2019年7月21日
Hot-wire hydrogenation for improvement of NBIS reliability of In-Sn-Zn-O thin film transistors
30th International Conference on Defects in Semiconductors
- 記述言語
- 英語
- 会議種別
- ポスター発表
- 主催者
- ICDS30
- 開催地
- Seattle, Washington, USA
酸化物トランジスタのアニール方法依存性について。カバーガラスを付けてアニールをすると信頼性が向上する。この原因について検討した結果を報告