橋坂 昌幸

J-GLOBALへ         更新日: 17/11/30 19:09
 
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研究者氏名
橋坂 昌幸
 
ハシサカ マサユキ
URL
http://www.brl.ntt.co.jp/group/butsuryo-g/index-j.html
所属
NTT物性科学基礎研究所
部署
量子固体物性研究グループ
職名
リサーチスペシャリスト
学位
博士(理学)(京都大学)
その他の所属
科学技術振興機構

プロフィール

半導体量子輸送現象を研究しています。

研究分野

 
 

経歴

 
2017年10月
 - 
現在
科学技術振興機構 さきがけ研究員(兼任)
 
2017年7月
 - 
現在
NTT物性科学基礎研究所 量子固体物性研究グループ リサーチスペシャリスト
 
2016年4月
 - 
2017年6月
東京工業大学 理学院物理学系 助教
 
2009年4月
 - 
2016年3月
東京工業大学 大学院理工学研究科物性物理学専攻 助教
 

受賞

 
2016年3月
日本物理学会領域4若手奨励賞
 
2009年10月
東京工業大学 理学若手研究奨励賞
 
2008年8月
Young Author Best Paper Award
 

Misc

 
Shuji Nakamura, Yoshiaki Yamauchi, Masayuki Hashisaka, Kensaku Chida, Kensuke Kobayashi, Teruo Ono, Renaud Leturcq, Klaus Ensslin, Keiji Saito, Yasuhiro Utsumi, Arthur C. Gossard
Physical Review Letters   104 080602   2010年
Masayuki Hashisaka, Yoshiaki Yamauchi, Kensaku Chida, Shuji Nakamura, Kensuke Kobayashi, and Teruo Ono
Review of Scientific Instruments   80(9) 096105   2009年
Shuji Nakamura, Masayuki Hashisaka, Yamauchi Yoshiaki, Shinya Kasai, Teruo Ono, and Kensuke Kobayashi
Physical Review B   79(20) 201308   2009年
Y. Yamauchi, M. Hashisaka, S. Nakamura, K. Chida, S. Kasai, T. Ono, R. Leturcq, K. Ensslin, D. C. Driscoll, A. C. Gossard, K. Kobayashi
Physical Review B   79(16) 161306   2009年
Masayuki Hashisaka, Yoshiaki Yamauchi, Shuji Nakamura, Shinya Kasai, Teruo Ono, Kensuke Kobayashi
Physical Review B   78(24) 241303   2008年

講演・口頭発表等

 
Temperature dependence of the visibility in an electronic Mach-Zehnder interferometer
2010年   
Non-equilibrium dephasing in ballistic interferometers
2009年   
Measurement for quantum shot noise in a quantum point contact at low temperatures
International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology   2008年   
Development of a measurement system for quantum shot noise at low temperatures
15th International Conference on Nonequilibrium Carrier Dynamics in Semiconductors   2007年   
Spin-filtering effect of ferromagnetic semiconductor La2NiMnO6
International Conference on Magnetism   2006年   

所属学協会

 
 

競争的資金等の研究課題

 
メゾスコピック物理学
ナノスケールのデバイスにおける量子輸送現象