垣内拓大 (Takuhiro Kakiuchi) - マイポータル

基本情報

所属: 愛媛大学大学院理工学研究科特任准教授/講師

J-GLOBAL ID: 200901059053384040
researchmap会員ID: 6000012648

研究キーワード

研究分野

経歴

2023年4月 - 現在

愛媛大学大学院, 理工学研究科, 特任准教授/講師
2008年4月 - 2023年3月

愛媛大学大学院, 理工学研究科環境機能科学専攻, 助教（特任講師）
2017年8月 - 2018年8月

Helmholtz Zentrum Berlin, Methods and Instrumentation for Synchrotron Radiation Research, Guest Researcher

学歴

2006年4月 - 2008年3月

総合研究大学院大学（総研大）, 高エネルギー加速器科学研究科, 物質構造科学専攻
- 2008年

総合研究大学院大学
2004年4月 - 2006年3月

愛媛大学大学院, 理工学研究科, 物質理学専攻
2000年4月 - 2004年3月

愛媛大学, 理学部, 物質理学科
- 2004年

愛媛大学

委員歴

2015年4月 - 現在

愛媛大学理学同窓会, 幹事
2020年8月 - 2020年8月

愛媛大学Webオープンキャンパス理学部WG座長, オープンキャンパス理学部WG

受賞

2020年12月

理学部研究奨励賞, 愛媛大学理学部
2019年12月

理学部研究奨励賞, 愛媛大学理学部

垣内拓大

論文

Oxidation Mechanisms of Hafnium Overlayers Deposited on a Si(111) Substrate

Takuhiro Kakiuchi, Tomoki Matoba, Daisuke Koyama, Yuki Yamamoto, Akitaka Yoshigoe

Langmuir 38(8) 2642-2650 2022年査読有り筆頭著者責任著者
Precise chemical state analyses of ultrathin hafnium films deposited on clean Si(111)-7 x 7 surface using high-resolution core-level photoelectron spectroscopy

垣内拓大, 的場友希, 小山大輔, 山本優貴, 加藤大暉, 吉越章隆

Surface Science 701 121691-1-121691-8 2020年7月13日査読有り筆頭著者責任著者
Initial oxidation processes of ultrathin hafnium film and hafnium disilicide islands on Si(100)-2 x 1 surfaces studied using core-level X-ray photoelectron spectroscopy

垣内拓大, 山﨑英輝, 塚田千恵, 吉越章隆

Surface Science 693 121551-1-121551-8 2020年3月査読有り筆頭著者責任著者
Local valence electronic states of silicon (sub)oxides on HfO2/Si-(sub)oxide/Si(110) and HfSi2/Si-(sub)oxide/Si(110) Islands

垣内拓大, 池田恭平, 間瀬一彦, 長岡伸一

Surface Science 681 9-17 2019年3月査読有り筆頭著者責任著者
Direct Observations of Correlation between Si-2p Components and Surface States on Si(110)-16 x 2 Single-Domain Surface Using Si-L23VV Auger-Electron and Si-2p Photoelectron Coincidence Measurements

Takuhiro Kakiuchi, Yuya Yoshizaki, Hiroyuki Kubota, Yuki Sato, Shin-ichi Nagaoka, Kazuhiko Mase

JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 86(5) 2017年5月査読有り筆頭著者責任著者
Site-Specific Electron-Relaxation Caused by Si:2p Core-Level Photoionization: Comparison between F3SiCH2CH2Si(CH3)(3) and CI3SiCH2CH2Si(CH3)(3) Vapors by Means of Photoelectron Auger Electron Coincidence Spectroscopy

Shin-ichi Nagaoka, Takuhiro Kakiuchi, Joji Ohshita, Osamu Takahashi, Yasumasa Hikosaka

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY A 120(50) 9907-9915 2016年12月査読有り
Local Valence Electronic States and Valence-Band Maximum of Ultrathin Silicon Nitride Films on Si(111) Studied by Auger Photoelectron Coincidence Spectroscopy: Thickness and Interface Structure Dependence

Takuhiro Kakiuchi, Masashi Tahara, Kazuhiko Mase, Shin-ichi Nagaoka

JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 84(4) 2015年4月査読有り筆頭著者責任著者
Decay Processes of Si 2s Core Holes in Si(111)-7 x 7 Revealed by Si Auger Electron Si 2s Photoelectron Coincidence Measurements

Kazuhiko Mase, Kenta Hiraga, Sadanori Arae, Rui Kanemura, Yusaku Takano, Kotaro Yanase, Yosuke Ogashiwa, Nariaki Shohata, Noritsugu Kanayama, Takuhiro Kakiuchi …

JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 83(9) 2014年9月査読有り
オージェ電子－光電子コインシデンス分光によるシリコン単結晶表面および酸化シリコン超薄膜の局所電子状態の研究

垣内拓大, 間瀬一彦, 長岡伸一

ぶんせき 7(7) 374-380 2014年査読有り筆頭著者責任著者
Attempts to improve the sensitivity and the energy resolution of an analyzer for Auger photoelectron coincidence spectroscopy and electron ion coincidence spectroscopy

Sadanori Arae, Rui Kanemura, Kenta Hiraga, Yosuke Ogashiwa, Kohtaro Yanase, Noritsugu Kanayama, Shinya Ohno, Takuhiro Kakiuchi, Kazuhiko Mase, Koji K. Okudaira …

Journal of the Vacuum Society of Japan 56(12) 507-510 2013年査読有り
Site-specific ion desorption from condensed F3SiCD2CH2Si(CH3)(3) induced by Si-2p core-level ionizations studied with photoelectron photoion coincidence (PEPICO) spectroscopy, Auger photoelectron coincidence spectroscopy (APECS) and Auger electron photoion coincidence (AEPICO) spectroscopy

Kazuhiko Mase, Eiichi Kobayashi, Akira Nambu, Takuhiro Kakiuchi, Osamu Takahashi, Kiyohiko Tabayashi, Joji Ohshita, Shogo Hashimoto, Masatoshi Tanaka, Shin-ichi Nagaoka

SURFACE SCIENCE 607 174-180 2013年1月査読有り
Study of Local Valence Electronic States of SiO2 Ultrathin Films Grown on Si(111) by Using Auger Photoelectron Coincidence Spectroscopy: Upward Shift of Valence-Band Maximum Depending on the Interface Structure

Takuhiro Kakiuchi, Narihiko Fujita, Kazuhiko Mase, Masatoshi Tanaka

JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 81(7) 2012年7月査読有り筆頭著者責任著者
A Study To Control Chemical Reactions Using Si:2p Core Ionization: Site-Specific Fragmentation

Shin-ichi Nagaoka, Hironobu Fukuzawa, Georg Pruemper, Mai Takemoto, Osamu Takahashi, Katsuhiro Yamaguchi, Takuhiro Kakiuchi, Kiyohiko Tabayashi, Isao H. Suzuki, James R. Harries …

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY A 115(32) 8822-8831 2011年8月査読有り
Local Valence Electronic States of SiO2 Ultrathin Films Grown on Si(100) Studied Using Auger Photoelectron Coincidence Spectroscopy: Observation of Upward Shift of Valence-Band Maximum as a Function of SiO2 Thickness

Takuhiro Kakiuchi, Narihiko Fujita, Kazuhiko Mase, Masatoshi Tanaka, Shin-ichi Nagaoka

JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN 80(8) 2011年8月査読有り筆頭著者責任著者
Surface-site-selective study of valence electronic states of a clean Si(111)-7×7 surface using Si-L₂₃VV Auger electron and Si-2p photoelectron coincidence measurements

KAKIUCHI T, TAHARA M, HASHIMOTO S, FUJITA N, TANAKA M, MASE K, NAGAOKA S

American Physical Society, Phys. Rev. B 83(3) 035320 2011年3月査読有り
Surface-site-selective study of valence electronic states of a clean Si(111)-7x7 surface using Si L23VV Auger electron and Si 2p photoelectron coincidence measurements

Takuhiro Kakiuchi, Masashi Tahara, Shogo Hashimoto, Narihiko Fujita, Masatoshi Tanaka, Kazuhiko Mase, Shin-ichi Nagaoka

PHYSICAL REVIEW B 83(3) 035320 2011年1月査読有り筆頭著者責任著者
Surface-Site-Selective study of Valence Electronic Structures of Clean Si(100)-2×1 Using Si-L23VV Auger Electron - Si-2p Photoelectron Coincidence Spectroscopy

T. Kakiuchi, S. Hashimoto, N. Fujita, M. Tahara, K. Mase, S. Nagaoka

J. Phys. Soc. Jpn. 79(6) 064714-1-064714-4 2010年6月査読有り筆頭著者責任著者
Topmost-surface-sensitive Si-2p photoelectron spectra of clean Si(100)-2×1 measured with photoelectron Auger coincidence spectroscopy Surface Science

T. Kakiuchi, S. Hashimoto, N. Fujita, M. Tahara, K. Mase, S. Nagaoka

Surf. Sci. 604(9-10) L27-L30 2010年5月査読有り筆頭著者責任著者
Hydrogen ion desorption from amorphous carbon films induced by resonant core electron excitations

Yutaka Mera, Shijin Liang, Takayuki Fujiwara, Kiichiro Ishizaki, Takuhiro Kakiuchi, Kazuhiko Mase, Eiichi Kobayashi, Koji Okudaira, Koji Maeda

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 268(2) 127-130 2010年1月査読有り
Ion Desorption from Single-Walled Carbon Nanotubes Induced by Soft X-ray Illumination

Yutaka Mera, Takayuki Fujiwara, Kiichiro Ishizaki, Rong Xiang, Junichiro Shiomi, Shigeo Maruyama, Takuhiro Kakiuchi, Kazuhiko Mase, Koji Maeda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 49(10) 105104-1-105104-5 2010年査読有り

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MISC

超音速酸素分子線照射によるHfSi₂/Si(111)表面の酸化と反応障壁高さ

垣内拓大, 白石朗, 山根亮太郎, 矢野貴大, 津田泰孝, 吉越章隆

日本表面真空学会学術講演会要旨集(Web) 2021 2021年
Si(100)‐2×1清浄表面に作製したハフニウム超薄膜の酸素吸着と脱離

垣内拓大, 山崎英輝, 塚田千恵, 塚田千恵, 吉越章隆

分子科学討論会講演プログラム&要旨(Web) 12th ROMBUNNO.2P049 (WEB ONLY) 2018年
Si(110)清浄表面上に作製したハフニウムシリサイド超薄膜の表面界面を選別した局所価電子状態

垣内拓大, 山崎真寛, 間瀬一彦

PF Act. Rep. 2016 34 2017年
Si(110)-16×2シングルドメイン清浄表面への水素吸着過程とその表面物性

垣内拓大, 中納佑二, 長岡伸一, 間瀬一彦

物構研サイエンスフェスタ要旨集 3rd 2015年
低速電子回折と電子分光法によるHf蒸着Si(110)-16×2シングルドメイン表面の研究

垣内拓大, 桂木拓磨, 中納佑二, 吉越章隆, 長岡伸一, 間瀬一彦

表面科学学術講演会要旨集 35 138-138 2015年
26pPSA-62 Si-LWオージェ電子-Si 2s光電子コインシデンス分光によるSi-2s内殻正孔緩和過程の研究(26pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

平賀健太, 新江定憲, 兼村瑠威, 小柏洋輔, 梁瀬虹太朗, 高野優作, 金山典嗣, 大野真也, 垣内拓大, 所畑成明 …

日本物理学会講演概要集 68(1) 983-983 2013年3月26日
Auger electron spectra of hydrogenated Si(111)-1×1 surface obtained from Si-L23Vv Auger electron Si-2p photoelectron coincidence measurements

T. Yamazaki, S. Hashimoto, T. Kakiuchi, K. Mase, M. Tanaka

J. Phys.: Conference Series 288 012016 (1)-012016 (5) 2011年
表面研究用ｵｰｼﾞｪ電子-光電子コインシデンス分光、電子-イオンコインシデンス分光兼用装置、および電子-極角分解イオンコインシデンス分光装置の開発

Photon Factory News編集委員会Photon Factory News 27(3) 37 2009年
外径70mmのコンフラットフランジにマウントした加熱冷却機構付き二酸化チタン（TiO2）単結晶ホルダー

垣内拓大, 間瀬一彦

日本真空協会 51 44-47 2008年10月
Titanium dioxide (TiO2) single crystal holder with a cold trap and a heating mechanism mounted on a conflat flange with an outer diameter of 70 mm

Takuhiro Kakiuchi, Kazuhiko Mase

Journal of the Vacuum Society of Japan 51(1) 44-47 2008年
Kinetics of the reaction by vitamin E is regenerated which natural by vitamin C

Shin-ichi Nagaoka, Takuhiro Kakiuchi, Keishi Ohara, Kazuo Mukai

CHEMISTRY AND PHYSICS OF LIPIDS 146(1) 26-32 2007年3月
18pXB-10 軟X線照射によるカーボンナノチューブからの原子脱離(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

目良裕, 有馬智史, 諏訪秀麿, 藤原貴之, 石崎喜一郎, 垣内拓大, 間瀬一彦, 前田康二

日本物理学会講演概要集 62(1) 938-938 2007年2月28日
Development of an Electron Electron Ion Coincidence Apparatus for Auger-Photoelectron Coincidence Spectroscopy (APECS) and Electron Ion Coincidence (EICO) Spectroscopy

Photon FactoryPF Activity Report 2006, Part A, Highlights 55 A 55 2007年
70 mmコンフラットフランジマウント型加熱冷却機構付シリコン単結晶ホルダー

小林英一, 南部英, 垣内拓大, 間瀬一彦

日本真空協会真空 50(1) 57-59 2007年
Development of an Electron Electron Ion Coincidence Apparatus for Auger-Photoelectron Coincidence Spectroscopy (APECS) and Electron Ion Coincidence (EICO) Spectroscopy

Photon FactoryPF Activity Report 2006, Part A, Highlights 55 A 55 2007年
Silicon single crystal wafer holder with a cold trap and a direct current heating mechanism mounted on a conflat flange with an outer diameter of 70 mm

Eiichi Kobayashi, Akira Nambu, Takuhiro Kakiuchi, Kazuhiko Mase

Shinku/Journal of the Vacuum Society of Japan 50(1) 57-59 2007年
Flavonoidの抗酸化作用におけるトンネル効果の研究

垣内拓大, 小原敬士, 長岡伸一, 向井和男

分子構造総合討論会講演要旨集(CD-ROM) 2004 3P077 2004年9月1日

講演・口頭発表等

ハフニウムが吸着したSi(111)基板の局所/全域で進行する酸化反応機構

垣内拓大, 津田泰孝, 吉越章隆

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月22日
超音速酸素分子線照射による非平衡ハフニウム吸着シリコン(111) 表面界面での酸化反応

垣内拓大, 穴井亮太, 佐伯大殊, 津田泰孝, 吉越章隆

第16回分子科学討論会 2022横浜 2022年9月19日
超音速酸素分子線照射によるHfSi2/Si(111)表面の酸化と反応障壁高さ

垣内拓大, 白石朗, 山根亮太郎, 矢野貴大, 津田泰孝, 吉越章隆

2021年日本表面真空学会学術講演会 2021年11月5日
内殻光電子分光法によるHf/Si(111)超薄膜表面界面の酸化ダイナミクス

垣内拓大, 的場友希, 小山大輔, 山本優貴, 吉越章隆

第15回分子科学討論会 2021年9月18日
PFハイブリッドモード用パルスセレクターを用いた内殻励起イオン脱離計測

和田真一, 垣内拓大, 田中宏和, 足立純一

第34回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム 2021年1月
放射光光電子分光法を用いたハフニウム吸着Si半導体の表面界面化学状態を選別した酸化反応追跡

垣内拓大

2020年日本化学会中国異国支部大会島根大会 2020年11月28日招待有り
Hf 4f, Si 2p, およびO1s 内殻分光によるSi(111)上に作製したハフニウム超薄膜の初期酸化過程解明

垣内拓大, 小山大輔, 吉越章隆

2019年日本表面真空学会学術講演会 2019年10月28日
HfO2/Si超薄膜からのハフニウムジシリサイド形成とその表面局所価電子状態

垣内拓大

2018年度量子ビームサイエンスフェスタ 2019年3月12日
139

Influence of hafnium chemical state difference on initial silicon oxidation at interface between hafnium deposition and Si(100) substrate

垣内拓大, 山崎英輝, 塚田千恵, 吉越章隆

2018年日本表面真空学会学術講演会 2018年10月19日
Oxygen adsorption and desorption of ultrathin Hafnium film on clean Si(100)-2×1 surface

垣内拓大, 山崎英輝, 塚田千恵, 吉越章隆

第12回分子科学討論会 2018年9月11日
Si-(sub)0xides selective local valence electronic states of HfSi2/Si-(sub)0xides/Si(110) and HfO2/Si-(sub)oxides/Si(110)

垣内拓大

The International Conference on Many Particle Spectroscopy of Atoms, Molecules, Clusters and Surfaces 2018年8月22日
Si(110)-16×2シングルドメイン表面上に作製した Hfシリサイド超薄膜の表面界面を選別した局所価電子状態

垣内拓大, 山崎真寛, 長岡伸一, 間瀬一彦

2016年度量子ビームサイエンスフェスタ（第8回MLFシンポジウム／第34回PFシンポジウム） 2017年3月14日
同時計数法を用いた固体試料表面界面の単原子分光

垣内拓大

京都工芸繊維大学「分子構造化学セミナー」 2017年3月10日招待有り
Hf/SiO2/Si(110)およびHfO2/SiO2/Si(110)超薄膜の界面を選別した局所価電子状態の研究

垣内拓大, 池田恭平, 長岡伸一, 間瀬一彦

2016年真空・表面科学合同講演会 2016年11月29日
Si(110)-16×2 シングルドメイン清浄表面上に作製したSiO2超薄膜の表面界面組成と表面局所価電子状態

垣内拓大, 池田恭平, 長岡伸一, 間瀬一彦

第10回分子科学討論会 2016年9月13日
オージェ電子・光電子コインシデンス分光を用いた金薄膜のオージェ2正孔終状態におけるスピン軌道状態の検出

小玉開, 田中正人, 大野真也, 垣内拓大, 間瀬一彦, 奥平幸司, 田中正俊, 田中慎一郎

日本物理学会第 71回年次大会 2016年3月19日
Si(110)-16×2シングルドメイン表面上に作製したHfおよびHfO2超薄膜界面を選別した局所価電子状態

垣内拓大, 池田恭平, 長岡伸一, 間瀬一彦

2015年度量子ビームサイエンスフェスタ（第7回MLFシンポジウム／第33回PFシンポジウム） 2016年3月15日
Si(110)-16x2シングルドメイン表面上に作製したSiO2超薄膜の膜厚に依存した表面局所価電子状態の変化

垣内拓大, 池田恭平, 長岡伸一, 間瀬一彦

2015年度量子ビームサイエンスフェスタ（第7回MLFシンポジウム／第33回PFシンポジウム） 2016年3月15日
オージェ電子ｰ光電子コインシデンス分光測定によるAu内殻正孔緩和過程の研究

小玉開, 田中正人, 大野真也, 垣内拓大, 間瀬一彦, 奥平幸司, 田中正俊, 田中慎一郎

2015年真空・表面科学合同講演会 2015年12月1日
低速電子回折と電子分光法による Hf蒸着Si(110)-16×2シングルドメイン表面の研究

垣内拓大, 桂木拓磨, 中納佑二, 吉越章隆, 長岡伸一, 間瀬一彦

2015年真空・表面科学合同講演会 2015年12月1日

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担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

金属（Hf・Zr）／Si半導体表面界面局所構造中シリサイドの酸化反応理解と制御

独立行政法人日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究（C） 2021年4月 - 2024年3月
凹凸あるSi表面でのhigh-k材料超薄膜の成長過程とその低次元物性発現の観測

日本学術振興会基盤研究(C) 2017年4月 - 2020年3月

垣内拓大
Si(110)単結晶上に作製した二酸化ハフニウム超薄膜の表面界面を選別した局所価電子状態の同時観測

公益財団法人村田学術振興財団海外派遣援助 2018年6月 - 2018年8月

垣内拓大
固体表面研究用角度分解同時計数装置の開発による単原子分光研究

国立大学法人愛媛大学愛媛大学外国派遣研究員制度 2017年8月 - 2018年3月

垣内拓大
リアルタイムX線光電子分光法によるシリコン（Si）単結晶上に作製したハフニウム（Hf）超薄膜の酸化過程の観測

文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム事業 2016年8月 - 2017年3月

垣内拓大
不活性Si(110)表面の1次元構造を利用した高誘電体超薄膜作製と薄膜物性評価

日本学術振興会若手研究(B) 2014年4月 - 2016年3月

垣内拓大
分子／半導体表面の個々の原子サイトを選別した局所電子状態、電子励起ダイナミクス

日本学術振興会基盤研究(B) 2012年4月 - 2015年3月

間瀬一彦
Si(110)表面の1次元列を利用したマルチプルゲートスタック構造の開発に向けて

公益財団法人村田学術振興財団 2013年9月 - 2014年9月

垣内拓大
Si(110)表面の1次元鎖をチャンネルワイヤーとしたマルチプルゲートスタック構造の創製

公益財団法人日揮実吉奨学会 2013年9月 - 2014年3月

垣内拓大
メタルシリサイド超薄膜の埋もれた表面界面準位の選択的かつ定量的観測

国立大学法人愛媛大学理学部長裁量経費 2013年8月 - 2014年3月

垣内拓大
金属・金属酸化物高誘電体超薄膜の表面界面近傍に特異な局所価電子状態の定量的観測

日本学術振興会若手研究(B) 2011年4月 - 2013年3月

垣内拓大
高誘電体ゲート絶縁膜の表面界面局所価電子状態の研究

公益財団法人住友財団基礎科学研究助成 2010年11月 - 2012年3月

垣内拓大
小規模実験室専用コインシデンス分光装置の開発による気体分子の内殻電子励起ダイナミクスの研究

国立大学法人愛媛大学萌芽研究 2008年8月 - 2011年3月

垣内拓大
気体および固体の内殻電子励起ダイナミクスの研究が可能な電子銃を用いた実験室用コインシデンス分光装置の開発

公益財団法人松尾学術振興財団松尾学術研究助成 2008年10月 - 2010年3月

垣内拓大

社会貢献活動

身の回りの表面科学を解く

講師

愛媛県立西条高等学校 2021年12月2日 - 2021年12月2日
身の回りの表面科学を解く

講師

愛媛県立東温高等学校 2021年7月30日 - 2021年7月30日
原子・分子の世界を“見て” 、“理解し”、想像（創造）する！

講師

文部科学省高松第一高等学校（SSH） 2016年9月26日 - 2016年9月26日
物質の世界を理解し、機能材料を創製する！

講師

文部科学省高松第一高等学校（SSH） 2015年9月14日 - 2015年9月14日
ドライアイスで遊ぼう

企画, 運営参加・支援, 実演

愛媛大学理学部親子で楽しむ科学実験 2015年8月22日 - 2015年8月23日
スライムを作ろう

企画, 運営参加・支援, 実演

愛媛大学理学部親子で楽しむ科学実験 2014年8月23日 - 2014年8月24日
低温の世界

企画, 運営参加・支援, 実演

愛媛大学理学部親子で楽しむ科学実験 2013年8月24日 - 2013年8月25日
光（ひかり）の万華鏡（まんげきょう）を作（つく）ろう

企画, 運営参加・支援, その他

日本化学会中国四国支部おもしろワクワク化学の世界 2012年8月17日 - 2012年8月19日
2012研究者入門

講師

総合研究大学院大学研究者入門2012 − 研究者コミュニティーへの招待 2012年7月14日 - 2012年7月16日

その他

Hf/Si超薄膜表面界面で起こる酸化反応前後の仕事関数並びに化学状態変化

2021年4月 - 2023年3月

物質構造科学研究所放射光共同利用実験申請課題、代表、採択、課題番号：2021G026
Si(100)基板上Hf堆積膜の⼀酸化窒素による酸窒化反応；表⾯界⾯化学状態を選別した反応性

2022年6月 - 2022年7月

「マテリアル先端リサーチインフラ（ARIM Japan）事業」2022 年度（上期）施設供用研究課題、代表、採択、2022A-E16
N2分子曝露/分子線照射によるHf/Si(111)超薄膜の表面界面窒化反応ダイナミクスの観測

2021年10月 - 2022年2月

「ナノテクノロジープラットフォーム」2021 年度（下期）施設供用研究課題、代表、採択、2021B-E18
超音速酸素分子線の運動エネルギーに依存して変化するHfSi4/Si(111)表面層酸化の観測

2021年4月 - 2021年7月

「ナノテクノロジープラットフォーム」2021年度（上期）施設供用研究課題、代表、採択、2021A-E16
O2超音速分子線の運動エネルギーに依存して変化するHf/Si(111)超薄膜酸化の反応経路解明

2020年4月 - 2020年7月

「ナノテクノロジープラットフォーム」2020年度（上期）施設供用研究課題、代表、採択、2020A-E17
high-k材料/Si単結晶系の表面界面における化学状態と局所価電子状態

2019年4月 - 2019年4月

物質構造化学研究所放射光共同利用実験申請課題、代表、採択、課題番号：2019G060
凹凸あるSi表面上に作製したhigh-k材料超薄膜の分光学的研究；吸着ダイナミクスと表面界面物性

2017年4月 - 2017年4月

物質構造科学研究所放射光共同利用実験申請課題、代表、採択、課題番号：2017G041
リアルタイム光電子分光法によるSi 単結晶上に作製したHf 超薄膜表面界面の酸化過程の解明

2016年12月 - 2016年12月

SPring-8内JAEA、BL23SU、平成２８年度(下期)施設供用研究課題、代表、採択、課題番号：２０１６Ｂ－Ｅ１５
Si(110)表面上に作製した金属・酸化物超薄膜の表面界面局所価電子状態の研究

2015年4月 - 2015年4月

物質構造科学研究所放射光共同利用実験申請課題、代表、採択、課題番号：2015G011
Si(110)表面上に作製した誘電体・金属シリサイド超薄膜の表面界面局所価電子状態の研究

2013年4月 - 2013年4月

物質構造科学研究所放射光共同利用実験申請課題、代表、採択、課題番号：2013G019
コインシデンス分光による Si 表面上に作成した高誘電体超薄膜の局所価電子状態の研究

2011年6月 - 2011年6月

平成23年度広島大学放射光科学研究センター共同研究課題、代表、採択、課題番号：11-B-24
コインシデンス分光によるSi表面上に作製した高誘電体超薄膜の局所価電子状態の研究

2011年4月 - 2011年4月

物質構造科学研究所放射光共同利用実験G課題、代表、採択、課題番号：2011G099

垣内拓大

基本情報

研究キーワード

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経歴

学歴

委員歴

受賞

論文

MISC

講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

社会貢献活動

その他

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