大野 裕

J-GLOBALへ         更新日: 19/03/12 09:43
 
アバター
研究者氏名
大野 裕
 
オオノ ユタカ
ハンドル
handle0133213
eメール
yutakaohnoimr.tohoku.ac.jp
URL
http://db.tohoku.ac.jp/whois/detail/aeb00cb96ae9052a4de214b3e96a00d3.html
所属
東北大学
部署
金属材料研究所 結晶欠陥物性学研究部門
職名
准教授
学位
博士(理学)(大阪大学), 修士(工学)(大阪大学)

研究分野

 
 

学歴

 
 
 - 
1992年3月
大阪大学 基礎工学研究科 物理系専攻
 
 
 - 
1990年3月
大阪大学 基礎工学部 物性物理工学科
 

委員歴

 
2017年2月
 - 
現在
日本学術振興会接合界面創成技術第191委員会  委員
 
2018年4月
   
 
10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells  Local Steering Committee
 
2016年6月
 - 
2017年8月
29th International Conference on Defects in Semiconductors  International Programme Committee & Local Program Subcommittee
 
2005年4月
 - 
2017年3月
日本物理学会  Webページ管理者(領域10)
 
2015年2月
 - 
2016年3月
日本物理学会第71回年次大会実行委員会  会計
 

受賞

 
2017年7月
日本学術振興会産学協力研究委員会次世代の太陽光発電システム第175委員会 イノべイティブPV賞 多結晶材料情報学によるスマートシリコンインゴットの創製に向けて
受賞者: 宇佐美徳隆, 羽山優介, 高橋勲, 松本哲也, 工藤博章, 横井達也, 松永克志, 沓掛健太朗, 大野裕
 
2017年5月
東北大学・金属材料研究所第133回講演会 最優秀ポスター賞 データ科学的手法を用いた効率的なマッピングの提案
受賞者: 沓掛健太朗,菊地亮太,出浦桃子,大野裕,下山幸治,米永一郎
 
2012年4月
第4回窒化物半導体結晶成長学会 発表奨励賞 AlN薄膜のTEM内ナノインデンテーションによる転位導入と伝搬挙動の観察
受賞者: 徳本有紀, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎
 
2012年3月
東北大学研究所連携プロジェクト 第3期 平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス&テクノロジー」 優秀学生発表賞 赤外吸収法による熱処理Ge単結晶中の格子間酸素の析出挙動の解明
受賞者: 井上海平,太子敏則,徳本有紀,村尾優,沓掛健太朗,大野裕,米永一郎
 
2012年3月
東北大学研究所連携プロジェクト 第3期 平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス&テクノロジー」 優秀学生発表賞 ゲルマニウム結晶中の転位動特性に対する不純物の影響
受賞者: 村尾優,太子敏則,徳本有紀,沓掛健太朗,大野裕,米永一郎
 

論文

 
I. Yonenaga, M. Deura, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno
Journal of Crystal Growth   500 23-28   2018年8月   [査読有り]
Y. Ohno, H. Morito, K. Kutsukake, I. Yonenaga, T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga
Applied Physics Express   11 061303/1-061303/4   2018年5月   [査読有り]
Y. Ohno, H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa
Japanese Journal of Applied Physics   57 02BA01/1-02BA01/3   2018年2月   [査読有り]
M. Deura, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga, T. Taniguchi
Physica Status Solidi B   255 1700473/1-1700473/4   2018年   [査読有り]
R. Miyagawa, Y. Ohno, M. Deura, I. Yonenaga, O. Eryu
Japanese Journal of Applied Physics   57    2018年   [査読有り]
Y. Ohno, K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama
Journal of Microscopy   226(3) 230-238   2017年12月   [査読有り]
Y. Ohno, K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama
Applied Physics Letters   110 062105/1-062105/5   2017年2月   [査読有り]
M. Deura, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga, T. Taniguchi
Japanese Journal of Applied Physics Rapid Communications   56(3) 030301/1-030301/4   2017年1月   [査読有り]
Y. Ohno, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, Y. Shimizu, N. Ebisawa, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda
Applied Physics Letters   109 142105/1-142105/4   2016年7月   [査読有り]
K. Kutsukake, M. Deura, Y. Ohno, I. Yonenaga
Japanese Journal of Applied Physics   54 08KD10/1-08KD10/5   2015年7月   [査読有り]
I. Yonenaga, Y. Ohkubo, M. Deura, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, Y. Ohno, A. Yoshikawa, and X. Q. Wang
AIP Advances   5 077131/1-077131/13   2015年7月   [査読有り]
Y. Ohno, K. Inoue, K. Fujiwara, M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga, Y. Shimizu, K. Inoue, N. Ebisawa, Y. Nagai
Applied Physics Letters   106 251603/1-251603/4   2015年7月   [査読有り]
Y. Ohno, K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, T. Ohsawa, I. Yonenaga, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi, H. Otsubo, S. R. Nishitani, N. Ebisawa, Y. Shimizu, H. Takamizawa, K. Inoue, Y. Nagai
Physical Review B   91 235315/1-235315/5   2015年6月   [査読有り]
Y.Yamamoto, K. Togase, Y. Ohno, I. Yonenaga, S. R. Nishitani
Japanese Journal of Applied Physics   53 061302/1-061302/4   2014年6月   [査読有り]
Y. Ohno, I. Yonenaga
Applied Surface Science   302 29-31   2014年3月   [査読有り]
I. Yonenaga, T. Taishi, K. Inoue, R. Gotoh, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, Y. Ohno
Journal of Crystal Growth   395 94-97   2014年3月   [査読有り]
K. Kutsukake, N. Usami, Y. Ohno, Y. Tokumoto, I. Yonenaga
IEEE Journal of Photovoltaics   4(1) 84-87   2014年1月   [査読有り]
I. Yonenaga, Y. Ohno, T. Yao, K. Edagawa
Journal of Crystal Growth   403 72-76   2014年   [査読有り]
T. Walther, M. Hopkinson, N. Daneu, A. Recnik, Y. Ohno, K. Inoue, I. Yonenaga
Journal of Materials Science   49(11) 3898-3908   2013年12月   [査読有り]
Y. Ohno, I. Yonenaga
Journal of Crystal Growth   393 171-174   2013年12月   [査読有り]
Y. Ohno, H. Koizumi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, H. Taneichi, I. Yonenaga
Journal of Crystal Growth   393 119-122   2013年11月   [査読有り]
K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, T. Ohsawa, R. Gotoh, I. Yonenaga
Journal of Crystal Growth   393 45-48   2013年10月   [査読有り]
T. Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga
Journal of Crystal Growth   393 42-44   2013年10月   [査読有り]
Y. Ohno, K. Inoue, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, I. Yonenaga, N. Ebisawa, H. Takamizawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda
Applied Physics Letters   103(10) 102102/1-102102/4   2013年9月   [査読有り]
A. Uedono, I. Yonenaga, T. Watanabe, S. Kimura, N. Oshima, R. Suzuki, S. Ishibashi, Y. Ohno
Journal of Applied Physics   114(8) 084506/1-084506/6   2013年8月   [査読有り]
K. Kutsukake, N. Usami, Y. Ohno, Y. Tokumoto, I. Yonenaga
Applied Physics Express   6(1) 025505/1-025505/3   2013年1月   [査読有り]
K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, Y. Murao, K. Kutsukake, Y. Ohno, M. Suezawa, I. Yonenaga
Journal of Applied Physics   113(7) 073501/1-073501/5   2013年1月   [査読有り]
Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga
Journal of Applied Physics   112(12) 129902   2012年12月   [査読有り]
Y. Ohno
Applied Physics Express   5(12) 125204/1-125204/3   2012年12月   [査読有り]
Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, I. Yonenaga
Journal of Applied Physics   112(9) 093526/1-093526/6   2012年11月   [査読有り]
J. Vanhellemont, H. Yasuda, Y. Tokumoto, Y. Ohno, M. Suezawa, I. Yonenaga
physica status solidi (a)   209(10) 1902-1907   2012年10月   [査読有り]
Y. Tokumoto, H.-J. Lee, Y. Ohno, T. Yao, I. Yonenaga
Materials Transactions   53(11) 1881-1884   2012年9月   [査読有り]
K. Kutsukake, H. Ise, Y. Tokumoto, Y. Ohno, I. Yonenaga
Journal of Crystal rowth   352(1) 173-176   2012年8月   [査読有り]
Y. Ohno, Y. Tokumoto, H. Taneichi, I. Yonenaga, K. Togase, S. R. Nishitani
Physica B   407 3006-3008   2012年8月   [査読有り]
Y. Ohno, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao, N. Yamamoto
Physica B   407(15) 2886-2888   2012年8月   [査読有り]
I. Yonenaga, T. Taishi, H. Ise, Y. Murao, K. Inoue, T. Ohsawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, Y. Hashimoto
Physica B   407(15) 2932-2934   2012年8月   [査読有り]
Y. Ohno, I. Yonenaga, K. Miyao, K. Maeda, H. Tsuchida
Applied Physics Letters   101(4) 042102/1-042102/3   2012年7月   [査読有り]
Y. Ohno, Y. Tokumoto, I. Yonenaga, K. Fujii, T. Yao
Journal of Applied Physics   111(11) 113514/1-113514/6   2012年6月   [査読有り]
Y. Ohno, Y. Tokumoto, I. Yonenaga
Thin Solid Films   520 3296-3299   2012年2月   [査読有り]
Y. Tokumoto, H.J. Lee, Y. Ohno, T. Yao, I. Yonenaga
Journal of Crystal Growth   334 80-83   2011年11月   [査読有り]
Y. Murao, T. Taishi, Y. Tokumoto, Y. Ohno, I. YOnenaga
Journal of Applied Physics   109(11) 113502/1-113502/5   2011年6月   [査読有り]
T. Taishi, H. Ise, Y. Murao, T. Osawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, I. Yonenaga
Microelectronic Engineering   88(4) 496-498   2011年4月   [査読有り]
I. Yonenaga, Y. Ohno, T. Taishi, Y. Tokumoto, H. Makino, T. Yao, Y. Kamimura, K. Edagawa
Journal of Crystal Growth   318(1) 415-417   2011年3月   [査読有り]
H. Kohno, T. Nogami, S. Takeda, Y. Ohno, I. Yonenaga, and S. Ichikawa
Journal of Nanoscience and Nanotechnology   10(10) 6655-6658   2010年10月   [査読有り]
Y. Ohno, T. Taishi, Y. Tokumoto, I. Yonenaga
Journal of Applied Physics   108(7) 073514/1-073514/4   2010年10月   [査読有り]
T. Taishi, H. Ise, Y. Murao, T. Osawa, M. Suezawa, Y. Tokumoto, Y. Ohno, K. Hoshikawa, I. Yonenaga
Journal of Crystal Growth   312 2783-2787   2010年9月   [査読有り]
Y. Ohno
Journal of Electron Microscopy   59(S1) S141-S147   2010年6月   [査読有り]
A. Hara, T. Awano, Y. Ohno, I. Yonenaga
Japanese Journal of Applied Physics   49 050203/1-050203/3   2010年5月   [査読有り]
I. Yonenaga, T. Taishi, Y. Ohno, Y. Tokumoto
Journal of Crystal Growth   312 1065-1068   2010年4月   [査読有り]
H. Kohno, Y. Mori, S. Takeda, Y. Ohno, I. Yonenaga, S. Ichikawa
Applied Physics Express   3 055001/1-055001/3   2010年4月   [査読有り]
T. Taishi, K. Hoshikawa, Y. Ohno, I. Yonenaga
Thin Solid Films   518(9) 2409-2412   2010年2月   [査読有り]
H. Kohno, Y. Mori, S. Ichikawa, Y. Ohno, I. Yonenaga, aS. Takeda
Nanoscale   1    2009年9月   [査読有り]
Y. Ohno, T. Shirakawa, T. Taishi, I. Yonenaga
Applied Physics Letters   95(9) 091915/1-091915/3   2009年9月   [査読有り]
I. Yonenaga, Y. Ohno, T. Taishi, Y. Tokumoto
Physica B   404(23-24) 4999-5001   2009年9月   [査読有り]
T. Taishi, Y. Ohono, I. Yonenaga
Journal of Crystal Growth   311(22) 4615-4618   2009年9月   [査読有り]
T. Taishi, K. Hoshikawa, Y. Ohno, I. Yonenaga
Physica B   404(23-24) 4612-4615   2009年8月   [査読有り]
Y. Ohno, T. Taishi, I. Yonenaga
physica status solidi (a)   206(8) 1904-1911   2009年8月   [査読有り]
T. Nogami, Y. Ohno, S. Ichikawa, H. Kohno
Nanotechnology   20 335602/1-335602/5   2009年7月   [査読有り]
T. Taishi, Y. Murao, Y. Ohno, I. Yonenaga
Journal of Crystal Growth   311(1) 59-61   2008年12月   [査読有り]
Y. Ohno, H. Koizumi, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T. Yao
Journal of Applied Physics   104 073515/1-073515/6   2008年10月   [査読有り]
I. Yonenaga, H. Koizumi, Y. Ohno,T. Taishi
Journal of Applied Physics   103 093502/1-093502/4   2008年5月   [査読有り]
Y. Ohno, K. Shoda, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda
Applied Surface Science   254(23) 7633-7637   2008年2月   [査読有り]
Y. Ohno, H. Koizumi, T. Taishi, I. Yonenaga, K. Fujii, H. Goto, T. Yao
Applied Physics Letters   92(1) 011922/1-011922/3   2008年1月   [査読有り]
I. Yonenaga, K. Takahashi, T. Taishi, Y. Ohno
Physica B   401 148-150   2007年12月   [査読有り]
T. Taishi, Y. Ohno, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
Physica B   401 560-563   2007年12月   [査読有り]
T. Taishi, T. Hayashi, N. Bamba, Y. Ohno, I. Yonenaga, K. Hoshikawa
Physica B   401 437-440   2007年12月   [査読有り]
Y. Ohno, R. Hirai, S. Ichikawa, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda
Physica B   401 650-653   2007年12月   [査読有り]
Y. Ohno, N. Yamamoto, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda
Physica B   401 270-274   2007年12月   [査読有り]
Y. Ohno, T. Taishi, I. Yonenaga, S. Takeda
Physica B   401 230-233   2007年12月   [査読有り]
K. Torigoe, Y. Ohno, H. Kohno, T. Ichihashi, S. Takeda
Surface Science   601 5103-5107   2007年11月   [査読有り]
Y. Ohno, N. Yamamoto, K. Shoda, S. Takeda
Japanese Journal of Applied Physics: Express Letter   46 L830-L832   2007年9月   [査読有り]
Y. Ohno, T. Shirahama, S. Takeda, A. Ishizumi, Y. Kanemitsu
Solid State Communications   141 228-232   2007年1月   [査読有り]
Y. Ohno, S. Takeda, T. Ichihashi, S. Iijima
Japanese Journal of Applied Physics   46 434-439   2007年1月   [査読有り]
Y. Ohno, S. Takeda, T. Ichihashi, S. Iijima
Journal of Applied Physics   99 126107/1-126107/3   2006年6月   [査読有り]
Y. Ohno
Physica B   376-377 845-848   2006年4月   [査読有り]
Y. Ohno
Japanese Journal of Applied Physics   45 2357-2360   2006年3月   [査読有り]
K. Torigoe, Y. Ohno, T. Ichihashi, S. Iijima, S. Takeda
Physica B   376-377 916-919   2006年1月   [査読有り]
Y. Ohno
Applied Physics Letters   87 181909/1-181909/3   2005年10月   [査読有り]
N. Ozaki, Y. Ohno, J. Kikkawa, S. Takeda
Journal of Electron Microscopy   54 I25-I29   2005年9月   [査読有り]
Y. Ohno
Physical Review B   72 121307/1-121307/4   2005年9月   [査読有り]
Y. Ohno, T. Shirahama, S. Takeda, A. Ishizumi, Y. Kanemitsu
Applied Physics Letters   87 43105/1-43105/3   2005年7月   [査読有り]
J. Kikkawa, Y. Ohno, S. Takeda
Applied Physics Letters   86 123109/1-123109/3   2005年3月   [査読有り]
H. Kohno, H. Yoshida, Y. Ohno, S. Ichikawa, T. Akita, K. Tanaka, S. Takeda
Thin Solid Films   464-465 204-207   2004年10月   [査読有り]
Y. Ohno, N. Adachi, S. Takeda
Applied Physics Letters   83 54-56   2003年7月   [査読有り]
S. Takeda, K. Ueda, N. Ozaki, Y. Ohno
Applied Physics Letters   82 979-981   2003年2月   [査読有り]
J. Yamasaki, Y. Ohno, S. Takeda, Y. Kimura
Philosophical Magazine   83 151-163   2003年1月   [査読有り]
Y. Ohno, S. Takeda
Journal of Electron Microscopy   51 281-290   2002年9月   [査読有り]
J. Yamasaki, Y. Ohno, H. Kohno, N. Ozaki, S. Takeda
Journal of non-crystalline solids   299-302 793-797   2002年4月   [査読有り]
Y. Ohno, N. Ozaki, S. Takeda
Physica B   308-310 1222-1225   2001年12月   [査読有り]
N. Ozaki, Y. Ohno, M. Tanbara, D. Hamada, J. Yamasaki, S. Takeda
Surface Science   493 547-554   2001年11月   [査読有り]
M. Aki, Y. Ohno, H. Kohno, S. Takeda
Philosophical Magazine A   80 747-758   2000年3月   [査読有り]
A. Ihara, Y. Ohno, S. Takeda, S. Nagao, D. Diffily, Y. Satoh, K. Shimoyama, N. Hosoi
Physica B   273-274 1050-1053   1999年12月   [査読有り]
Y. Ohno, Y. Kawai, S. Takeda
Physical Review B   59 2694-2699   1999年1月   [査読有り]
N. Ozaki, Y. Ohno, S. Takeda
Applied Physics Letters   73 3700-3702   1998年12月   [査読有り]
Y. Ohno, N. Saitoh, S. Takeda, M. Hirata
Japanese Journal of Applied Physics   36 5628-5632   1997年9月   [査読有り]
Y. Ohno, M. Hirata, S. Takeda, R. Fujimoto, R. Oshima
Journal of Electron Microscopy   45 380-387   1996年10月   [査読有り]
Y. Ohno, S. Takeda, M. Hirata
Physical Review B   54 4642-4649   1996年8月   [査読有り]
Y. Ohno, S. Takeda
Journal of Electron Microscopy   45 73-78   1996年2月   [査読有り]
Y. Ohno, S. Takeda
Review of Scientific Instruments   66 4866-4869   1995年10月   [査読有り]
Y. Mita, Y. Ohno, Y. Adachi, H. Kanehara, Y. Nisida, T. Nakashima
Diamond and Related Materials   2 768-772   1993年4月   [査読有り]

Misc

 
Origin of resistance at Si/GaAs heterointerfaces for tandem solar cells fabricated by surface-activated bonding at room temperature
Yutaka Ohno
KINKEN Research Highlights 2018   18   2018年7月   [依頼有り]
Mechanism of Oxygen Segregation at Grain Boundaries in Silicon
Y. Ohno
KINKEN Research Highlights 2017   17   2017年7月
TEM-CL分光法による電子材料中のナノ構造の電子状態評価
大野裕
顕微鏡   50 185-190   2015年12月
Cu Precipitation Conditions at Small Angle Tilt Boundaries in Si
Y. Ohno
KINKEN Research Highlights 2015   21   2015年8月
InNの硬度とヤング率
大久保泰, 出浦桃子, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎
IEICE Technical Report   114 45-48   2014年11月

書籍等出版物

 
In-situ Electron Microscopy
Y. Ohno, S. Takeda (担当:共著, 範囲:Chapter 13; Cathodoluminiscence in Scanning and Transmission Electron Microscopies, pp 303-319)
WILEY-VCH   2012年4月   ISBN:3-527-31973-5
Optoelectronic Devices and Properties
Y. Ohno, I. Yonenaga, S. Takeda (担当:共著, 範囲:In-situ analysis of optoelectronic properties of semiconductor nanostructures and defects in transmission electron microscopes)
INTECH   2011年3月   ISBN:978-953-307-511-2

講演・口頭発表等

 
Impact of polymorphic nanostructures at grain boundaries on segregation ability; for asymmetric Σ9{111}/{115} tilt boundaries in silicon
Intergranular and Interphase Boundaries in Materials 2019 (IIB2019)   2019年7月2日   
Impact of misorientation at symmetric grain boundaries on segregation ability; for Σ3{111} tilt boundaries in Si
Intergranular and Interphase Boundaries in Materials 2019 (IIB2019)   2019年7月1日   
Impact of asymmetric grain boundaries on conversion efficiency in Si solar cells [招待有り]
Collaborative conference on Materials Research 2019 (CCMR-2019)   2019年6月3日   
Chemical nanoanalysis at Si grain boundaries by atom probe tomography combined with FIB operated at low temperatures
European Materials Research Society (EMRS) 2019 Spring Meeting   2019年5月27日   
Artifacts in the structural analysis of SAB-fabricated interfaces by using focused ion beam
6th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2019)   2019年5月23日   
Two-dimensional polymorphic {111}/{115} grain boundaries in Si - Atomistic structure and impurity segregation ability -
Materials Research Society (MRS) 2019 Spring Meeting   2019年4月24日   
Two-dimensional polymorphic structure on {111}/{115} grain boundaries in Si
21st International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials (MSM-XXI)   2019年4月10日   
Si中のΣ9{111}/{115}粒界に形成される2次元ポリモルフィック構造
大野裕,吉田秀人,竹田精治,横井達也,中村篤智,松永克志,清水康雄,永井康介
日本物理学会第74回年次大会   2019年3月17日   
表面活性化接合によるGaAs/GaAs界面における元素分布評価
清水康雄, 海老澤直樹, 大野裕, 梁剣波, 重川直輝, 井上耕治, 永井康介
第66回応用物理学会春季学術講演会   2019年3月11日   
LiTaO3結晶中の小傾角粒界に並ぶ転位の解析(II)
梶ヶ谷富男, 大野裕
第66回応用物理学会春季学術講演会   2019年3月9日   
3次元PLイメージング法で同定したハイパフォーマンス多結晶シリコンインゴット中の転位発生点近傍の透過電子顕微鏡解析
大野裕, 田島和哉, 沓掛健太朗, 清水康雄, 海老澤直樹, 永井康介, 宇佐美徳隆
第66回応用物理学会春季学術講演会   2019年3月9日   
3次元アトムプローブ法による半導体欠陥の組成評価:定量分析と実際 [招待有り]
大野裕
独立行政法人日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会 第162回研究会   2019年1月31日   
Recombination activity of inclined Σ3{111} grain boundaries in high-performance Si ingots
K. Kutsukake, T. Tamaoka, S. Takeda, Y. Shimizu, N. Ebisawa, K. Inoue, Y. Nagai, N. Usami
Materials Research Society 2018 Fall Meeting   2018年12月27日   
Impurity segregation at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding analyzed by atom probe tomography
Materials Research Society (MRS) 2018 Fall Meeting   2018年11月27日   
Stability of Na atoms at stacking faults in Si depending on the Fermi level
H. Morito, K. Kutsukake, I. Yonenaga, T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga
Materials Research Society 2018 Fall Meeting   2018年11月25日   
傾角のずれたΣ3{111}対称傾角粒界の不純物偏析能
大野裕,沓掛健太朗,玉岡武泰,竹田精治,清水康雄,海老澤直樹,井上耕治,永井康介,宇佐美徳隆
東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター 平成30年度大洗研究会   2018年11月24日   
Generation and propagation of defects in multicrystalline silicon for solar cells [招待有り]
8th Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018   2018年11月21日   
Atom probe study of impurity distribution at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding
Summit of Materials Science 2018   2018年10月29日   
Chemical nanoanalyses at grain boundaries by atom probe tomography with TEM and ab-initio calculations [招待有り]
BIT's 8th Annual World Congress of Nano Science \& Technology-2018 (Nano S&T-2018)   2018年10月24日   
熱処理によるダイヤモンド/Si接合における界面挙動
梁剣波, 清水康雄, 大野裕,重川直輝
東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター 平成30年度大洗研究会   2018年10月4日   
Chemical nanoanalyses at grain boundaries by joint use of scanning transmission electron microscopy and atom probe tomography
K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama
Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science 2018 (AiMES2018)   2018年9月30日   
Atomistic structure of low-resistance Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature
H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa
Americas International Meeting on Electrochemistry and Solid State Science 2018 (AiMES2018)   2018年9月30日   
4H-SiCにおける転位の再結合促進運動のTEMその場観察
大野 裕
名古屋大学工学部マテリアル理工学専攻材料工学分野セミナー   2018年9月25日   
Σ3{111}対称傾角粒界の不純物偏析能とキャリア再結合速度に対する傾角のずれの影響
沓掛健太朗,玉岡武泰,竹田精治,清水康雄,海老澤直樹,井上耕治,永井康介,宇佐美徳隆
第79回応用物理学会秋季学術講演会   2018年9月18日   
CZ-LiTaO3結晶における転位密度と小傾角粒界の空間分布の評価
梶ヶ谷富男,窪内裕太
第79回応用物理学会秋季学術講演会   2018年9月18日   
データ科学を活用した高品質多結晶材料創製に向けて [招待有り]
宇佐美徳隆, 沓掛健太朗, 松本哲也, 工藤博章, 横井達矢
日本セラミックス協会-第31回秋季シンポジウム   2018年9月5日   
Growth mechanism of polymorphism of asymmetric Σ9{115}/{111} interfaces in silicon
T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga, H. Yoshida, S. Takeda, Y. Shimizu, Y. Nagai
34th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2018)   2018年7月29日   
Structural bistability in Σ9{111}/{115} asymmetric grain boundary in Si ingots
T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga, H. Yoshida, S. Takeda, Y. Shimizu, Y. Nagai
Extended Defects in Semiconductors 2018   2018年6月24日   
Interaction of Na atoms with stacking faults in Si with different Fermi levels
H. Morito, I. Yonenaga, T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga
Extended Defects in Semiconductors 2018   2018年6月24日   
Grain boundary segregation in silicon: nanoscopic mechanism and applications [招待有り]
International Conference on Condensed-Matter and Material Science (ICCMS2018)   2018年6月20日   
Atom probe and STEM nanoanalysis of grain boundary segregation in Si [招待有り]
14th International Conference on Beam Injection Assessment of Microstructures in Semiconductors (BIAMS2018)   2018年6月18日   
シリコン結晶中のΣ9{111}/{115}非対称粒界に形成される多形構造
吉田秀人,竹田精治, 横井達也, 中村篤智, 松永克志, 清水康雄, 永井康介
日本顕微鏡学会第74回学術講演会   2018年5月29日   
Interaction of sodium atoms with stacking faults in silicon crystals with different doping levels
H. Morito, K. Kutsukake, I. Yonenaga
10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC-10)   2018年4月8日   
Mechanism of oxygen segregation in multicrystalline silicon
K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, T. Yokoi, K. Nakamura, K. Matsunaga, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama
10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC-10)   2018年4月8日   
First-principles study of dependence of impurity segregation on grain boundary character in silicon
T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga
10th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC-10)   2018年4月8日   
データ科学を活用した材料創製・材料評価に向けて
沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 工藤博章, 横井達矢, 羽山裕介, 井上憲一
日本金属学会2018年春期(第162回)講演大会   2018年3月19日   
Si中のΣ9{111}/{115}非対称粒界における双安定構造
清水康雄, 永井康介, 沓掛健太朗,吉田秀人,竹田精治, 横井達也, 中村篤智, 松永克志
第65回応用物理学会春季学術講演会   2018年3月17日   
LiTaO3結晶中の小傾角粒界に並ぶ転位の解析(Ⅱ)-透過電子顕微鏡を用いた転位の同定-
窪内裕太, 梶ヶ谷富男
第65回応用物理学会春季学術講演会   2018年3月17日   
LiTaO3結晶中の小傾角粒界に並ぶ転位の解析(Ⅰ)-X線トポグラフ像とエッチピット像の対応-
梶ヶ谷富男, 窪内裕太
第65回応用物理学会春季学術講演会   2018年3月17日   
ドーピングレベルに依存するSi中の積層欠陥とNa原子の相互作用
森戸春彦, 沓掛健太朗, 米永一郎, 横井達也, 中村篤智, 松永克志
第65回応用物理学会春季学術講演会   2018年3月17日   
分野融合で始まる欠陥研究の新時代 -学会を越えた視点から見えてくるもの-
沓掛健太朗, 中村篤智
第65回応用物理学会春季学術講演会   2018年3月17日   
Structural properties of low-resistance Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature
Energy, Materials, and Nanotechnology Photovoltaics Meeting 2018   2018年1月15日   
Origin of the resistance at Si/GaAs heterointerfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature
H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa
Materials Research Society 2017 Fall Meeting   2017年11月26日   
Polymorphism of asymmetric Σ9{111}/{115} interfaces in silicon
K. Kutsukake, H. Yoshida, S. Takeda, T. Yokoi, A. Nakamura, K. Matsunaga
Materials Research Society 2017 Fall Meeting   2017年11月26日   
Evaluation of mechanical properties of cubic-BN(111) bulk single crystal using nanoindentation
M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga, T. Taniguchi
第36回電子材料シンポジウム   2017年11月8日   
TEM-アトムプローブ複合法によるシリコン粒界における酸素の偏析機構の解明
井上海平, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治, 田中真悟, 香山正憲
東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター 平成29年度大洗研究会   2017年10月4日   
TEM observation of femtosecond-laser-induced periodic structures on SiC substrates
R. Miyagawa, M. Deura, I. Yonenaga, O. Eryu
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)   2017年9月17日   
データ科学的手法による効率的なマッピング(3):測定点移動距離の検討
沓掛健太朗, 菊地亮太, 下山幸治
第78回応用物理学会秋季学術講演会   2017年9月5日   
室温表面活性化接合で作成したSi/GaAs界面の熱処理による構造変化
吉田秀人, 竹田精治, 梁剣波, 重川直輝
第78回応用物理学会秋季学術講演会   2017年9月5日   
シリコン結晶における不純物の粒界偏析 -微視的描像と機能-
第78回応用物理学会秋季学術講演会   2017年9月5日   
Mechanism of oxygen segregation at tilt boundaries in Si
K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama
29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS2017)   2017年7月31日   
Mechanical properties of cubic-BN bulk single crystal evaluated by nanoindentation
M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga, T. Taniguchi
12th International Conference on Nitride Semiconductors   2017年7月24日   
データ科学的手法を用いた効率的なマッピングの提案
沓掛健太朗,菊地亮太,出浦桃子,下山幸治,米永一郎
独立行政法人日本学術振興会次世代の太陽光発電システム第175委員会 第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム   2017年7月20日   
多結晶材料情報学によるスマートシリコンインゴットの創製に向けて
宇佐美徳隆, 羽山優介, 高橋勲, 松本哲也, 工藤博章, 横井達矢, 松永克志, 沓掛健太朗
独立行政法人日本学術振興会次世代の太陽光発電システム第175委員会 第14回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム   2017年7月20日   
フェムト秒レーザー誘起周期構造の結晶性評価
宮川鈴衣奈, 出浦桃子, 米永一郎, 江龍修
第9回 ナノ構造・エピタキシャル成長講演会   2017年7月13日   
平面TEM観察による表面活性化接合Si/GaAs界面の評価
吉田秀人, 竹田精治, 梁剣波, 重川直輝
日本顕微鏡学会第73回学術講演会   2017年5月30日   
3次元アトムプローブ-TEM複合法によるSi中の格子間酸素の粒界偏析評価
井上海平, 藤原航三, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 海老澤直樹, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治, 田中真悟, 香山正憲
日本顕微鏡学会第73回学術講演会   2017年5月30日   
データ科学的手法を用いた効率的なマッピングの提案
沓掛健太朗,菊地亮太,出浦桃子,下山幸治,米永一郎
金属材料研究所第133回講演会   2017年5月26日   
Atomistic structure of Si/GaAs interfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature
H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa
European Materials Research Society 2017 Spring Meeting   2017年5月21日   
Chemical nanoanalyses at grain boundaries by joint use of atom probe tomography and TEM combined with ab-initio calculations
K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, Y. Shimizu, K. Inoue, N. Ebisawa, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama
European Materials Research Society 2017 Spring Meeting   2017年5月21日   
Plane-view transmission electron microscopy of Si/GaAs interfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature
H. Yoshida, S. Takeda, J. Liang, N. Shigekawa
2017 5th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2017)   2017年5月16日   
Dislocations on Σ5{013} grain boundaries in mono-cast Si; atomistic structure and effects on mechanical properties
K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, H. Yoshida, S. Takeda, Y. Shimizu, N. Ebisawa, K. Inoue, Y. Nagai
Materials Research Society 2017 Spring Meeting   2017年4月17日   
Structural properties of Si/GaAs interfaces fabricated by surface-activated bonding at room temperature
J. Liang, N. Shigekawa
Materials Research Society 2017 Spring Meeting   2017年4月17日   
Grain boundary segregation in Si studied by atom probe tomography combined with TEM and ab-initio calculations
20th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials   2017年4月9日   
半導体における粒界・転位機能-Si粒界の偏析特性とワイドギャップ半導体の転位特性を中心として-
日本金属学会・日本鉄鋼協会東海支部 第71回若手材料研究会「格子欠陥研究の最前線」   2017年3月24日   
モノライクシリコンにおける不純物の粒界偏析機構
沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介,吉田秀人,竹田精治
日本物理学会第72回年次大会   2017年3月17日   
データ科学的手法による効率的なマッピングの検討(2)
沓掛健太朗, 菊地亮太, 出浦桃子, 下山幸治, 米永一郎
第64回応用物理学会春季学術講演会   2017年3月14日   
データ科学的手法による効率的なマッピングの検討(1)
菊地亮太, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 下山幸治, 米永一郎
第64回応用物理学会春季学術講演会   2017年3月14日   
X線トポグラフィーを用いたLiTaO3結晶に存在する欠陥の三次元解析
窪内裕太, 梶ヶ谷富男, 杉山正史, 川村祥太郎, 米永一郎
第64回応用物理学会春季学術講演会   2017年3月14日   
常温で表面活性化接合したSi/GaAs界面の原子・電子構造
吉田秀人,竹田精治, 梁剣波, 重川直輝
第64回応用物理学会春季学術講演会   2017年3月14日   
シリコン中の傾角粒界における酸素の偏析機構
井上海平, 藤原航三, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 海老澤直樹, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介,吉田秀人,竹田精治, 田中真悟, 香山正憲
第64回応用物理学会春季学術講演会   2017年3月14日   
表面活性化接合Si/GaAs界面の平面TEM観察
独立行政法人日本学術振興会接合界面創成技術第191委員会 第7回研究会   2016年12月16日   
ナノインデンテーションにより評価した窒化ホウ素(BN)の機械的特性
出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎, 谷口尚
金属材料研究所第132回講演会   2016年11月24日   
顕微発光イメージングによるシリコン結晶中の粒界評価
沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎
金属材料研究所第132回講演会   2016年11月24日   
Grain boundary segregation in mono-like Si
K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, Y. Shimizu, K. Inoue, N. Ebisawa, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda
金属材料研究所第132回講演会   2016年11月24日   
Grain boundary segregation of nickel, copper, and oxygen atoms in a mono-like Si crystal
K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, Y. Shimizu, K. Inoue, N. Ebisawa, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda
9th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC-9) & 3rd Silicon Materials Joint Workshop   2016年10月10日   
Segregation ability of oxygen and carbon atoms at large-angle grain boundaries in Si
K. Inoue, K. Fujiwara, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, Y. Shimizu, K. Inoue, N. Ebisawa, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama
9th International Workshop on Crystalline Silicon for Solar Cells (CSSC-9) & 3rd Silicon Materials Joint Workshop   2016年10月10日   
TEM-3次元アトムプローブ複合法で評価したSi中の大角粒界の不純物
井上海平, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介, 吉田秀人, 竹田精治, 田中真悟, 香山正憲
東北大学金属材料研究所附属量子エネルギー材料科学国際研究センター 平成28年度大洗研究会   2016年9月29日   
Segregation mechanism at small angle tilt boundaries in Si
K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi, H. Otubo, S. R. Nishitani
Extended Defects in Semiconductors 2016   2016年9月25日   
Nanoscopic segregation ability of large-angle tilt boundaries in Si
K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama
Extended Defects in Semiconductors 2016   2016年9月25日   
ウルツ鉱BNと立方晶BNの機械的特性の比較
出浦桃子,沓掛健太朗,米永一郎,谷口尚
第77回応用物理学会秋季学術講演会   2016年9月13日   
常温で表面活性化接合したSi/GaAs界面の平面TEM観察
梁剣波, 重川直輝
第77回応用物理学会秋季学術講演会   2016年9月13日   
シリコン中の大角粒界における不純物の偏析能
井上海平, 藤原航三, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介,吉田秀人,竹田精治, 田中真悟, 香山正憲
第77回応用物理学会秋季学術講演会   2016年9月13日   
モノライクシリコンにおける不純物の粒界偏析
沓掛健太朗, 出浦桃子, 米永一郎, 清水康雄, 井上耕治, 海老澤直樹, 永井康介,吉田秀人,竹田精治
第77回応用物理学会秋季学術講演会   2016年9月13日   
Abnormal diffusivity of oxygen in thermal-double-donor formation in Si
T. Yoshioka, M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga
18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)   2016年8月7日   
Enhanced diffusivity of Mn in heavily dislocated region of Si crystal
I. Yonenaga, R. Gotoh
18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)   2016年8月7日   
Lattice parameter of heavily impurity doped Si
I. Yonenaga, R. Gotoh, K. Omote, K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura
18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)   2016年8月7日   
Influence of grain boundaries on stress concentration in multicrystalline Si
S. Sugioka, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga
18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)   2016年8月7日   
Evaluation of mechanical properties for w-BN using nanoindentation
M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga, T. Taniguchi
18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)   2016年8月7日   
Grain boundaries in silicon crystals: Crystallographic interaction and dislocation generation during crystal growth
K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga
18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)   2016年8月7日   
First principles calculations of solution energies of dopants around stacking faults in Ge crystal
K. Sakakibara, T. Fujioka, S. R. Nishitani, I. Yonenaga
9th Pacific Rim International Conference on Advanced Materials and Processing (PRICM9)   2016年8月1日   
Elastic properties of wurtzite-type BN evaluated by nanoindentation
M. Deura, K. Kutsukake, H. Fukuyama, I. Yonenaga, T. Taniguchi
第35回電子材料シンポジウム   2016年7月6日   
TEM-3次元アトムプローブ複合法によるSi中の傾角粒界の不純物偏析能の評価
井上海平, 出浦桃子, 沓掛健太朗, 米永一郎, 海老澤直樹, 清水康雄, 井上耕治, 永井康介,吉田秀人,竹田精治,田中真悟,香山正憲
日本顕微鏡学会第72回学術講演会   2016年6月14日   
Evaluation of elastic properties of III-nitrides using nanoindentation
M. Deura, K. Kutsukake, I. Yonenaga
Summit of Materials Science 2016 (SMS2016)   2016年5月18日   
Luminescence imaging through a spatially-resolved camera for defect characterization in silicon crystals
K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga
Summit of Materials Science 2016 (SMS2016)   2016年5月18日   
Segregation abilities of large-angle tilt boundaries in silicon
K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama
Summit of Materials Science 2016 (SMS2016)   2016年5月18日   
ナノインデンテーションを用いたInNの弾性特性の解明
出浦桃子,沓掛健太朗,米永一郎,王新強
第8回 窒化物半導体結晶成長講演会   2016年5月9日   
Three-dimensional evaluation of segregation ability at grain boundaries in Si by atom probe tomography combined with transmission electron microscopy
Eorupean Materials Research Society 2016 Spring Meeting   2016年5月2日   
Self-organization of metal silicide epilayers at grain boundaries in silicon
K. Inoue, K. Kutsukake, M. Deura, T. Ohsawa, I. Yonenaga, H. Yoshida, S. Takeda, R. Taniguchi, H. Otubo, S. Nishitani, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai
Materials Research Society 2016 Spring Meeting   2016年3月28日   
Nanoscopic mechanism of impurity segregation at grain boundaries in silicon
K. Inoue, S. Ninomiya, K. Kutsukake, K. Fujiwara, M. Deura, I. Yonenaga, N. Ebisawa, Y. Shimizu, K. Inoue, Y. Nagai, H. Yoshida, S. Takeda, S. Tanaka, M. Kohyama
Materials Research Society 2016 Spring Meeting   2016年3月28日   

特許

 
特願2018-013246 : タンタル酸リチウム結晶における転位評価方法
大野 裕

社会貢献活動

 
金属材料研究所第84回夏期講習会
【その他】  2014年7月28日 - 2014年7月29日
講義:粒界特性を制御したシリコン太陽電池結晶の開発
自然科学の基礎を訪ねる「科学の最先端を市民に語る」第21回湯川記念講演会
【その他】  2005年11月19日
物理学実験のデモンストレーション
青少年のための科学の祭典
【その他】  1995年12月24日
物理実験のデモンストレーション
欧米で集光型太陽電池開発シフトへ
【情報提供】  金属時評  2009年10月25日
東北大高品質ゲルマニウム単結晶の育成に成功
【情報提供】  新素材産業情報  2009年9月20日

その他

 
2017年10月   多結晶材料情報学による一般粒界物性理論の確立とスマートシリコンインゴットの創製
多結晶材料は、組織の複雑さと粒界の多様性により、普遍的な高性能化指針が不明確でした。本研究では、大量の実用多結晶ウェーハに対するデータ収集・機械学習・理論計算の連携により、一般粒界の構造・物性の理論構築を行う多結晶材料情報学を開拓します。その有用性を、データ科学によって設計され理論に裏付けされた多結晶組織を有し、優れた特性を示す太陽電池用スマートシリコンインゴットの創製により実証します。
2017年4月   LT結晶育成における転位形成と多結晶化発生メカニズム解明
LT結晶育成における転位形成と多結晶化発生メカニズム解明
2012年4月   軽量高効率近赤外光電素子のためのGe双晶超格子の形成にむけて
軽量高効率近赤外光電素子のためのGe双晶超格子の形成にむけて
2012年2月   太陽電池用半導体中の粒界機能
半導体中の転位、粒界、ドーパント・不純物原子(点欠陥)を研究対象とし、同一欠陥に対して原子配列を透過電子顕微鏡法、電気特性(電気伝導度と少数キャリア寿命)を透過電子顕微鏡内での電気・光学測定法、また組成分布をアトムプローブ法で調べ、個々の欠陥が電気伝導特性に及ぼす影響を評価します。
2011年9月   第21回格子欠陥フォーラム「格子欠陥が担うエネルギー・環境材料に関する挑戦課題」
「格子欠陥が担うエネルギー・環境材料に関する挑戦課題」に関するシンポジウム