2013年4月 - 2015年3月
化合物半導体キャリアによるメタマテリアルの動的制御を用いた小型光変調器の開発
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C) 基盤研究(C)
これまで物質固有だと思われてきた誘電率や透磁率の値を人工的に制御して、自然界に存在しない物質(代表例として負の屈折率をもつような物質)を作り出そうという研究が最近注目を集めている。このような人工物質を総称して、「メタマテリアル」と呼ぶ。
メタマテリアルにおける次世代のトレンドは、それを各種機能材料と組み合わせることで、デバイスとして利用することにある。
本研究では、誘電率や透磁率の値を人工的に制御できるメタマテリアルをInP系光通信素子に融合することで、メタマテリアルの動的制御を行うとともに,それを利用した「集積型光変調器」を試作することに成功した。
メタマテリアルにおける次世代のトレンドは、それを各種機能材料と組み合わせることで、デバイスとして利用することにある。
本研究では、誘電率や透磁率の値を人工的に制御できるメタマテリアルをInP系光通信素子に融合することで、メタマテリアルの動的制御を行うとともに,それを利用した「集積型光変調器」を試作することに成功した。
- リンク情報
- ID情報
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- 課題番号 : 25420321
- 体系的課題番号 : JP25420321