石井 治之

内部に空隙を持つ中空シリカ粒子は、安価な低誘電率材料や断熱材、また反射防止膜として近年用途が拡大している。しかし、一般的な固体粒子を鋳型とした合成法では、多段階の合成プロセスであり、中空シリカ粒子の損傷が懸念される。本研究ではベシクルを鋳型とした中空シリカ粒子のワンポット合成を行う。この手法は、わずか２ステップで中空シリカ粒子を得ることができ、環境低負荷で大量合成が可能である。また、ベシクル表面のシリカ析出反応を制御することで、中空シリカ粒子の形状・構造を自在に制御する。形成する形状・構造特有の濡れ性の向上や高活性な触媒担体としての新規利用など、用途の拡大が期待できる。