末光哲也 (Tetsuya Suemitsu) - マイポータル

基本情報

所属: 東北大学未来科学技術共同研究センター特任教授

学位: 博士(工学)(早稲田大学)

J-GLOBAL ID: 200901091215836219
researchmap会員ID: 6000000042

外部リンク: https://www.linkedin.com/in/tetsuya-suemitsu-871b307a/

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

経歴

2017年8月 - 現在

東北大学, 教授
2007年4月 - 2017年7月

東北大学, 准教授
2006年9月 - 2007年3月

東北大学, 助教授
1994年4月 - 2006年8月

NTT厚木研究所
2002年1月 - 2003年1月

MIT, 客員研究員

主要な委員歴

2024年8月 - 2025年5月

Compound Semiconductor Week (CSW 2025), Chair of High-Frequency Devices Subcommittee
2025年1月 - 2025年3月

International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025), TPC Member
2021年1月 - 2021年3月

IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference (EDTM 2021), TPC Member
2009年1月 - 2019年12月

European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), TPC Member
2014年4月 - 2016年3月

応用物理学会, 講演会企画運営委員（半導体大分類代表）
2004年1月 - 2005年12月

International Electron Devices Meeting (IEDM), Member of Technical Program Committee
2002年12月 - 2005年6月

Device Research Conference (DRC), Member of Technical Program Committee

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主要な受賞

2021年1月

IEEE Fellow
2007年9月

IEICE ELEX Best Paper Award, Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

R. Urata, R. Takahashi, T. Suemitsu, H. Suzuki
2003年5月

第59回電子情報通信学会論文賞, 電子情報通信学会

末光哲也, 石井哲好, 石井康信
1996年11月

第1回応用物理学会講演奨励賞, 応用物理学会

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論文

282

Schottky barrier height and band offset in nitride semiconductors: Impact of polarization charges (Invited)

T. Suemitsu

248th ECS Meeting 2025年10月14日招待有り筆頭著者最終著者責任著者
The underemphasized concept of crystal polarity in conventional semiconductors and its device application

Takashi Matsuoka, Takeshi Kimura, Tetsuya Suemitsu

Physica Status Solidi A 202500372 2025年10月査読有り
Polarization interface charge model to calculate threshold voltage of AlGaN/GaN HEMTs

T. Suemitsu

15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15), Malmö, Sweden, Jul. 6-11, 2025 426 2025年7月10日査読有り筆頭著者最終著者責任著者
Impact of polarization charges on threshold voltage and band offset in GaN/AlGaN/GaN heterostructures

T. Suemitsu, H. Imabayashi, K. Shiojima

Compound Semiconductor Week (CSW 2025), Banff, Canada, May 27-30, 2025 273 2025年5月29日査読有り筆頭著者責任著者
300-GHz-Band Operation of UTC-PD-Integrated HEMT Photonic Double-Mixer

Tsung-Tse Lin, Shota Horiuchi, Mitsuki Watanabe, Shinnosuke Uchigasaki, Koichi Tamura, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Akira Satou

2024 49th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz) 1-2 2024年9月1日
New polarization interface charge model to calculate carrier concentration of GaN HEMTs

Tetsuya Suemitsu

Compound Semiconductor Week (CSW), Lund, Sweden, Jun. 3-6, 2024 P16 2024年6月査読有り筆頭著者責任著者
Gate-readout and a 3D rectification effect for giant responsivity enhancement of asymmetric dual-grating-gate plasmonic terahertz detectors

Akira Satou, Takumi Negoro, Kenichi Narita, Tomotaka Hosotani, Koichi Tamura, Chao Tang, Tsung-Tse Lin, Paul-Etienne Retaux, Yuma Takida, Hiroaki Minamide …

Nanophotonics 2023年11月9日
Efficient Optical-to-sub-THz Carrier Frequency Down-Conversion by UTC-PD-Integrated HEMT

Tsung-Tse Lin, Mitsuki Watanabe, Dai Nagajima, Keisuke Kasai, Masato Yoshida, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Akira Satou

2023 International Topical Meeting on Microwave Photonics (MWP) 1-4 2023年10月15日
Utilizing High-Intensity Optical Subcarrier Signal for Conversion Gain Enhancement of a UTC-PD-Integrated HEMT Photonic Double-Mixer

T.-T. Lin, D. Nakajima, K. Nishimura, M. Watanabe, K. Kasai, M. Yoshida, T. Suemitsu, T. Otsuji, A. Satou

2023 48th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz) 2023年9月17日
Introduction of Inverted-HEMT Structure in a Grating-Gate Plasmonic THz Detector for Drastic Improvement of the Pulse Response

K. Narita, T. Negoro, Y. Takida, H. Minamide, T. Suemitsu, T. Otsuji, A. Satou

2023 48th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz) 2023年9月17日
Nitride Semiconductors Realizing Sustainable Society

Takashi Matsuoka, Tetsuya Suemitsu

358-362 2023年6月19日査読有り招待有り
Fast and Sensitive THz Detection by an Asymmetric-Dual-Grating-Gate Epitaxial-Graphene-Channel FET Due to Plasmonic and Photothermoelectric Rectification Effects

Koichi Tamura, Chao Tang, Daichi Ogiura, Kento Suwa, Hirokazu Fukidome, Yuma Takida, Hiroaki Minamide, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Akira Satou

2023 Conference on Lasers and Electro-Optics, CLEO 2023 2023年
Fast THz Detection by an Asymmetric-Dual-Grating-Gate Graphene-Channel FET Based on Plasmonic and Photothermoelectric Effects

Koichi Tamura, Shinnosuke Uchigasaki, Hironobu Seki, Chao Tang, Daichi Ogiura, Kento Suwa, Hirokazu Fukidome, Yuma Takida, Hiroaki Minamide, Tetsuya Suemitsu …

International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, IRMMW-THz 2023年
Fast and sensitive THz detection by an Asymmetric-Dual-Grating-Gate Epitaxial-Graphene-Channel FET based on plasmonic and photothermoelectric rectification effects

Koichi Tamura, Chao Tang, Daichi Ogiura, Kento Suwa, Hirokazu Fukidome, Yuma Takida, Hiroaki Minamide, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Akira Satou

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering 12683 2023年
Conversion Gain Enhancement of a UTC-PD-Integrated HEMT Photonic Double-Mixer by High-Intensity Optical Subcarrier Signal

D. Nakajima, K. Nishimura, M. Watanabe, T. T. Lin, K. Kasai, M. Yoshida, T. Suemitsu, T. Otsuji, A. Satou

Optical Fiber Communication Conference (OFC) 2023 2023年
Fast and sensitive terahertz detection with a current-driven epitaxial-graphene asymmetric dual-grating-gate field-effect transistor structure

Koichi Tamura, Chao Tang, Daichi Ogiura, Kento Suwa, Hirokazu Fukidome, Yuma Takida, Hiroaki Minamide, Tetsuya Suemitsu, Taiichi Otsuji, Akira Satou

APL Photonics 7(12) 126101-126101 2022年12月1日
UTC-PD-Integrated HEMT for Optical-to-MMW/THz Carrier Frequency Down-Conversion: Scaling Rule of Conversion Gain on UTC-PD Mesa Size

D. Nakajima, K. Nishimura, T. Hosotani, K. Kasai, M. Yoshida, T. Suemitsu, T. Otsuji, A. Satou

2022 47th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz) 2022年8月28日
Pulse Response of Asymmetric Dual-Grating-Gate HEMT Plasmonic THz Detector

K. Narita, T. Negoro, Y. Takida, H. Ito, H. Minamide, T. Suemitsu, T. Otsuji, A. Satou

2022 47th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz) 2022年8月28日
Graphene-based plasmonic metamaterial for terahertz laser transistors

Taiichi Otsuji, Stephane Albon Boubanga-Tombet, Akira Satou, Deepika Yadav, Hirokazu Fukidome, Takayuki Watanabe, Tetsuya Suemitsu, Alexander A. Dubinov, Vyacheslav V. Popov, Wojciech Knap …

Nanophotonics 11(9) 1677-1696 2022年5月11日
Reverse bias annealing effects in N-polar GaN/AlGaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors

Kiattiwut Prasertsuk, Tetsuya Suemitsu, Takashi Matsuoka

Japanese Journal of Applied Physics 61(SA) SA1006-SA1006 2022年1月1日査読有り責任著者

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MISC

134

表面活性化接合を用いたダイヤモンド基板上GaNメサ構造の絶縁特性

砂本陽成, 末光哲也, 重川直輝, 梁剣波

第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月10日
格子ゲート構造THzプラズモニック・ディテクタにおける検出感度の周波数特性

永津将希, 成田健一, 瀧田佑馬, 南出泰亜, 林宗澤, 末光哲也, 尾辻泰一, 佐藤昭

電子情報通信学会電子デバイス研究会 2024年12月19日
ウエハ接合と裏面プロセスを用いたn-GaN N極性面上オーミック電極形成

藤家智希, 梁剣波, 末光哲也, 重川直輝

第85回応用物理学会秋季講演会 2024年9月16日
非対称二重格子ゲート構造プラズモニックTHzディテクタの検出感度：入射THz波強度特性におけるリニアリティの検証

永津将希, 成田健一, 瀧田佑馬, 南出泰亜, 末光哲也, 尾辻泰一, 佐藤昭

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月25日
三次元整流効果を導入したグラフェンレクテナFETによる高感度THz波検出の提案

関宏信, 内ケ崎新之介, 田村紘一, 唐超, 佐藤昭, 吹留博一, 末光哲也, 内野俊, 瀧田悠馬, 南出泰亜

電子情報通信学会電子デバイス研究会 2023年12月21日
光サブキャリア信号高強度化によるUTC-PD集積HEMT光ダブルミキサ変換利得の向上

渡邊光貴, 中嶋大, 林宗澤, 西村和樹, 尾辻泰一, 末光哲也, 葛西恵介, 吉田真人, 佐藤昭

電子情報通信学会電子デバイス研究会 2022年12月19日
グラフェンFETにおけるユニポーラ動作による光熱電型高速テラヘルツ検出の実現

田村紘一, TANG Chao, 荻浦大地, 諏訪健斗, 吹留博一, 佐藤昭, 瀧田佑馬, 南出泰亜, 末光哲也, 尾辻泰一

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年9月21日
光サブキャリア信号高強度化によるUTC-PD集積HEMTの光ダブルミキシング変換利得向上

中嶋大, 西村和樹, 岩月勝美, 末光哲也, 尾辻泰一, 佐藤昭

電子情報通信学会総合大会 2022年3月18日
UTC-PD集積HEMT光ダブルミキサへの格子状ソース電極の導入

中嶋大, 西村和樹, 大森雄也, 細谷友崇, 岩月勝美, 末光哲也, 尾辻泰一, 佐藤昭

電子情報通信学会ソサイエティ大会 2021年9月
光通信-Beyond5G無線通信間キャリアダウンコンバージョンデバイスの新展開

佐藤昭, 佐藤昭, 中嶋大, 中嶋大, 西村和樹, 西村和樹, 細谷友崇, 細谷友崇, 細谷友崇, 岩月勝美 …

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 121(309(ED2021 48-61)) 2021年
ミリ波帯用InGaAs HEMT寄生抵抗抽出高精度化の検討

谷口慶伍, 細谷友崇, 楳田洋太郎, 高野恭弥, 末光哲也, 佐藤昭

信学技報 2021年1月
格子ゲート構造プラズモニックTHz検出素子におけるゲート電極からの光起電圧出力に関する検討

根来拓海, 齋藤琢, 鈴木雅也, 細谷友崇, 末光哲也, 瀧田佑馬, 伊藤弘昌, 南出泰亜, 尾辻泰一, 佐藤昭

第67回応用物理学会春季学術講演会, 東京, Mar. 12-15 2020年3月
光吸収層面積縮小によるUTC-PD集積HEMTの光ダブルミキシング効率向上

西村和樹, 大森雄也, 細谷友崇, 岩月勝美, 末光哲也, 尾辻泰一, 佐藤昭

第67回応用物理学会春季学術講演会, 東京, Mar. 12-15 2020年3月
格子ゲート構造プラズモニックTHzディテクタの偏光特性制御のための二次元ナノアンテナ導入

鈴木雅也, 細谷友崇, 末光哲也, 瀧田佑馬, 伊藤弘昌, 南出泰亜, 尾辻泰一, 佐藤昭

信学技報 2018年12月18日
InP-HEMTによる光－ミリ波帯キャリア周波数下方変換

大森雄也, 細谷友崇, 尾辻泰一, 岩月勝美, 末光哲也, 日隈薫, 市川潤一郎, 坂本高秀, 山本直克, 佐藤昭

信学技報 2017年12月
小型端末用電磁波方式WPTに最適な周波数・最大効率の検討

小池悠介, 楳田洋太郎, 末光哲也

2017年電子情報通信学会ソサイエティ大会, 東京, SEP 12-15 2017年9月13日
Threshold voltage engineering of recessed MIS-gate N-polar GaN HEMTs

K. Prasertsuk, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

第78回応用物理学会秋季学術講演会, 福岡, Sep. 5-8 2017年9月7日
N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE (電子デバイス)

PRASERTSUK Kiattiwut, TANIKAWA Tomoyuki, KIMURA Takeshi, KUBOYA Shigeyuki, SUEMITSU Tetsuya, MATSUOKA Takashi

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(58) 59-64 2017年5月25日
傾斜型フィールドプレートによるInGaAs系HEMT中の電子速度への影響

細谷友崇, 尾辻泰一, 末光哲也

第64回応用物理学会春季学術講演会, 横浜, Mar 14-17 2017年3月16日
Reduced gate leakage current in N-polar GaN MIS-HEMTs

K. Prasertsuk, A. Miura, S. Tanaka, T. Tanikawa, T. Kimura, S. Kuboya, T. Suemitsu, T. Matsuoka

第64回応用物理学会春季学術講演会, 横浜, Mar 14-17 2017年3月15日

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書籍等出版物

Comprehensive Semiconductor Science and Technology

P. Bhattacharya, R. Fornari, H. Kamimura (担当:共著, 範囲:Chapter 5.03: GaAs- and InP-based high-electron-mobility transistors)

Elsevier Amsterdam 2011年4月 (ISBN: 9780444531438)
テラヘルツ技術総覧

テラヘルツテクノフォーラム編 (担当:編者(編著者), 範囲:第6章「テラヘルツ電子デバイス・回路」のうちHEMT)

NGTコーポレーション 2007年12月1日

主要な講演・口頭発表等

N-polar GaN-based heterostructures: Challenges and opportunities

末光哲也, 木村健司, 松岡隆志

第86回応用物理学会秋季学術講演会日韓共同応用物理シンポジウム「量子材料・デバイスと先端半導体」 2025年9月8日招待有り
高電子移動度トランジスタ：究極の高周波電子デバイスを目指して

末光哲也

IEEE Sendai Section 2021年総会・新Fellow記念講演会 2021年4月22日招待有り
窒素極性GaN HEMTの現状と今後の展望

末光哲也

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第112回研究会 2019年3月15日日本学術振興会招待有り
窒化物半導体パワーデバイスの新展開：材料、デバイス構造、プロセスそれぞれのアプローチ

末光哲也

応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第203回研究会, 東京, Nov. 16 2017年11月16日招待有り
トランジスタ高速化のトレンドとテラヘルツへの展望（チュートリアル講演）

末光哲也

電子情報通信学会総合大会 2008年3月19日招待有り

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所属学協会

2012年7月 - 現在

Materials Research Society
1995年7月 - 現在

American Physical Society
1995年1月 - 現在

IEEE
1991年5月 - 現在

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

窒化物半導体における選択極性反転技術の構築とn型p型領域同時形成への応用の研究

日本学術振興会科学研究費補助金基盤研究（A） 2024年4月 - 2027年3月

末光哲也, 重川直輝, 大野裕, 高橋琢二
半導体中における進行波増幅の可能性の検証に関する研究

日本学術振興会科学研究費補助金挑戦（開拓） 2023年4月 - 2026年3月

末光哲也
窒素極性GaN系MIS-HEMTのパワーデバイス応用に向けた研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2019年4月 - 2022年3月

末光哲也, 橋詰保
窒素極性InGaNチャネルヘテロ構造を用いた高電子移動度トランジスタの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2016年4月 - 2019年3月

末光哲也, 松岡隆志
半導体二次元プラズモニックブームの発生とそのテラヘルツ応用

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2016年4月 - 2018年3月

尾辻泰一, トンベットステファン, 渡辺隆之, 佐藤昭, 楢原浩一, リズイーヴィクトール, 末光哲也, シュールミハエル, アイジングレゴリ, ポポフヴィチャスラブ
ScAlMgO4基板を用いた窒化物半導体縦型トランジスタ作製プロセスの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2015年4月 - 2018年3月

末光哲也, 松岡隆志
Graphene terahertz detectors based on plasmons and resonant tunneling

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 2014年4月 - 2016年3月

TOMBET STEPHANE, 尾辻泰一, 末光哲也, 佐藤昭, リズイーヴィクトール, 渡辺隆之, ヤダフディーピカ, 栗田裕紀, ポポフヴィチェスラブ
ＧａＮ系ＨＥＭＴにおける電子速度の詳細評価の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2012年4月 - 2015年3月

末光哲也
グラフェンテラヘルツレーザーの創出

日本学術振興会科学研究費助成事業特別推進研究 2011年 - 2015年

尾辻泰一, ヴィクトールリズィー, 末光眞希, 末光哲也, 佐藤昭, 佐野栄一, マキシムリズィー, 吹留博一, 渡辺隆之, ボーバンガ-トンベットステファン, 鷹林将, 高桑雄二, 吾郷浩樹, 河原憲治, ドゥビノフアレクサンダー, ポポフヴィチェスラブ, スヴィンツォフディミトリ, ミティンウラジミール, シュールマイケル
低次元プラズモンの分散特性を利用した電磁波伝搬モード型回路の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 2006年 - 2010年

尾辻泰一, RYZHII VICTOR, 佐野栄一, 楢原浩一, MEZIANI YAHYA, 末光哲也

産業財産権

社会貢献活動

金沢工業大学大学院高信頼ものづくり専攻公開技術講座

その他

2009年11月12日 - 2009年11月13日

メディア報道

シリコン基板上に「グラフェン」薄膜

河北新報 2008年7月24日新聞・雑誌

末光哲也

基本情報

研究分野

経歴

主要な委員歴

主要な受賞

論文

MISC

書籍等出版物

主要な講演・口頭発表等

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

社会貢献活動

メディア報道

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