竹内 健

J-GLOBALへ         更新日: 19/03/19 02:40
 
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研究者氏名
竹内 健
 
タケウチ ケン
所属
中央大学
部署
理工学部
職名
教授
学位
修士(工学)(東京大学), 経営学修士(スタンフォード大学), 大学院工学系研究科電子工学専攻博士(工学)(東京大学)
科研費研究者番号
80463892

研究キーワード

 
 

研究分野

 
 

経歴

 
1993年4月
 - 
2007年7月
東芝 研究開発センター、セミコンダクタ社
 
2007年7月
 - 
2008年3月
東京大学大学院新領域創成科学研究科基盤情報学専攻准教授
 
2007年7月
 - 
2008年3月
東京大学大学院工学系研究科電子工学専攻(兼担)
 
2007年7月
 - 
2008年3月
東京大学工学部電子工学科(兼担)
 
2008年4月
 - 
2012年3月
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻准教授
 

学歴

 
1987年4月
 - 
1991年3月
東京大学 工学部 物理工学科
 
1991年4月
 - 
1993年3月
東京大学 工学系研究科 物理工学専攻
 
2001年9月
 - 
2003年6月
スタンフォード大学 経営大学院 
 

受賞

 
2017年9月
電子情報通信学会 電子情報通信学会 エレクトロニクスソサイエティ賞 多値NAND型フラッシュメモリとSSDシステムへの応用に関する先駆的研究
 
2017年5月
電子情報通信学会 集積回路研究会 LSIとシステムのワークショップ 若手研究会優秀ポスター賞 TLC NAND型フラッシュメモリのデータ保持特性を利用した高信頼化手法
 
2015年5月
電子情報通信学会 集積回路研究会 LSIとシステムのワークショップ 若手研究会優秀ポスター賞 抵抗変化型メモリ(ReRAM)の書き込み特性の評価
 
2015年2月
Silkroad Award(Far-East Student Scholarship Silkroad Award(Far-East Student Scholarship Application) Enterprise-Grade 6× Fast Read and 5× Highly Reliable SSD with TLC NAND-Flash Memory for Big-Data Storage
受賞者: T. Tokutomi, M. Doi, S. Hachiya, A. Kobayashi, S. Tanakamaru,K. Takeuchi
 
2014年5月
LSIとシステムのワークショップ 若手研究会優秀ポスター賞 1Xnm NANDフラッシュメモリの各書き換え回数における最適な非対称符号化手法
 

論文

 
Write and Read Frequency-Based Word-Line Batch VTH Modulation for 2D and 3D-TLC NAND Flash Memories
Yoshiaki Deguchi, Shun Suzuki and Ken Takeuchi
IEEE J. of Solid-State Circuit   53(10) 2917-2926   2018年10月   [査読有り]
System-level Read Disturb Suppression Techniques of TLC NAND Flash Memories for Read-Hot/Cold Data Mixed Applications
Hikaru Watanabe, Yoshiaki Deguchi, Atsuro Kobayashi, Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
Solid-State Electronics   147 63-67   2018年9月   [査読有り]
Reliability Analysis of Scaled NAND Flash Memory based SSDs with Real Workload Characteristics by Using Real Usage-Based Precise Reliability Test
Yusuke Yamaga, Chihiro Matsui, Yukiya Sakaki and Ken Takeuchi
IEICE Transactions on Electronics   E101-C(4) 243-252   2018年4月   [査読有り]
Analysis of SCM-based SSD Performance in Consideration of SCM Access Unit Size, Write/Read Latencies and Application Request Size
Hirofumi Takishita, Yutaka Adachi, Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
IEICE Transactions on Electronics   E101-C(4) 253-262   2018年4月   [査読有り]
Analysis on applicable ECC strength of SCM and NAND flash in hybrid storage
Chihiro Matsui, Reika Kinoshita and Ken Takeuchi
Japanese Journal of Applied Physics   57(4S)    2018年3月   [査読有り]

Misc

 
アップル、iPhone Xの発売と東芝メモリへの出資の相似形
竹内健
アゴラ言論プラットフォーム      2017年9月
夏休みは大学のオープンキャンパスに行こう
竹内健
アゴラ言論プラットフォーム      2017年8月
潮目が変わって来た日本の半導体
竹内健
アゴラ言論プラットフォーム      2017年7月
Trade-off of Performance, Reliability and Cost of SCM/NAND Flash Hybrid SSD
Hirofumi Takishita, Shuhei Tanakamaru, Sheyang Ning and Ken Takeuchi
IEICE Transactions on Electronics   E99-C(4) 444-451   2016年4月
Highly Scalable Fe(Ferroelectric)-NAND Cell with MFIS(Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor) Structure for Sub-10 nm Tera-Bit Capacity NAND Flash Memories
Teruyoshi Hatanaka, Ryoji Yajima, Ken Takeuchi
International Symposium on Secure-Life Electronics   357-359   2009年1月

書籍等出版物

 
3D Flash Memories
Ken Takeuchi (担当:共著)
Springer   2016年6月   
10年後、生き残る理系の条件
竹内健
朝日新聞出版   2016年1月   
未来予測レポート メガトレンド 半導体 2014-2023
竹内健 (担当:共著)
日経BP社   2013年   
半導体ストレージ 2014
竹内健 (担当:共著)
日経BP社   2013年   
Emerging Nanoelectronic Devices
Ken Takeuchi (担当:共著)
John Wiley & Sons   2013年   

講演・口頭発表等

 
Endurance-based Dynamic VTH Distribution Shaping of 3D-TLC NAND Flash Memories to Suppress Both Lateral Charge Migration and Vertical Charge De-trap and Increase Data-retention Time by 2.7x
Shun Suzuki, Yoshiaki Deguchi, Toshiki Nakamura and Ken Takeuchi
IEEE European Solid-State Device Research Conference Conference   2018年9月   
Observation and analysis of bit-by-bit cell current variation during data-retention of TaOx-based ReRAM
Kazuki Maeda, Shinpei Matsuda, Ryutaro Yasuhara and Ken Takeuchi
IEEE European Solid-State Device Research Conference Conference   2018年9月   
“75% Performance Boost of RAID-5 Storage with SSDs by Garbage Collection Overhead Reduction for 3D NAND Flash Memory
Yusuke Sugiyama, Chihiro Matsui and Ken Takeuchi
Silicon Nanoelectronics Workshop   2018年6月   
280x Data-retention Lifetime and 11x Write/Erase Endurance Enhancement of TLC NAND Flash Memories storing Deep Neural Network Weight Data by Data Compression
Yoshiaki Deguchi and Ken Takeuchi
Silicon Nanoelectronics Workshop   2018年6月   
5x Reliability Enhanced 40nm TaOx Approximate-ReRAM with Domain-Specific Computing for Real-time Image Recognition of IoT Edge Devices
Yusuke Yamaga, Yoshiaki Deguchi, Shouhei Fukuyama and Ken Takeuchi
IEEE Symp. on VLSI Technologies   2018年6月   

特許

 
(KR)10-2015-7032750 : データ記憶システムおよびその制御方法
共同発明者:宮地幸祐、孫超(中央大学)
(US)14/891425 : データ記憶システムおよびその制御方法
共同発明者:宮地幸祐、孫超(中央大学)
(CN)ZL201380071951.1 : 半導体記憶装置およびその制御方法
共同発明者:田中丸周平(中央大学)
(KR)1700057 : 半導体記憶装置およびその制御方法
共同発明者:田中丸周平(中央大学)
特願2013-105093 : 半導体記憶装置およびその制御方法
共同発明者:蜂谷尚悟、上口光、宮地幸祐、岡本峻(中央大学)