Iwamuro Noriyuki

J-GLOBAL         Last updated: Aug 8, 2019 at 02:57
 
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Name
Iwamuro Noriyuki
E-mail
iwamuro.noriyuki.fbu.tsukuba.ac.jp
URL
http://power.bk.tsukuba.ac.jp/
Affiliation
University of Tsukuba
Section
Faculty of Pure and Applied Sciences
Job title
Professor
Degree
ph.D(Engineering)(Waseda University)
Research funding number
50581203

Research Interests

 
 

Research Areas

 
 

Academic & Professional Experience

 
Apr 1984
   
 
Fuji Electric Co., Ltd
 
Apr 2009
 - 
Mar 2013
AIST
 

Education

 
Apr 1980
 - 
Mar 1984
Waseda University
 
Jun 1992
 - 
Aug 1993
Power Semiconductor Research Center, North Carolina State University
 

Committee Memberships

 
Feb 2018
 - 
Jul 2018
The Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2018  Chair
 
Jan 2017
   
 
IEEE EDS Power Device Technical Committee  Member
 
Apr 2016
 - 
May 2017
Steering Committee Member
 
Apr 2014
 - 
Mar 2017
IEEJ  電子デバイス技術委員会/2号委員
 
May 2010
 - 
May 2010
パワー半導体国際シンポジウム(ISPSD)  Vice Program Chair
 

Published Papers

 
pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
根本, 宏樹;岡本, 大;染谷, 満;木内, 祐治;岡本, 光央;畠山, 哲夫;原田, 信介;岩室, 憲幸;矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集   105-106   Nov 2018
Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明
周, 星炎;岡本, 大;畠山, 哲夫;染谷, 満;原田, 信介;岡本, 光央;張, 旭芳;岩室, 憲幸;矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集   101-102   Nov 2018
Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
X., Zhang;D., Okamoto;T., Hatakeyama;M., Sometani;S., Harada;N., Iwamuro;矢野, 裕司
電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第24回研究会 予稿集   221-224   Jan 2019
Investigation of Unclamped Inductive Switching Capability of Silicon Carbide MOSFETs
姚, 凱倫;矢野 裕司;岩室, 憲幸
平成31年電気学会全国大会 講演論文集   10-11   Mar 2019
SiCトレンチMOSFETターンオン特性の温度依存性評価
饗場 塁士;大川 雅貴;金森 大河;小林 勇介;原田 信介;矢野 裕司;岩室 憲幸
平成31年電気学会全国大会 講演論文集   18-19   Mar 2019

Books etc

 
サーマルマネジメント材料技術
岩室,憲幸 (Part:Contributor, 次世代パワー半導体デバイスとサーマルマネジメント材料技術)
サイエンス&テクノロジー株式会社   Jul 2019   ISBN:9784864281966
高熱伝導材料の開発~さらなる熱伝導率の向上のために~
岩室,憲幸 (Part:Contributor, SiCパワーデバイスの最新動向と信頼性の課題)
(株)技術情報協会   Jul 2019   ISBN:9784861047541
ASIA Electronics Industry
Iwamuro,Noriyuki (Part:Contributor, Low-cost SiC-MOSFETs poise for global adoption)
Dempa Publications Inc.   Sep 2018   
AEI Asia Electronic Industry
Iwamuro,Noriyuki (Part:Contributor, Innovations Find Optimal Materials, Structure for Power Device)
Dempa Publications, Inc   Nov 2018   
ASIA ELECTRONICS INDUSTRY
Iwamuro,Noriyuki (Part:Contributor, Low-cost SiC-MOSFETs poise for global adoption)
電波新聞社   Sep 2018   

Conference Activities & Talks

 
Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
X., Zhang;D., Okamoto;T., Hatakeyama;M., Sometani;S., Harada;N., Iwamuro;矢野, 裕司
電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第24回研究会   25 Jan 2019   
Experimental and Numerical Investigations of Short-Circuit Failure Mechanisms for State-of-the-Art 1.2kV SiC Trench MOSFETs
大川 雅貴;饗場 塁士;金森 大河;原田 信介;矢野 裕司;Iwamuro, Noriyuki
The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)   19 May 2019   
Experimental Demonstration on Superior Switching Characteristics of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS
饗場 塁士;大川 雅貴;金森 大河;小林 勇介;原田 信介;矢野 裕司;Iwamuro, Noriyuki
The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)   19 May 2019   
Investigation of UIS Capability for -600V Class Vertical SiC p-channel MOSFET
凱倫, 姚;矢野 裕司;Iwamuro, Noriyuki
The 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs (ISPSD2019)   19 May 2019   
pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
根本, 宏樹;岡本, 大;染谷, 満;木内, 祐治;岡本, 光央;畠山, 哲夫;原田, 信介;岩室, 憲幸;矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第5回講演会   6 Nov 2018   

Research Grants & Projects

 
Si and SiC Power device
Project Year: Apr 1988   

Patents

 
6156814 : 炭化珪素半導体素子の製造方法
福田憲司;岩室, 憲幸;後藤雅秀
6206862 : 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
辻崇;木下明将;岩室, 憲幸;福田憲司
2017-139507 : 炭化珪素半導体装置
辻崇;木下明将;岩室, 憲幸;福田憲司
2018-006564 : 半導体装置および半導体装置の製造方法
福田憲司;岩室, 憲幸
6278549 : 半導体装置
原田祐一;岩室, 憲幸;星保幸;原田信介