Kiyoteru Kobayashi, Ryo Miyauchi, Kenshi Kimoto

Journal of Vacuum Science & Technology A 2024年9月1日
Electrical analysis of energy depth of electron trap states in silicon nitride films for charge-trap flash memory application

Kiyoteru Kobayashi, Soichiro Nakagawa

2021 IEEE 16th Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC) 2021年12月12日査読有り筆頭著者責任著者
Hole trapping capability of silicon carbonitride charge trap layers

Kiyoteru Kobayashi, Hiroshi Mino

EPJ Applied Physics 91(1) 2020年7月1日査読有り筆頭著者責任著者
First-principles study of defect levels caused by transition metal atoms in silicon nitride for non-volatile memory applications

R. Agrawal, K. Kobayashi

ECS Transactions 98(8) 65-75 2020年査読有り責任著者
Experimental Extraction of the Charge Centroid of Holes Trapped in Metal-OxideNitride-Oxide-Semiconductor Memories

H. Mino, K. Kobayashi

ECS Transactions 86(3) 23-32 2018年9月査読有り責任著者
Hole trapping characteristics of silicon carbonitride (SiCN)-based charge trapping memories evaluated by the constant-current carrier injection method

Sheikh Rashel Al Ahmed, Kaihei Kato, Kiyoteru Kobayashi

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 70 265-271 2017年11月査読有り責任著者
Extraction of energy distribution of electrons trapped in silicon carbonitride (SiCN) charge trapping films

Sheikh Rashel Al Ahmed, Kiyoteru Kobayashi

IEICE Transactions on Electronics E100C(7) 662-668 2017年7月1日査読有り責任著者
Evaluation of hole trapping characteristics in MONOS-type memories using the constant-current carrier injection method

K. Kato, S. R.A. Ahmed, K. Kobayashi

ECS Transactions 75(32) 73-82 2017年査読有り責任著者
Experimental extraction of the charge centroid in SiCN-based charge trapping memories using the constant-current carrier injection method

S. R.A. Ahmed, K. Kato, K. Kobayashi

ECS Transactions 75(32) 51-62 2016年査読有り責任著者
Characterization of low-dielectric constant silicon carbonitride (SiCN) dielectric films for charge trapping nonvolatile memories

S. R.A. Ahmed, S. Naito, K. Kobayashi

ECS Transactions 69(3) 99-109 2015年査読有り責任著者
Thermal stability of paramagnetic defect centers in amorphous silicon nitride films

Kiyoteru Kobayashi, Aran Suzuki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(5) 2014年5月査読有り筆頭著者責任著者
Thermal annealing effect on ultraviolet-light-induced leakage current in low-pressure chemical vapor deposited silicon nitride films

Kiyoteru Kobayashi, Aran Suzuki, Kokichi Ishikawa

THIN SOLID FILMS 550 545-553 2014年1月査読有り筆頭著者責任著者
金属電極の仕事関数がシリコン窒化膜の紫外線照射後の伝導電流に及ぼす影響

鈴木亜嵐, 小林清輝

Journal of the Vacuum Society of Japan 57(5) 197-199 2014年査読有り責任著者
Charge Trapping Properties of Silicon Carbonitride Storage Layers for Nonvolatile Memories

K. Kobayashi, S. Naito, S. Tanaka, Y. Ito

ECS Transactions 64(14) 85-92 2014年査読有り筆頭著者責任著者
Low-Dielectric Constant SiCN Charge Trapping Layer for Nonvolatile Memory Applications

Kiyoteru Kobayashi, Shinji Naito, Shuichi Nakiri, Yoshina Ito

ECS Transactions 58(5) 81-90 2013年査読有り筆頭著者責任著者
Effectiveness of Dimethyl Carbonate and Dipivaloyl Methane Chemicals for Internal Repair of Plasma-Damaged Low-k Films

Shuji Nagano, Kaoru Sakoda, Satoshi Hasaka, Kiyoteru Kobayashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50(5) 2011年5月査読有り
Ultraviolet Light-Induced Conduction Current in Silicon Nitride Films

Kiyoteru Kobayashi, Kokichi Ishikawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50(3) 2011年3月査読有り筆頭著者責任著者
Conduction Currents and Paramagnetic Defect Centers in UV-Illuminated Silicon Nitride Films

K. Kobayashi, K. Ishikawa

ECS Transactions 41(3) 401-414 2011年査読有り筆頭著者責任著者
Oxygen distribution in nickel silicide films analyzed by time-of-flight secondary ion mass spectrometry

Kiyoteru Kobayashi, Hiroaki Watanabe, Kazuyoshi Maekawa, Keiichiro Kashihara, Tadashi Yamaguchi, Koyu Asai, Yukinori Hirose

MICRON 41(5) 412-415 2010年7月査読有り筆頭著者責任著者

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MISC

Internal repair for plasma damaged low-k films by methylating chemical vapor

Shuji Nagano, Kaoru Sakoda, Satoshi Hasaka, Kiyoteru Kobayashi

Advanced Metallization Conference (AMC) 33-34 2010年12月1日
Depth profile analysis of nickel silicide films using time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS)

Kiyoteru Kobayashi, Hitoshi Aoyagi, Hiroaki Kuwabara, Kazuyoshi Maekawa, Keiichiro Kashihara, Tadashi Yamaguchi, Koyu Asai, Kazuhito Honda, Yukinori Hirose

Semiconductor Technology, ISTC2007 - Proceedings of the 6th International Conference on Semiconductor Technology 538-545 2006年12月1日
Impact of nitridation engineering on microscopic SILC characteristics of sub-10-nm tunnel dielectrics

T Ogata, M Inoue, T Nakamura, N Tsuji, K Kobayashi, K Kawase, H Kurokawa, T Kaneoka, Y Ohno, H Miyoshi

INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING 1998 - TECHNICAL DIGEST 597-600 1998年
Highly Reliable SiO_2 Films Formed by UV-O_2 Oxidation

TERAMOTO Akinobu, KOBAYASHI Kiyoteru, OHNO Yoshikazu, HIRAYAMA Makoto

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 1997 14-15 1997年9月16日
Degradation of the characteristics of p(+) poly MOS capacitors with NO nitrided gate oxide due to postnitrogen annealing

MK Mazumder, A Teramoto, K Kobayashi, M Sekine, S Kawazu, H Koyama

1997 IEEE INTERNATIONAL INTEGRATED RELIABILITY WORKSHOP FINAL REPORT 142-143 1997年
Temperature dependence of TDDB characteristics of thin SiO2 film for flash memory

M Katsumata, A Teramoto, K Kobayashi, MK Mazumder, M Sekine, H Koyama

PROCEEDINGS OF THE 1997 6TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE PHYSICAL & FAILURE ANALYSIS OF INTEGRATED CIRCUITS 152-155 1997年
UV-O_2酸化による高信頼ゲート酸化膜の形成

寺本章伸, 鹿間省三, 小林清輝, 松井安次, 平山誠

半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集 51 84-89 1996年12月5日
高信頼トンネル酸化膜形成技術 (特集"半導体")

寺本章伸, 小林清輝, 梅田浩司

三菱電機技報 70(3) 317-321 1996年3月
Effect of N2O or NO annealing of wet oxide at different times on TDDB characteristics

MK Mazumder, A Teramoto, K Kobayashi, M Katsumata, Y Mashiko, M Sekine, H Koyama, A Yasuoka

1996 INTERNATIONAL INTEGRATED RELIABILITY WORKSHOP FINAL REPORT 125-133 1996年
The impact of high pressure dry O-2 oxidation on sub-quarter micron planarized LOCOS

T Yamashita, T Kuroi, T Uchida, S Komori, K Kobayashi, M Inuishi, H Miyoshi

IEDM - INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, TECHNICAL DIGEST 1996 821-824 1996年
High reliability of nanometer-range N2O-nitrided oxides due to suppressing hole injection

K Kobayashi, A Teramoto, T Nakamura, H Watanabe, H Kurokawa, Y Matsui, M Hirayama

IEDM - INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, TECHNICAL DIGEST 1996 335-338 1996年
RELIABILITY EVALUATION OF THIN GATE OXIDE USING A FLAT CAPACITOR TEST STRUCTURE

M KATSUMATA, J MITSUHASHI, K KOBAYASHI, Y MASHIKO, H KOYAMA

ICMTS 1995 - PROCEEDINGS OF THE 1995 INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONIC TEST STRUCTURES 103-106 1995年
熱酸化膜のTDDB特性における面積及び膜厚依存性

寺本章伸, 小林清輝, 平山誠

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 94(180) 29-34 1994年7月25日
Simulation of plastic deformation of silicon during thermal oxidation

T. Uchida, N. Kotani, K. Kobayashi, Y. Mashiko, N. Tsubouchi

Technical Digest - International Electron Devices Meeting 315-318 1993年12月1日
薄い酸化膜の極微小電流測定による信頼性評価

勝又正文, 杉本拡光, 小林清輝, 三橋順一

電子情報通信学会技術研究報告. R, 信頼性 93(334) 21-25 1993年11月19日
Low-temperature (625°C) silicon epitaxial growth on silicon substrates heated-up in SiH4 atmosphere

K. Kobayashi, K. Fukumoto, T. Katayama, T. Higaki, H. Abe

Conference on Solid State Devices and Materials 17-19 1992年
Dielectric breakdown and current conduction of oxide/nitride/oxide multi-layer structures

K. Kobayashi, H. Miyatake, J. Mitsuhashi, M. Hirayama, T. Higaki, H. Abe

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology 119-120 1990年
RELIABILITY OF SIO2 SI3N4 DIELECTRIC FILMS ON MOSI2 AND WSI2

Y OHNO, A OHSAKI, OGOH, I, K KOBAYASHI, M HIRAYAMA, T KATO

1989 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY 23-24 1989年
DOUBLE STACKED CAPACITOR WITH SELF-ALIGNED POLY SOURCE/DRAIN TRANSISTOR (DSP) CELL FOR MEGABIT DRAM.

K. Tsukamoto, M. Shimizu, M. Inuishi, Y. Matsuda, H. Oda, H. Morita, M. Nakajima, K. Kobayashi, Y. Mashiko, Y. Akasaka

Technical Digest - International Electron Devices Meeting 328-331 1987年12月1日

書籍等出版物

集積回路のための半導体デバイス工学

小林清輝

コロナ社 2018年4月 (ISBN: 9784339009095)
ECS Transactions, Volume 75, Issue 32, PRiME 2016/230th ECS Meeting, October 2, 2016 - October 7, 2016, Honolulu, Nonvolatile Memories 5

小林清輝 (担当:共編者(共編著者), 範囲:Issue 32)

The Electrochemical Society 2017年1月
ECS Transactions Volume 69, Issue 3 228th ECS Meeting October 11, 2015 - October 15, 2015 Phoenix, AZ Nonvolatile Memories 4

小林清輝 (担当:共編者(共編著者), 範囲:Issue 3)

The Electrochemical Society 2015年10月
ECS Transactions Volume 64 Cancun, Mexico, October 5 – 9, 2014 2014 ECS and SMEQ Joint International Meeting

小林清輝 (担当:共編者(共編著者), 範囲:Issue 14, pp.101-131)

The Electrochemical Society 2014年10月
電気化学便覧第6版

小林清輝 (担当:共編者(共編著者), 範囲:19章電子・情報材料)

丸善 2013年1月
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Volume 48, Number 5, May 2009, Special Issue Dielectric Thin Films for Future ULSI Devices: Science and Technology

小林清輝 (担当:共編者(共編著者), 範囲:05DA01-1 to 05DF03-4)

The Japan Society of Applied Physics 2009年5月
2004 半導体テクノロジー大全

小林清輝 (担当:分担執筆, 範囲:第４編第１２章第７節「W-CVD技術と装置・材料」)

株式会社電子ジャーナル 2004年4月

講演・口頭発表等

First-Principles Calculation for Defect Levels of 3d Transition Metals Doped in Silicon Nitride

Yuta Nishigaki, Kiyoteru Kobayashi

2022 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2022年9月5日
Determination of charge centroid locations of electrons and holes trapped in silicon nitride charge-trap layers

K. Kobayashi, A. Matsumoto

Asia Pacific Society for Materials Research 2021 Annual Meeting 2021年8月招待有り
Determination of Charge Centroid and Density of Holes Trapped in Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor-type Non-Volatile Memory Devices

K. Kobayashi

Abstracts of 28th International Conference on Amorphous and Nano-crystalline Semiconductors (ICANS) 2019年8月
Determination of the Charge Centroid of Holes Trapped in MONOS-Type Memories at High Gate Voltages,

H. Mino, K. Kobayashi

18th Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS 2018) 2018年10月
Experimental Extraction of the Charge Centroid of Holes Trapped in Metal-OxideNitride-Oxide-Semiconductor Memories

H. Mino, K. Kobayashi

Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science 2018年10月
Hole trapping characteristics of SiCN-based charge trapping memories using the constant-current carrier injection method

S. R. A. Ahmed, S. Tanaka, K. Kobayashi

The 7th Inter. Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-7) 2016年
Hole Trapping Characteristics of Nitride-Based Charge Trapping Memories Using the Constant-Current Carrier Injection Method

S. R. A. Ahmed, S. Tanaka, K. Kobayashi

Extended Abstracts of 2011 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ULSI DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY (2015 IWDTF) 2015年
Influence of the Work Function of Metal Gate Electrodes on UV-Light-Induced Conduction Current through Silicon Nitride Films

A. Suzuki, K. Kobayashi

International Union of Materials Research Societies–International Conference on Electronic Materials 2014 (IUMRS-ICEM 2014) 2014年
Application of Silicon Carbonitride Dielectric Films to Charge Trapping Nonvolatile Memories

S. Naito, Y. Ito, K. Kobayashi

International Union of Materials Research Societies–International Conference on Electronic Materials 2014 (IUMRS-ICEM 2014) 2014年
Mechanism of Charge Transport in UV-Illuminated Silicon Nitride Films

K. Kobayashi, K. Ishikawa

Abstracts of 2012 International Conference on Small Science (ICSS) 2012年招待有り
Internal Repair for Plasma Damaged Low-k Films by Methylating Chemical Vapor

Shuji Nagano, Kaoru Sakoda, Satoshi Hasaka, Kiyoteru Kobayashi

Advanced Metallization Conference 2010 2010年12月1日
Photoinduced leakage currents and paramagnetic defects in amorphous SiCN and Si3N4 dielectrics for ULSI applications

K. Kobayashi

Asia Pacific INTERFINISH 2010 2010年招待有り
Photoinduced Leakage Current in SiCN Dielectrics for Copper Diffusion Barriers

T. Ide, K. Kobayashi

Advanced Metallization Conference 2009: Asian Session 2009年
Characterization of Defects Generated in SiCN Dielectrics for Copper Diffusion Barriers

T. Ide, Y. Takahashi, K. Kobayashi

Advanced Metallization Conference 2008: Asian Session 2008年
Oxygen Distribution in Nickel Silicide Films Analyzed by Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry

K. Kobayashi, H. Watanabe, H. Kuwabara, K. Maekawa, K. Kashihara, T. Yamaguchi, K. Asai, K. Honda, Y. Hirose

Advanced Metallization Conference 2007 2007年
Leakage Current and Paramagnetic Defects in SiCN Dielectrics for Copper Diffusion Barrier

Extended Abstracts of Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces - for Next Generation ULSI Process Integrations - 2007年
Depth profile analysis of nickel silicide films using time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS)

Kiyoteru Kobayashi, Hitoshi Aoyagi, Hiroaki Kuwabara, Kazuyoshi Maekawa, Keiichiro Kashihara, Tadashi Yamaguchi, Koyu Asai, Kazuhito Honda, Yukinori Hirose

Semiconductor Technology, ISTC2007 - Proceedings of the 6th International Conference on Semiconductor Technology 2006年12月1日
Impact of nitridation engineering on microscopic SILC characteristics of sub-10-nm tunnel dielectrics

T. Ogata, M. Inoue, T. Nakamura, N. Tsuji, K. Kobayashi, K. Kawase, H. Kurokawa, T. Kaneoka, Y. Ohno, H. Miyoshi

Technical Digest - International Electron Devices Meeting 1998年12月1日
Temperature dependence of TDDB characteristics of thin SiO<inf>2</inf>film for flash memory

M. Katsumata, A. Teramoto, K. Kobayashi, M. K. Mazumder, M. Sekine, H. Koyama

Proceedings of the International Symposium on the Physical Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA 1997年12月
Degradation of the characteristics of p⁺poly MOS capacitors with NO nitrided gate oxide due to post nitrogen annealing

M. K. Mazumder, A. Teramoto, K. Kobayashi, M. Sekine, S. Kawazu, H. Koyama

International Integrated Reliability Workshop Final Report 1997年12月1日

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担当経験のある科目(授業)

2022年 - 現在

アナログ電子回路 (東海大学工学部電気電子工学科)
2020年10月 - 現在

集積回路工学 (東海大学工学部電気電子工学科)
2020年4月 - 現在

半導体工学1 (東海大学工学部電気電子工学科)
2019年10月 - 現在

量子力学の基礎 (東海大学工学部電気電子工学科)
2016年4月 - 現在

固体物性基礎特論 (東海大学大学院工学研究科電気電子工学専攻)
2012年4月 - 現在

集積回路プロセス (東海大学工学部電気電子工学科)
2012年4月 - 現在

ディジタル電子回路 (東海大学工学部電気電子工学科)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

電荷捕獲膜のトラップ準位のエネルギー分布制御に関する研究

科学研究費補助金基盤研究(C) 2018年4月 - 2021年3月

小林清輝
低誘電率絶縁膜の電荷捕獲メモリへの応用に関する研究

科学研究費補助金基盤研究(C) 2014年4月 - 2017年3月

小林清輝
不揮発性メモリ用絶縁膜の電荷トラップに関する研究

日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究(C) 基盤研究(C) 2009年4月 - 2012年3月

小林清輝

小林清輝

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学歴

委員歴

論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

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