岩室憲幸 (Noriyuki Iwamuro) - 論文

Demonstration of Superior Electrical Characteristics for 1.2 kV SiC Schottky Barrier Diode-Wall Integrated Trench MOSFET with Higher Schottky Barrier Height Metal

饗場塁士, 松井ケビン, 馬場正和, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki

IEEE Electron Device Letters 41(4112) 1810 - 1813 2020年12月査読有り

Experimental Demonstration of Superior Vf -Err Characteristics of pin Body Diode in 1.2 kV IE-UMOSFET with a Very Short Channel Length

金森大河, 饗場塁士, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki

Proceedings of PCIM Asia, 2020 25 - 29 2020年11月査読有り

Energy distribution of Al2O3/diamond interface states characterized by high temperature capacitance-voltage method

Zhang, Xufang, Matsumoto, Tsubasa, Sakurai, Ukyo, Makino, Toshiharu, Ogura, Masahiko, Yamasaki, Satoshi, Sometani, Mitsuru, Okamoto, Dai, Yano, Hiroshi, Iwamuro, Noriyuki, Inokuma, Takao, Tokuda, Norio

CARBON 168 659 - 664 2020年10月査読有り

Investigations of SiC MOSFET Short-Circuit Failure Mechanisms Using Electrical, Thermal, and Mechanical Stress Analyses

Yao, Kairun, 矢野裕司, 只野博, Iwamuro, Noriyuki

IEEE Transactions on Electron Devices 67(10) 4328 - 4334 2020年10月査読有り

Dependence of humidity-stress impact on passivation film for edge termination area in 4H-SiC diodes

松島宏行, Y.Mori, 島明夫, Iwamuro, Noriyuki

Japanese Journal of Applied Physics 59(10) 104003-1 - 104003-8 2020年10月査読有り

Analysis of 1.2 kV SiC SWITCH-MOS after Short-circuit Stress

大川雅貴, 金森大河, 饗場塁士, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki

Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs, 2020 74 - 77 2020年9月査読有り

Investigation of dVDS/dt Controllability on Rg in SWITCH-MOS to Achieve Superior Turn-on Characteristics with Low dVDS/dt

饗場塁士, 松井ケビン, 大川雅貴, 金森大河, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki

Proc. of Int. Symp. Power Semiconductors and ICs,2020 174 - 177 2020年9月査読有り

1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFET with extension structure and titanium-based single contact

清水悠佳, Watanabe, Naoki, Morikawa, Takahiro, Shima, Akio, Iwamuro, Noriyuki

Japanese Journal of Applied Physics 59(2) 026502-1 - 026502-7 2020年1月査読有り

SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析

岡本大, 周星炎, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野, 裕司

電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－第25回研究会予稿集 97 - 100 2020年1月

高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価

坂田, 大輝, 岡本大, 染谷満, 岡本光央, 原田信介, 畠山哲夫, 根本宏樹, 張旭芳, 岩室憲幸, 矢野, 裕司

先進パワー半導体分科会第6回講演会予稿集 143 - 144 2019年12月

ｐチャネル4H-SiC MOSFETのチャネルドリフト移動度の導出と散乱機構の解明

周星炎, 岡本大, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野, 裕司

先進パワー半導体分科会第6回講演会予稿集 89 - 90 2019年12月

界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETにおける3レベルチャージポンピング特性の解析

松谷優汰, 張旭芳, 岡本大, 岩室憲幸, 矢野, 裕司

先進パワー半導体分科会第6回講演会予稿集 85 - 86 2019年12月

pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析

根本宏樹, 岡本大, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野, 裕司

先進パワー半導体分科会第6回講演会予稿集 87 - 88 2019年12月

New Modulation Strategy for Volume Reduction of Inductor for q-Z-source Inverter

李夢羽, 飯島竜司, 萬年智介, 磯部高範, 只野博, Iwamuro, Noriyuki

Proceedings of The 45th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society (IECON 2019) 2019年10月査読有り

Design Strategy of Z-source Inverter for Utilization of Power Semiconductors with Extremely Low Short-circuit Capability

髙嶋薫, 飯島竜司, 萬年智介, 磯部高範, 只野博, Iwamuro, Noriyuki

Proceedings of The 45th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society (IECON 2019) 2019年10月査読有り

Threshold Voltage Instability in p-channel 4H-SiC MOSFETs Investigated by Non-relaxation Method

岡本大, 根本宏樹, 張旭芳, 周星炎, 染谷満, 岡本光央, 原田信介, 畠山哲夫, Iwamuro, Noriyuki, 矢野裕司

Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) Fr-1A-02 2019年9月査読有り

Superior turn-on loss characteristics of 1.2 kV SiC IE-UMOSFET with a very short channel length

金森大河, 饗場塁士, 大川雅貴, 原田信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki

Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) Tu-2A-05 2019年9月査読有り

Conduction mechanism of hole leakage current in 4H-SiC MOSFETs under high negative gate bias

Nemoto, Hiroki, Okamoto, Dai, Zhang, Xufang, Sometani, Mitsuru, Okamoto, Mitsuo, Hatakeyama, Tetsuo, Harada, Shinsuke, Iwamuro, Noriyuki, Yano, Hiroshi

Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) Fr-1A-04 2019年9月査読有り

Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs

Zhou, Xingyan, Okamoto, Dai, Zhang, Xufang, Sometani, Mitsuru, Okamoto, Mitsuo, Harada, Shinsuke, Iwamuro, Noriyuki, Yano, Hiroshi

Abstracts of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM2019) Th-P-52LN 2019年9月査読有り

Analysis of three-level charge pumping characteristics of 4H-SiC MOSFETs considering near-interface traps

Matsuya, Yuta, Zhang, Xufang, Okamoto, Dai, Iwamuro, Noriyuki, Yano, Hiroshi

Abstract of International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2019 (ICSCRM 2019) We-P-30 2019年9月査読有り