冨岡 克広

J-GLOBALへ         更新日: 17/10/27 14:46
 
アバター
研究者氏名
冨岡 克広
 
トミオカカツヒロ
URL
http://www.rciqe-hokudai-tomioka.com/
所属
北海道大学
部署
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
職名
准教授
学位
博士(工学)(北海道大学)
その他の所属
量子集積エレクトロニクス研究センター
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UA-89569701-2

研究分野

 

経歴

 
2016年6月
 - 
現在
北海道大学 大学院情報科学研究科 准教授
 
2015年1月
 - 
2016年5月
北海道大学 大学院情報科学研究科 助教
 
2009年10月
 - 
2014年12月
科学技術振興機構 さきがけ専任研究者
 
2009年4月
 - 
2009年9月
北海道大学大学院情報科学研究科 グローバルCOE 研究員
 
2008年4月
 - 
2009年3月
日本学術振興会 特別研究員 (PD)
 

学歴

 
2005年4月
 - 
2008年3月
北海道大学 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻博士課程
 
2003年4月
 - 
2005年3月
群馬大学 大学院工学研究科 電気電子工学修士課程
 
1999年4月
 - 
2003年3月
群馬大学 工学部 電気電子工学科
 

委員歴

 
2016年10月
 - 
現在
電子材料シンポジウム(EMS)  総務委員(論文)
 
2015年
 - 
2017年
文部科学省科学技術政策研究所科学技術動向研究センター  専門調査員
 
2017年
   
 
19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX) 実行委員  実行委員
 
2017年
 - 
2017年
IEEE Silicon Nanowlectronics Workshop 2017 (SNW 2017)  プログラム委員
 
2016年
   
 
IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop 2016 (SNW 2016)  プログラム委員
 

受賞

 
2017年4月
公益財団法人 船井情報科学振興財団 第16回船井学術賞
 
2016年12月
独立行政法人 日本学術振興会 第13回(平成28年度)日本学術振興会賞
 
2016年9月
SSDM 2016 SSDM Paper Award Steep-Slope Tunnel FET using InGaAs-InP Core-Shell Nanowire/Si Heterojunction
受賞者: 冨岡 克広、石坂文哉、本久順一、福井孝志
 
2016年2月
国立大学法人 北海道大学 平成27年度 研究総長賞(奨励賞)
 
2015年11月
東北大学 電気通信研究所(RIEC) 第5回 RIEC Award
 
2015年11月
一般財団法人 エヌエフ基金 研究開発奨励賞優秀賞
 
2015年10月
一般財団法人 エヌエフ基金 研究開発奨励賞
 
2015年4月
文部科学省 科学技術分野の文部科学大臣表彰・若手科学者賞
 
2014年6月
一般財団法人 安藤研究所 第27回安藤研究所研究奨励賞
 
2014年3月
一般財団法人 丸文財団 第17回丸文研究奨励賞
 

論文

 
Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
ECS Transaction   80 43-52   2017年10月   [査読有り][招待有り]
Fumiya Ishizaka, Yoshihiro Hiraya, Katsuhiro Tomioka, Junithic Motohisa and Takashi Fukui
Nano Lett.   17 1350-1355   2017年2月   [査読有り]
Fumiya Ishizaka, Yoshihiro Hiraya, Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa, Takashi Fukui
Jpn. J. App. Phys.   56 010311   2016年12月   [査読有り]
A. Yoshida, K. Tomioka, F. Ishizaka, J. Motohisa
J. Cryst. Growth   464 75-79   2017年1月   [査読有り]
Advances in Steep-Slope Tunnel FETs
Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa, Takashi Fukui
IEEE ESSDERC Tech. Dig.   397-402   2016年10月   [査読有り][招待有り]

書籍等出版物

 
Novel Compound Semiconductor Nanowires – Materials, Devices, and Applications
冨岡 克広 (担当:分担執筆, 範囲:Chapter 14 – III-V Nanowires: Transistor and photovoltaic applications)
Pan Stanford Publishing   2016年12月   ISBN:9814745766
Handbook of Crystal Growth, Second Edition edited by T. Nishinaga, P. Rudolph, and T. Kuech
Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui (担当:分担執筆, 範囲:Chapter 4 in Volume: 2A - Growth of Semiconductor Nanocrystals)
Elsevier   2014年12月   ISBN:9780444563699
ナノワイヤ最新技術の基礎と応用展開
冨岡克広 (担当:分担執筆, 範囲:第III編第3章 - ナノワイヤのトランジスタ応用)
株式会社シーエムシー出版   2013年3月   ISBN:978-4-7813-0760-2
Semiconductor Nanowire and Their Optical Applications
Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui (担当:分担執筆, 範囲:Chapter 3: III-V Semiconductor Nanowires on Si by Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy.)
Springer   2012年1月   ISBN:3642224792
Advances in III-V Semiconductor Nanowires and Nanodevices, edited by J. Li, D. Wang, and R. R. LaPierre
Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka, Bin Hua, Kumar S. K. Varadwaj, Shinjiroh Hara, Kenji Hiruma and Takashi Fukui (担当:分担執筆, 範囲:III-V Semiconductor Nanowire Light Emitting Diodes and Lasers)
Bentham Science Publisher   2011年11月   

講演・口頭発表等

 
Transistor applications using vertical III-V nanowires on Si platform [招待有り]
K. Tomioka and T. Fukui
232nd ECS meeting   2017年10月1日   
MOVPE選択成長法によるナノワイヤ成長とデバイス応用 [招待有り]
冨岡 克広、本久 順一
第78回応用物理学秋季学術講演会   2017年9月8日   
Vertical III-V nanowires on Si and transistor applications [招待有り]
K. Tomioka, J. Motohisa, T. Fukui
The 15th International Conference on Advanced Materials (IUMRS-ICAM 2017)   2017年8月1日   
半導体ナノワイヤ選択成長と電子デバイス応用 [招待有り]
第9回ナノ構造エピタキシャル成長講演会   2017年7月14日   
Phase transition from Zinc Blende to Wurtzite and green-yellow emission of AlInP grown by crystal structure transfer method (Invited) [招待有り]
Takashi Fukui, Yoshihiro Hiraya, Fumiya Ishizaka, and Katsuhiro Tomioka
13th Sweden - Japan QNANO Workshop   2017年3月23日   

担当経験のある科目

 
 

競争的資金等の研究課題

 
高品質狭ギャップ化合物半導体ナノワイヤ材料の創生と省エネルギー電子素子応用
公益財団法人 矢崎科学技術振興記念財団: 第34回(2016年度)一般研究助成(新材料)
研究期間: 2017年4月 - 2020年3月    代表者: 冨岡 克広
IV族/III-V族ヘテロ接合の界面欠陥制御に基づく低電圧スイッチ素子の回路応用
独立行政法人日本学術振興会: 科学研究費助成事業(科学研究費補助金)若手研究(A)
研究期間: 2016年4月 - 2019年3月    代表者: 冨岡 克広
高品質狭ギャップ化合物半導体ナノワイヤ材料の創生と低電圧電子素子応用
公益財団法人 サムコ科学技術振興財団: 第1回(2018年度)一般研究助成
研究期間: 2017年10月 - 2018年10月    代表者: 冨岡 克広
半導体ナノワイヤを用いた新型光検出器 (分担)
独立行政法人日本学術振興会: 科学研究費助成事業 挑戦的萌芽研究
研究期間: 2016年4月 - 2018年3月    代表者: 本久 順一
新しい半導体接合による低電圧スイッチ素子応用と高性能化に関する研究
公益財団法人 カシオ科学振興財団: 第34回(平成28年度)研究助成
研究期間: 2016年12月 - 2017年12月    代表者: 冨岡 克広
ナノワイヤ異種集積技術に基づくGe/III-V ハイブリッド電子デバイスの創成
公益財団法人 マツダ財団: 第32回(2016年度)マツダ研究助成
研究期間: 2016年11月 - 2017年11月    代表者: 冨岡 克広
ナノワイヤ異種集積技術に基づくGe/III-Vハイブリッド電子デバイスの創成
公益財団法人 村田学術振興財団: 平成28年度 研究助成(自然科学)
研究期間: 2016年6月 - 2017年6月    代表者: 冨岡 克広
化合物半導体ナノワイヤによる光デバイス応用(分担)
独立行政法人日本学術振興会: 科学研究費助成事業(科学研究費補助金)基盤研究(S)
研究期間: 2015年4月 - 2016年3月    代表者: 福井孝志
新しい半導体固相界面による新規グリーンデバイスの開発
JST戦略的創造研究推進制度(個人研究型): 個人研究推進事業:さきがけ研究21-PRESTO
研究期間: 2012年10月 - 2016年3月    代表者: 冨岡克広
Si/III-V族半導体超ヘテロ界面の機能化と低電力スイッチ素子の開発
JST戦略的創造研究推進制度(個人研究型) (個人研究推進事業:さきがけ研究21‐PRESTO)
研究期間: 2009年 - 2013年

特許

 
多孔質半導体膜の形成方法
特許第4257431号
特願2009-273561 : トンネル電界効果トランジスタおよびその製造方法
冨岡 克広, 福井 孝志, 田中 智隆
特願2010-040019 : 半導体装置及び半導体装置の製造方法
本久 順一、原 真二郎、福井 孝志、冨岡 克広
PCT出願 PCT/JP2010/003762 : 発光素子およびその製造方法
冨岡 克広、福井 孝志
米国出願13/513082 : 発光素子およびその製造方法
冨岡 克広、福井 孝志
特願2011-544174 : 発光素子およびその製造方法
冨岡 克広、福井 孝志
特願2011-534074 : トンネル電界効果トランジスタおよびその製造方法
冨岡 克広, 福井 孝志, 田中 智隆
米国出願13/499333 : トンネル電界効果トランジスタおよびその製造方法
冨岡 克広, 福井 孝志, 田中 智隆
韓国出願10-2012-7007578 : トンネル電界効果トランジスタおよびその製造方法
冨岡 克広, 福井 孝志, 田中 智隆
PCT出願PCT/JP2010/005862 : トンネル電界効果トランジスタおよびその製造方法
冨岡 克広, 福井 孝志, 田中 智隆