德本有紀 (Yuki Tokumoto) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 東京大学

学位: 博士(科学)(東京大学)

J-GLOBAL ID: 201001089393858478
researchmap会員ID: 6000022507

研究キーワード

2

研究分野

1

ナノテク・材料 / 無機材料、物性 /

経歴

2

2013年8月 - 現在

東京大学, 生産技術研究所, 講師
2009年4月 - 2013年7月

東北大学, 金属材料研究所結晶欠陥物性学研究部門, 助教

学歴

2

2006年4月 - 2009年3月

東京大学, 大学院新領域創成科学研究科, 物質系専攻博士課程
2004年4月 - 2006年3月

東京大学, 大学院新領域創成科学研究科, 物質系専攻修士課程

受賞

2

2015年3月

若手奨励賞, 日本物理学会

徳本有紀
2012年4月

研究奨励賞, 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会

徳本有紀

論文

53

Evaluating the phonon-phason coupling strength of an Al-Ni-Co decagonal quasicrystal

Jinjia Zhang, Ning Bo, Yasushi Kamimura, Yuki Tokumoto, Keiichi Edagawa

Journal of Physics: Conference Series 2461 012005 2023年3月査読有り
Phonon–Phason Coupling Strength in a Tsai-Type Ag–In–Yb Icosahedral Quasicrystal

Jinjia Zhang, Jintao Zhou, Yuki Tokumoto, Keiichi Edagawa

MATERIALS TRANSACTIONS 2023年
Electronic transport properties of Pb(Bi_1−xSb_x)₂(Te_1−ySe_y)₄ topological insulator

Yuki Tokumoto, Kyoichi Sugimoto, Yuya Hattori, Keiichi Edagawa

Journal of Applied Physics 131(18) 185105-185105 2022年5月14日
Direct experimental evidence of phonon–phason coupling in an Al-Pd-Mn icosahedral quasicrystal

J. Zhang, Y. Kamimura, Y. Tokumoto, K. Edagawa

Philosophical Magazine 2022年3月査読有り
Comparative study of high-temperature specific heat for Al–Pd–Mn icosahedral quasicrystals and crystal approximants

Kento Fukushima, Hiroki Suyama, Yuki Tokumoto, Yasushi Kamimura, Yoshiki Takagiwa, Keiichi Edagawa

Journal of Physics Communications 5(8) 085002-085002 2021年8月1日査読有り
High-Temperature Specific Heat of Al–Cu–Ru Icosahedral Quasicrystals and 1/1 Crystal Approximants

Satoshi Tamura, Kento Fukushima, Yuki Tokumoto, Yoshiki Takagiwa, Keiichi Edagawa

Materials Transactions 62(3) 356-359 2020年12月査読有り
Evidences of inner Se ordering in topological insulator PbBi₂Te₄-PbBi₂Se₄-PbSb₂Se₄ solid solutions

Hattori, Y., Tokumoto, Y., Kimoto, K., Edagawa, K.

Scientific Reports 10(1) 7957 2020年5月14日査読有り
Conductive and Non-conductive Dislocations in Bi–Sb Topological Insulators

Hamasaki, H., Tokumoto, Y., Edagawa, K.

Journal of the Physical Society of Japan 89(2) 023703 2020年1月16日査読有り責任著者
Improving the electron mobility of polycrystalline InN grown on glass substrates using AlN crystalline orientation layers

Sakamoto, M., Kobayashi, A., Fukai, Y.K., Ueno, K., Tokumoto, Y., Fujioka, H.

Journal of Applied Physics 126(7) 075701 2019年8月査読有り
High-density well-aligned dislocations introduced by plastic deformation in Bi_1−xSb_x topological insulator single crystals

Tokumoto, Y., Fujiwara, R., Edagawa, K.

Crystals 9(6) 317 2019年6月19日査読有り筆頭著者責任著者
Insight into physical processes controlling the mechanical properties of the wurtzite group-III nitride family

I. Yonenaga, M. Deura, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno

Journal of Crystal Growth 500 23-27 2018年8月査読有り
Optimizing composition of Pb(Bi_1-xSb_x)₂Te₄ topological insulator to achieve a bulk-insulating state

Hattori, Y., Tokumoto, Y., Edagawa, K.

Physical Review Materials 1(7) 074201 2017年12月7日査読有り責任著者
Fabrication of full-color GaN-based light-emitting diodes on nearly lattice-matched flexible metal foils

Kim, H., Ohta, J., Ueno, K., Kobayashi, A., Morita, M., Tokumoto, Y., Fujioka, H.

Scientific Reports 7 2112 2017年5月査読有り
Dislocation conduction in Bi-Sb topological insulators

Hamasaki, H., Tokumoto, Y., Edagawa, K.

Applied Physics Letters 110(9) 092105 2017年3月3日査読有り
22pAQ-1 Bi-Sbトポロジカル絶縁体中転位の評価と電気伝導

濱崎拡, 大江杏奈, 市川和樹, 上村祥史, 徳本有紀, 枝川圭一

日本物理学会講演概要集 71 2764-2764 2016年
Elastic properties of indium nitrides grown on sapphire substrates determined by nano-indentation: In comparison with other nitrides

Yonenaga, I., Ohkubo, Y., Deura, M., Kutsukake, K., Tokumoto, Y., Ohno, Y., Yoshikawa, A., Wang, X.Q.

AIP Advances 5(7) 077131-077131 2015年7月査読有り
Slip systems in wurtzite ZnO activated by Vickers indentation on {21¯1¯0} and {101¯0} surfaces at elevated temperatures

Y. Ohno, H. Koizumi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, H. Taneichi, I. Yonenaga

Journal of Crystal Growth 393 119-122 2014年5月1日査読有り
Czochralski growth of heavily indium-doped Si crystals and co-doping effects of group-IV elements

K. Inoue, T. Taishi, Y. Tokumoto, K. Kutsukake, Y. Ohno, T. Ohsawa, R. Gotoh, I. Yonenaga

Journal of Crystal Growth 393 45-48 2014年5月1日査読有り
Formation of Thermal Double Donors in Ge

Kaihei Inoue, Toshinori Taishi, Yu Murao, Yuki Tokumoto, Kentaro Kutsukake, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

Proceedings of the 12th Asia Pacific Physics Conference (APPC12) 012082 2014年3月26日
Czochralski growth of heavily tin-doped Si crystals

I. Yonenaga, T. Taishi, K. Inoue, R. Gotoh, K. Kutsukake, Y. Tokumoto, Y. Ohno

Journal of Crystal Growth 395(1) 94-97 2014年3月査読有り

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MISC

17

トポロジカル絶縁体中転位の1次元金属状態

徳本有紀, 枝川圭一

化学工業 71(9) 529-533 2020年9月筆頭著者
非極性GaN 層中の微結晶粒の効率的な検出と今後の展望

徳本有紀, 李賢宰, 大野裕, 八百隆文, 米永一郎

まてりあ 52(6) 273-277 2013年6月筆頭著者
太陽電池用の擬似単結晶シリコンインゴットの育成

沓掛健太朗, 宇佐美徳隆, 大野裕, 徳本有紀, 米永一郎

OHM 8-9 2013年6月
22aGQ-1 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのIII)(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

村尾優, 太子敏則, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 大野裕, 米永一郎

日本物理学会講演概要集 66(2) 979-979 2011年8月24日
22pGQ-2 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

大野裕, 徳本有紀, 藤井克司, 八百隆文, 米永一郎

日本物理学会講演概要集 66(2) 991-991 2011年8月24日
22aGQ-3 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究その2(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

大澤隆亨, 大野裕, 太子敏則, 徳本有紀, 成田一生, 井上海平, 米永一郎

日本物理学会講演概要集 66(2) 979-979 2011年8月24日
22pGQ-3 非極性GaN成長における低温バッファ層の微視的構造(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

徳本有紀, 李賢宰, 大野裕, 八百隆文, 米永一郎

日本物理学会講演概要集 66(2) 991-991 2011年8月24日
27pTJ-17 低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

徳本有紀, 李憲宰, 大野裕, 八百隆文, 米永一郎

日本物理学会講演概要集 66(1) 981-981 2011年3月3日
27pTJ-15 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのII)(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

村尾優, 太子敏則, 伊勢秀彰, 大野裕, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 米永一郎

日本物理学会講演概要集 66(1) 980-980 2011年3月3日
27pTJ-14 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

大澤隆亨, 大野裕, 太子敏則, 徳本有紀, 成田一生, 井上海平, 米永一郎

日本物理学会講演概要集 66(1) 980-980 2011年3月3日
26aWZ-3 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))

村尾優, 大野裕, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎

日本物理学会講演概要集 65(2) 926-926 2010年8月18日
26aWZ-4 P添加Si中の転位構造(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))

徳本有紀, 大野裕, 太子敏則, 米永一郎

日本物理学会講演概要集 65(2) 926-926 2010年8月18日
Opto-TEM 法による w-ZnO 中の転位の光学応答解析

大野裕, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎

まてりあ 48(12) 625-625 2009年12月
25pYK-7 ゲルマニウム中の転位の運動速度(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

村尾優, 大野裕, 太子敏則, 徳本有紀, 米永一郎

日本物理学会講演概要集 64(2) 862-862 2009年8月18日
Structural Analysis of Threading Dislocations in AlN Thin Films

Y Tokumoto, N Shibata, T Mizoguchi, T Yamamoto, Y Ikuhara

Microscopy and Microanalysis 14(S2) 258-259 2008年8月筆頭著者責任著者
HRTEM observation of dislocation arrays in AlN thin films

Y. Tokumoto, N. Shibata, T. Mizoguchi, T. Yamamoto, Y. Ikuhara

AMTC Letters 1 234-235 2008年筆頭著者
PLD法により作製したAlN薄膜とα-Al₂O₃基板の界面構造

徳本有紀, 佐藤幸生, 柴田直哉, 山本剛久

まてりあ 44(12) 964-964 2005年12月筆頭著者

講演・口頭発表等

92

窒化物半導体薄膜の転位密度と硬度の相関

東北大学研究所連携プロジェクト平成24年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」 2013年
ナノインデンテーション法によるAl_xGa_1-xN薄膜の硬度測定

日本物理学会第68回年次大会 2013年
Dislocation dynamics in AlN films induced by in situ TEM nanoindentation

18th Microscopy of Semi-Conducting Materials (MSM XVIII) 2013年
窒化物半導体薄膜の転位密度と硬度の相関

東北大学研究所連携プロジェクト平成24年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」 2013年
ナノインデンテーション法によるAl_xGa_1-xN薄膜の硬度測定

日本物理学会第68回年次大会 2013年
Dislocation dynamics in AlN films induced by in situ TEM nanoindentation

18th Microscopy of Semi-Conducting Materials (MSM XVIII) 2013年
Morphology and microstructure of GeAs formed on Ge(111) surfaces

International Symposium on Role of Electron Microscopy in Industry ~Toward genuine collaboration between academiaand industry~ 2012年
Ge(111)基板上に形成されたGeAsの微細構造解析

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」 2012年
GeAs/Ge(111)界面の構造解析

日本物理学会第67回年次大会 2012年
AlN薄膜のTEM内ナノインデンテーションによる転位導入と伝播挙動の観察

第4回窒化物半導体結晶成長講演会 2012年
AlN薄膜のナノインデンテーションにより導入される転位

日本顕微鏡学会第68回学術講演会 2012年
AlN薄膜のTEM内ナノインデンテーションによる転位導入およびその伝播挙動の観察

第123回東北大学金属材料研究所講演会 2012年春季 2012年
Morphology and microstructure of GeAs islands formed on Ge(111) surfaces

International Conference on Extended Defects in Semiconductors (EDS-2012) 2012年
Propagation Behavior of Nanoindentation-induced Dislocations in AlN Films

International Conference on Extended Defects in Semiconductors (EDS-2012) 2012年
AlN薄膜のナノインデンテーションにより導入される転位の伝播

日本物理学会2012年秋季大会 2012年
Propagation of nanoindentation-induced dislocations in AlN films

International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 2012年
Morphology and microstructure of GeAs formed on Ge(111) surfaces

International Symposium on Role of Electron Microscopy in Industry ~Toward genuine collaboration between academiaand industry~ 2012年
Ge(111)基板上に形成されたGeAsの微細構造解析

東北大学研究所連携プロジェクト第3期平成23年度成果報告会「ヒューマンサイエンス＆テクノロジー」 2012年
GeAs/Ge(111)界面の構造解析

日本物理学会第67回年次大会 2012年
AlN薄膜のTEM内ナノインデンテーションによる転位導入と伝播挙動の観察

第4回窒化物半導体結晶成長講演会 2012年

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所属学協会

4

共同研究・競争的資金等の研究課題

7

トポロジカル絶縁体中転位の規則配列およびその電子物性の探求

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2019年4月 - 2022年3月

徳本有紀
非平衡状態の時間ドメイン制御による特異構造の創製

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2021年3月

藤岡洋, 徳本有紀
TEM内超微小硬さ試験によるIII族窒化物薄膜材料の機械特性値その場ナノ計測

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2013年4月 - 2016年3月

徳本有紀
ワイドギャップ半導体結晶中の転位の運動特性と電子・光学物性の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2012年4月 - 2015年3月

米永一郎, 大野裕, 徳本有紀, 沓掛健太朗, 出浦桃子, 沓掛健太朗
超高密度転位構造を利用した磁気機能デバイスの探索

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2011年 - 2012年

米永一郎, 大野裕, 徳本有紀
ナイトライド半導体結晶中の転位の運動特性と電子・光学物性の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2009年 - 2010年

米永一郎, 大野裕, 徳本有紀, 太子敏則
薄膜中転位を制御・利用したナノ細線デバイスの創成および機能評価

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費特別研究員奨励費 2006年 - 2008年

徳本有紀