2021年2月1日
Langmuir-Type Mechanism for In-Situ Doping in CVD Si and Si1−xGex Epitaxial Growth
ECS Journal of Solid State Science and Technology
- ,
- 巻
- 10
- 号
- 2
- 開始ページ
- 024005
- 終了ページ
- 024005
- DOI
- 10.1149/2162-8777/abd884
- 出版者・発行元
- The Electrochemical Society
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.1149/2162-8777/abd884
- ISSN : 2162-8769
- eISSN : 2162-8777