河原塚篤 (Atsushi Kawaharazuka) - マイポータル

基本情報

所属: 早稲田大学理工学術院主任研究員（研究院准教授）

学位: 博士（工学）(早稲田大学)

J-GLOBAL ID: 200901028713557498
researchmap会員ID: 5000097924

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

経歴

2007年 - 2008年

Associate Professor, Institute for Biomedical Engineering
2005年 - 2008年

早稲田大学生命医療工学研究所講師、准教授
2008年

- 早稲田大学高等研究所准教授
2008年

- Associate Professor
2004年 - 2007年

Lecturer, Institute for Biomedical Engineering,
2001年 - 2005年

ポール・ドゥルーデ固体電子工学研究所（ドイツ・ベルリン）博士研究員
2001年 - 2004年

Postdoctoral Fellow
2000年 - 2001年

早稲田大学理工学部助手
2000年 - 2001年

Assistant Professor
2001年

早稲田大学材料技術研究所研究助手
2001年

Research Assistant
早稲田大学, 理工学部
早稲田大学
Kagami Memorial Laboratory for Materials Science and Technology
Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Berlin GERMANY
Consolidated Research Institute for Advanced Science and Medical Care (ASMeW), Waseda University
by molecular beam epitaxy
Research on the crystal growth of GaN and ZnO based wide-gap semiconductors
Waseda Institute for Advanced Study (WIAS), Waseda University

学歴

- 2001年

早稲田大学, 理工学研究科, 電気工学
- 2001年

早稲田大学
- 1997年

早稲田大学, 理工学部, 電気電子情報工学科
- 1997年

WasedaUniversity, Faculty of Science and Engineering, Electrical, Electronic and Information Engineering

MISC

Effect of the MgO substrate on the growth of GaN

R. Suzuki, A. Kawaharazuka, Y. Horikoshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311(7) 2021-2024 2009年3月
Growth of GaN with warm ammonia by molecular beam epitaxy

A. Kawaharazuka, T. Yoshizaki, K. H. Ploog, Y. Horikoshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311(7) 2025-2028 2009年3月
RHEED intensity oscillation of C(60) growth on GaAs substrates

J. Nishinaga, A. Kawaharazuka, Y. Horikoshi

APPLIED SURFACE SCIENCE 255(3) 682-684 2008年11月
Area-selective epitaxy of GaAs by migration-enhanced epitaxy with As(2) and As(4) arsenic sources

A. Kawaharazuka, I. Yoshiba, Y. Horikoshi

APPLIED SURFACE SCIENCE 255(3) 737-739 2008年11月
Characteristics of multivalent impurity doped C-60 films grown by MBE

Jiro Nishinaga, Tomoyuki Aihara, Atsushi Kawaharazuka, Yoshiji Horikoshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 301 687-691 2007年4月
MBE growth of GaN on MgO substrate

Ryotaro Suzuki, Atsushi Kawaharazuka, Yoshiji Horikoshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 301 478-481 2007年4月
Be and Mg co-doping in GaN

A. Kawaharazuka, T. Tanimoto, K. Nagai, Y. Tanaka, Y. Horikoshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 301 414-416 2007年4月
Epitaxial growth of Fe3Si/GaAs(001) hybrid structures for spintronic application

J Herfort, HP Schonherr, A Kawaharazuka, M Ramsteiner, KH Ploog

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 278(1-4) 666-670 2005年5月
Spin injection from Fe3Si into GaAs

A Kawaharazuka, M Ramsteiner, J Herfort, HP Schonherr, H Kostial, KH Ploog

APPLIED PHYSICS LETTERS 85(16) 3492-3494 2004年10月
Magnetic and electric field effects of photoluminescence of excitons bound to nitrogen atom pairs in GaAs

K Onomitsu, T Okabe, T Makimoto, H Saito, M Ramsteiner, HJ Zhu, A Kawaharazuka, K Ploog, Y Horikoshi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 43(6B) L756-L758 2004年6月
Spin-polarized electron injection through an Fe/InAs junction

H Ohno, K Yoh, K Sueoka, K Mukasa, A Kawaharazuka, ME Ramsteiner

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 42(2A) L87-L89 2003年2月
Field effect of photoluminescence from excitons bound to nitrogen atom pairs in GaAs

K Onomitsu, A Kawaharazuka, T Okabe, T Makimoto, H Saito, Y Horikoshi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 41(9) 5503-5506 2002年9月
Study of free GaAs surfaces using a back-gated undoped GaAs/AlGaAs heterostructure

A. Kawaharazuka, T. Saku, C. A. Kikuchi, Y, Horikoshi, Y. Hirayama

Physica E 13 663 2002年
Modulation of PL recombination processes in N doped GaAs/Al0.33Ga0.67As SQW by electric field

K. Onomitsu, A. Kawaharazuka, T. Okabe, T. Makimoto, H. Saito, Y. Horikoshi

Inst. Phys. Conf. Ser. 170 407 2002年
Electrical spin injection from ferromagnetic MnAs metal layers into GaAs

M. Ramsteiner, H.Y. Hao, A. Kawaharazuka, H.J. Zhu, M. Kästner, R. Hey, L. Däweritz, H. T. Grahn, K. H. Ploog

Phys. Rev. B 66 081304 2002年
Electrical spin injection from MnAs into GaAs

A. Kawaharazuka, M. Ramsteiner, H.J. Zhu, H.Y. Hao, H. T. Grahn, M. Kästner, R. Hey, L. Däweritz, K. H. Ploog

Proc. 26th International Conference on the Physics of Semiconductors 2002年
Study of free GaAs surfaces using a back-gated undoped GaAs/AlGaAs heterostructure

A. Kawaharazuka, T. Saku, C. A. Kikuchi, Y, Horikoshi, Y. Hirayama

Physica E 13 663 2002年
Modulation of PL recombination processes in N doped GaAs/Al0.33Ga0.67As SQW by electric field

K. Onomitsu, A. Kawaharazuka, T. Okabe, T. Makimoto, H. Saito, Y. Horikoshi

Inst. Phys. Conf. Ser. 170 407 2002年
Electrical spin injection from ferromagnetic MnAs metal layers into GaAs

M. Ramsteiner, H.Y. Hao, A. Kawaharazuka, H.J. Zhu, M. Kästner, R. Hey, L. Däweritz, H. T. Grahn, K. H. Ploog

Phys. Rev. B 66 081304 2002年
Electrical spin injection from MnAs into GaAs

A. Kawaharazuka, M. Ramsteiner, H.J. Zhu, H.Y. Hao, H. T. Grahn, M. Kästner, R. Hey, L. Däweritz, K. H. Ploog

Proc. 26th International Conference on the Physics of Semiconductors 2002年

もっとみる

講演・口頭発表等

RHEED intensity oscillation of C60 growth on GaAs substrates

2008年
Crystalline and electrical characteristics of C60-doped GaAs films

2008年
Effect of the MgO substrate on the growth of GaN

2008年
Growth of GaN with warm ammonia

2008年
RHEED intensity oscillation of C60 growth on GaAs substrates

15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy 2008年
Crystalline and electrical characteristics of C60-doped GaAs films

15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy 2008年
Effect of the MgO substrate on the growth of GaN

15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy 2008年
Growth of GaN with warm ammonia

15th International Conference on Molecular Beam Epitaxy 2008年
RHEED intensity oscillations of C60 growth

2007年
Area selective epitaxy of GaAs by migration-enhanced epitaxy with As2 and As4 arsenic sources

2007年
RHEED intensity oscillations of C60 growth

11th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces 2007年
Area selective epitaxy of GaAs by migration-enhanced epitaxy with As2 and As4 arsenic sources

11th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces 2007年
Characteristics of multivalent impurity doped C60 films grown by MBE

2006年
MBE growth of GaN on MgO substrate

2006年
Be and Mg co-doping in GaN

2006年
Electrical Properties of Ge-Doped InSb and InAs on GaAs(111)A Substrate

2006年
Characteristics of multivalent impurity doped C60 films grown by MBE

The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy 2006年
MBE growth of GaN on MgO substrate

The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy 2006年
Be and Mg co-doping in GaN

The 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy 2006年
Electrical Properties of Ge-Doped InSb and InAs on GaAs(111)A Substrate

International Conference on Solid State Devices and Materials 2006年

もっとみる

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

高濃度P型GaN結晶成長の研究

受託研究 2006年 - 2007年
Research on High Concentration P-type Doping in GaN

Funded Research 2006年 - 2007年
半導体結晶成長
Crystal Growth of Semiconductors