YAMAMOTO Yasuhiro

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Name
YAMAMOTO Yasuhiro
Affiliation
Hosei University
Section
Faculty of Science and Engineering, Department of Electrical and Electronics Engineering
Job title
Professor
Research funding number
50139383

Research Areas

 
 

Academic & Professional Experience

 
Apr 1977
 - 
Mar 1980
早稲田大学理工学研究所嘱託
 
Oct 1977
 - 
Sep 1978
イギリスサリー大学研究員
 
Apr 1980
   
 
法政大学イオンビーム工学研究所研究助手
 
Apr 1982
   
 
法政大学イオンビーム工学研究所専任講師
 
Apr 1984
   
 
法政大学イオンビーム工学研究所助教授
 

Education

 
Apr 1973
 - 
Mar 1977
電気工学専攻, 理工学研究科, 早稲田大学大学院
 

Published Papers

 
Crystallization Properties of CeO2 Thin Films Deposited by MOCVD with Additional TEOS Introduction
T. Furuya, T. Sato, T. Matsumura, Y. Okabe, S. Suzuki, K. Ishibashi
Proc. 33rd Sympos. Mat. Sci. and Eng., Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University   33 70-76   Mar 2015
Hiroki Ogawa, Takuya Okazaki, Hayao Kasai, kenta Hara, Yuki Notani, Yasuhiro Yamamoto and Tohru Nakamura
Physica Status Solidi C   11(2) 302-306   Feb 2014   [Refereed]
Electrical Properties of Al Doped CeO2 Thin Films Deposited by O2 Introduced Ar Sputtering
Y. Notani, T. Okazaki, K. Hara, T. Osawa, K. Hibino, S. Suzuki, K. Ishibashi and Y. Yamamoto
Proc. 32nd Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University   32 52-57   Dec 2013
Effect of O2 Introduction Property of Al Doped CeO2 Films Deposited by Sputtering Method
K. Hara, T. Okazaki, Y. Notni, T. Osawa, K. Hibino, S. Suzuki, K. Ishibashi and Y. Yamamoto
Proc. 32nd Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University   32 46-51   Dec 2013
K. Awane, Y. Kokubo, M. Yomogida, T. Nishimura and Y. Yamamoto
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B   307 399-403   Apr 2013   [Refereed]

Misc

 
Regrowth Characteristics of SiGe/Si by IBIEC
K. Awane, W. Sekine, M. Miyashita and Y. Yamamoto
Proc. 31st Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University   (31) 55-58   Dec 2012
Molecular Dynamics Simulation of the Solid-phase Epitaxial Growth of Silicon Germanium Thin Film
Y. Yoshimaru, Y. Matsumoto and Y. Yamamoto
Proc. 31st Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University   (31) 47--50   Dec 2012
Development of Hall effect measurement equipment by AC method
M. Maejima, R. Azeti, K. Watanabe, and Y. Yamamoto
Proc. 24th Symposium on Materials Science and Enginnering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University   24 25--28   Mar 2006
Si/Ge multilayers formed by vacuum evaporation and IBIEC
K. Kawakita, K. Morozumi, T. IIzuka and Y. Yamamoto
Proc. 24th Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University   24 21--24   Mar 2006
Fabrication of CeO2 Films on Silicon Substrates by Chemical Vapor Deposition
K.Sakurai, H.Ohno, K.Tagui, T.Morita, S.Suzuki, K.Ishibashi, Y.Yamamoto
Proc. 23rd Symposium on Materials Science and Engineering, Research Center of Ion Beam Techlology, Hosei University   23 27-30   Mar 2005

Books etc

 
固体表面分析 Ⅱ
荒賀年美 他19名 (Part:Joint Work)
講談社   Apr 1995   
固体表面状態を観察、分析する種々の手法について、それぞれの手法の専門家が分筆したものをまとめたものである。 全584頁中、第9章「ラザフォード後方散乱法」(433~456頁)を担当 編者:大西孝治、堀池靖浩、吉原一紘 共著者:荒賀年美、安藤寿浩、石田英之、伊藤正時、工藤昭彦、酒井明、坂上弘之、佐藤洋一郎、鈴木茂、田中浩三、田中繁夫、堂免一成、内藤周武、野村淳子、服部健雄、堀池靖浩、本間芳和、森田清三、山本康博
表面と薄膜分析技術の基礎
海文堂   Jun 1992   
L.C.Feldman and J.W.Mayer著の“Fundamental of Surface and Thin Film Analysis”の訳であり、イオンビームやX線を用いた表面分析技術の解説書である。 全353頁中、第1から5章および第11章を担当 共著者:栗山一男、山本康博
APPLICATION OF ION BEAMS IN MATERIALS SCIENCE
法政大学出版局   May 1988   
法政大学イオンビーム工学研究所および法政大学工学部主催の第12回法政大学国際シンポジウム“Application of Ion Beams in Materials Science”のProceedings編集。 全531頁、共同研究につき本人担当部分抽出不可能 共著者:T.Sebe and Y.Yamamoto