2019年
Investigation of InP/Si bonding condition for optimizing Photoluminescence property by Surface Activated Bonding based on Fast Atom Beam
2019 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW)
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- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文(国際会議プロシーディングス)
- 出版者・発行元
- IEEE
- リンク情報
- ID情報
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- Web of Science ID : WOS:000539485600266