半導体多層膜による微小共振器構造を用いて光パルスの電場強度や時間形状を制御し、超高速かつ大きな非線形光学応答を得ることによって、超高速動作できる面型全光スイッチングデバイスの実現を目的とする。特に実床において有利なGaAs基板上に作製可能なIII-V族化合物半導体材料を用いて、波長1.5ミクロン帯で動作するデバイスの実現を図る。