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西方 督

ニシカタ ススム  (Susumu Nishikata)
更新日: 2008/02/15
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  • 共同研究・競争的資金等の研究課題

基本情報

所属
旧所属 東北大学 金属材料研究所 結晶物理学研究部門 大学院生（博士課程）
J-GLOBAL ID
200901062016015362
researchmap会員ID
5000097037

研究キーワード

  8
  • 薄膜 
  • エピタキシャル成長 
  • 水素終端シリコン（111） 
  • ペンタセン 
  • thin films 
  • epitaxial growth 
  • H-Si(111) 
  • pentacene 

研究分野

  3
  • ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /  
  • ナノテク・材料 / 結晶工学 /  
  • ナノテク・材料 / 応用物性 /  

共同研究・競争的資金等の研究課題

  2
  • H-Si(111)表面上でのペンタセン薄膜結晶の低速電子線顕微鏡観察 
    その他の研究制度 2004年 - 2006年
  • Low energy electron microscopic observation of pentacene thin film crystals on a H-Si(111) surface 
    The Other Research Programs 2004年 - 2006年

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