竹内哲也 (Tetsuya Takeuchi) - マイポータル

基本情報

所属: 名城大学理工学部材料機能工学科教授

学位: 博士（工学）

J-GLOBAL ID: 201001011166344906
researchmap会員ID: 6000022742

研究分野

ナノテク・材料 / 結晶工学 /

経歴

2015年4月

名城大学大学院理工学研究科電気・情報・材料・物質工学専攻担当
2015年4月

名城大学理工学部材料機能工学科教授

論文

289

Over 20% wall plug efficiency of on-wafer GaN-based vertical-cavity surface-emitting laser

Ruka Watanabe, Kenta Kobayashi, Mitsuki Yanagawa, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Toshihiro Kamei

Applied Physics Letters 124(13) 2024年3月25日
Enhancing the optical properties of organic fluorine compound-encapsulated AlGaN-based ultraviolet light-emitting diodes with Ni/Au reflective electrodes

Koji Okuno, Rie Iwatsuki, Koichi Mizutani, Masaki Ohya, Yoshiki Saito, Shintaro Hakamata, Takeshi Matsushima, Aya Kawaoka, Shota Shimonishi, Hisanori Ishiguro …

Japanese Journal of Applied Physics 63(3) 2024年3月1日
Sub-bandgap optical absorption processes in 300-nm-thick Al<inf>1−x</inf>In<inf>x</inf>N alloys grown on a c-plane GaN/sapphire template

Daichi Imai, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kouki Noda, Kyosuke Masaki, Kazutoshi Kubo, Mayu Nomura, Makoto Miyoshi, Takao Miyajima, Tetsuya Takeuchi

Journal of Applied Physics 135(3) 2024年1月21日
GaInN-Based Blue LED with a PEDOT/PSS Hole Transport Layer

Yuma Kato, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 2024年
Optimization of the Al Composition of the p-AlGaN Electron Blocking Layer in GaInN/GaN Multiquantum-Shell Nanowire LEDs

Yuta Hattori, Weifang Lu, Soma Inaba, Ayaka Shima, Shiori Ii, Mizuki Takahashi, Yuki Yamanaka, Kosei Kubota, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi …

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 2024年
Optimization of In-Reactor In Situ Activation Annealing Conditions for Tunnel Junction Layers in Multiquantum Shell GaN-Based Devices

Mizuki Takahashi, Yuki Yamanaka, Shiori Ii, Ayaka Shima, Soma Inaba, Kosei Kubota, Yuta Hattori, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama

Physica Status Solidi (B) Basic Research 2024年
Hybridly Packaged White Light Emitting Diode Composed of Fluorescent SiC and Nitride-Based Near-Ultraviolet Light Emitting Diode

Taisei Mizuno, Syota Akiyoshi, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Yiyu Ou, Haiyan Ou

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 2024年
Effect of Growth Temperature on Strain during Growth and Crack Suppression in AlGaN Templates on Sapphire Substrates for Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes

Tomoaki Kachi, Hayata Takahata, Ryunosuke Oka, Hisanori Ishiguro, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Yoshiki Saito, Koji Okuno

Physica Status Solidi (B) Basic Research 2024年
Hole Generation in Polarization-Doped Al<inf>x</inf>Ga<inf>1–x</inf>N (x = 0.9–0.35)-Graded Layer with Heavily Mg-Doped Al<inf>0.35</inf>Ga<inf>0.65</inf>N Contact Layer for 275 nm Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diode

Hayata Takahata, Tomoaki Kachi, Naoki Hamashima, Ryunosuke Oka, Hisanori Ishiguro, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Yoshiki Saito, Koji Okuno

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 2024年
Performance Enhancement of Multiple Quantum Shell Nanowire-Based Micro-Light Emitting Diodes with Underlying GaInN/GaN Superlattices

Soma Inaba, Weifang Lu, Ayaka Shima, Shiori Ii, Mizuki Takahashi, Yuki Yamanaka, Yuta Hattori, Kosei Kubota, Kai Huang, Motoaki Iwaya …

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 2024年
Homoepitaxial Regrowth of AlGaN on AlGaN Templates Prepared via Chemical Mechanical Polishing and Its Application to UV-B Laser Diodes

Ryoya Yamada, Ryosuke Kondo, Rintaro Miyake, Toma Nishibayasi, Eri Matsubara, Yoshinori Imoto, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake …

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 2024年
Characterizations of Subbandgap Optical Absorption in Undoped-GaN and 90 nm-Thick Al<inf>1−x</inf>In<inf>x</inf>N Thin Film on Sapphire Substrates Grown by Metal–Organic Chemical Vapor Deposition

Kouki Noda, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kana Shibata, Youna Tsukada, Daichi Imai, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, Takao Miyajima

Physica Status Solidi (B) Basic Research 2024年
Analysis of Altered Layers Formed during Substrate Exfoliation of AlGaN Crystals Grown on Periodic AlN Nanopillars Using the Heated-Pressurized Water Method

Eri Matsubara, Ryoya Yamada, Ryosuke Kondo, Toma Nishibayashi, Yoshinori Imoto, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Takahiro Maruyama, Hideto Miyake …

Physica Status Solidi (B) Basic Research 2024年
Characteristics of Stacked GaInN-Based Red, Green, and Blue Full-Color Monolithic μLED Arrays Connected via Tunnel Junctions

Tatsunari Saito, Naoki Hasegawa, Yoshinobu Suehiro, Norikatsu Koide, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Daisuke Iida, Kazuhiro Ohkawa, Motoaki Iwaya

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 2024年
Effect of Polarization-Charge Modulation on the Carrier-Injection Efficiency of AlGaN-Based Ultraviolet-B Laser Diodes Using Polarization Doping in the p-Type AlGaN Cladding Layer

Ryosuke Kondo, Eri Matsubara, Toma Nishibayashi, Ryoya Yamada, Yoshinori Imoto, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake, Motoaki Iwaya

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 2024年
In Situ Center Wavelength Control of AlInN/GaN Distributed Bragg Reflectors with In Situ Reflectivity Spectra Measurements

Kenta Kobayashi, Taichi Nishikawa, Ruka Watanabe, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Toshihiro Kamei

Physica Status Solidi (B) Basic Research 2024年
Effect of Wet Etching on AlGaN-Based Ultraviolet-B Laser Diodes Grown on Wet-Etched Periodic AlN Nanopillars

Yoshinori Imoto, Ryota Hasegawa, Ayumu Yabutani, Ryosuke Kondo, Toma Nishibayashi, Ryoya Yamada, Eri Matsubara, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama …

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 2024年
Investigation of emission plane control in GaInN/GaN multiple-quantum shells for efficient nanowire-based LEDs

Soma Inaba, Weifang Lu, Ayaka Shima, Shiori Ii, Mizuki Takahashi, Yuki Yamanaka, Yuta Hattori, Kosei Kubota, Kai Huang, Motoaki Iwaya …

Nanoscale Advances 2024年
Fabrication of Vertical AlGaN-Based Ultraviolet-B Laser Diodes Using a Substrate Exfoliation Method with Water

Toma Nishibayashi, Ryosuke Kondo, Eri Matsubara, Ryoya Yamada, Rintaro Miyake, Yusuke Sasaki, Yoshinori Imoto, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama …

Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 2024年
Fabrication of vertical AlGaN-based ultraviolet-B laser diodes using a laser lift-off method

Toma Nishibayashi, Ryosuke Kondo, Eri Matsubara, Ryoya Yamada, Yoshinori Imoto, Koki Hattori, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake …

Applied Physics Express 16(10) 104001-104001 2023年10月1日

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MISC

光熱偏向分光法によるGaNトンネル接合中に形成されたバンドギャップ内準位の評価

市川颯人, 宇田陽, 野田幸樹, 今井大地, 竹内哲也, 宮嶋孝夫

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年
光熱偏向分光法によるAl_1-xIn_xN混晶薄膜のギャップ内光吸収過程評価

野田幸樹, 村上裕人, 豊田隼大, 柴田夏奈, 野村麻友, 市川颯人, 今井大地, 宮嶋孝夫, 三好実人, 竹内哲也

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
X線吸収微細構造法を用いたGaN基板上の窒化物系混晶半導体Al_0.82In_0.18NにおけるAl原子近傍の局所構造解析

宮嶋孝夫, 清木良麻, 近藤剣, 下山晴樹, 鶴田一樹, 三好実, 池山和希, 竹内哲也

SPring-8/SACLA利用研究成果集(Web) 10(6) 2022年
高反射率誘電体多層膜反射鏡適用によるAlGaN系UV-Bレーザダイオードの特性改善

薮谷歩武, 大森智也, 山田和輝, 長谷川亮太, 岩山章, 岩山章, 神好人, 松本竜弥, 寅丸雅光, 鳥居博典 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
AlGaN系UV-B半導体レーザーの作製とそのデバイス特性

薮谷歩武, 長谷川亮太, 近藤涼輔, 松原衣里, 岩山章, 岩山章, 神好人, 松本竜弥, 寅丸雅光, 鳥居博典 …

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 122(271(ED2022 24-48)) 2022年
AlGaN系UV-Bレーザダイオード用誘電体多層膜反射鏡

薮谷歩武, 長谷川亮太, 近藤涼輔, 松原衣里, 岩山章, 岩山章, 神好人, 松本竜弥, 寅丸雅光, 鳥居博典 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 83rd 2022年
分光エリプソメトリーを用いたAl_1-xIn_xN混晶の光学特性解析における誘電関数モデルの検討

豊田隼大, 村上裕人, 宮田梨乃, 今井大地, 宮嶋孝夫, 三好実人, 竹内哲也

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
X線吸収微細構造法を用いた有機金属気相成長法により成長したSb添加GaN中のSb原子近傍の局所構造解析

宮嶋孝夫, 小森大資, 伊奈稔哲, 清木良麻, 新田清文, 竹内哲也, 宇留賀朋哉

SPring-8/SACLA利用研究成果集(Web) 8(1) 2020年
Frontiers of Nitride Semiconductor Research FOREWORD

Shigefusa F. Chichibu, Yoshinao Kumagai, Kazunobu Kojima, Momoko Deura, Toru Akiyama, Munetaka Arita, Hiroshi Fujioka, Yasufumi Fujiwara, Naoki Hara, Tamotsu Hashizume …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 2019年6月
Al_1-xIn_xN混晶におけるバンド端近傍のポテンシャル揺らぎと光学定数の解析

今井大地, 山路知明, 三好実人, 竹内哲也, 宮嶋孝夫

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
2段階MOCVD法を用いたGaNナノワイヤの結晶成長 (電子デバイス)

佐々井耕平, Kim M. H., 鈴木敦, 澁谷弘樹, 栗崎湧気, 軒村恭平, 竹林穣, 上山智, 竹内哲也, 岩谷素顕 …

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(331) 77-82 2017年11月30日
深紫外発光素子に向けた二段階組成傾斜p-AlGaN構造 (電子部品・材料)

小島久範, 安田俊輝, 上林大輝, 飯田一喜, 小出典克, 竹内哲也, 岩谷素顕, 上山智, 赤崎勇

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(332) 49-53 2017年11月30日
ウェハ接合技術を用いたGaInN/GaInP/GaAs/Ge4接合太陽電池の作製

高橋一矢, 篠田涼二, 光藤駿, 岩谷素顕, 上山智, 竹内哲也, 服部友一, 赤崎勇, 赤崎勇, 天野浩 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年
X線吸収微細構造測定によるAl_0.82In_0.18Nの局所構造解析

清木良麻, 小森大資, 池山和希, 伊奈稔哲, 尾沼猛儀, 宮嶋孝夫, 竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 赤崎勇

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th 2016年
XAFS法を用いたGaN_1-xSb_x混晶半導体中のSb占有位置評価

宮嶋孝夫, 小森大資, 清木良麻, 伊奈稔哲, 新田清文, 鈴木健太, 竹内哲也, 宇留賀朋哉, 上山智, 岩谷素顕 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th 2016年
低抵抗・低吸収窒化物半導体トンネル接合 : 深紫外レーザーダイオードに向けて

竹内哲也, 高須賀大貴, 井野匡貴, 岩谷素顕, 上山智, 赤﨑勇

名城大学総合研究所紀要 (21) 133-136 2016年
その場観察X線回折法を用いたGalnN/GaN超格子の評価

山本泰司, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇

名城大学総合研究所紀要 (21) 37-40 2016年
GaNSbにおけるGaSbモル分率のキャリアガス依存性

小森大資, 財部覚, 鈴木健太, 竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 宮嶋孝夫, 小出典克, 赤崎勇, 赤崎勇

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th 2015年
高効率深紫外発光素子のための新規npn接合発光素子構造の確立

竹内哲也

旭硝子財団助成研究成果報告 Reports of research assisted by the Asahi Glass Foundation 1-7 2015年
窒化物半導体HFET型紫外受光素子の火炎センサー応用 (電子デバイス)

山本雄磨, 村瀬卓弥, 石黒真未, 山田知明, 岩谷素顕, 上山智, 竹内哲也, 赤崎勇

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(56) 81-84 2014年5月28日

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共同研究・競争的資金等の研究課題

ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 2023年4月 - 2028年3月

竹内哲也, 上山智, 田中崇之, 今井大地, 岩谷素顕, 亀井利浩
ワイドギャップ半導体における不純物ドーピング伝導制御からの脱却

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2023年4月 - 2026年3月

竹内哲也, 上山智, 田中崇之, 今井大地, 岩谷素顕, 亀井利浩
遠紫外線C波AlGaN系電子線励起レーザ

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2022年4月 - 2025年3月

岩谷素顕, 上山智, 竹内哲也
大口径・高出力青緑色面発光レーザーの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2020年4月 - 2023年3月

竹内哲也, 亀井利浩
多次元・マルチスケール特異構造の作製と作製機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2016年6月 - 2021年3月

上山智, 竹内哲也, 岩谷素顕, 本田善央
高品位三原色光源実現に向けた青・緑色面発光レーザ

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2017年4月 - 2020年3月

竹内哲也, 田中崇之, 宮嶋孝夫, 井手利英
電子線励起・深紫外窒化物半導体レーザ

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2015年4月 - 2018年3月

岩谷素顕, 上山智, 松本貴裕, 竹内哲也
未開拓波長域レーザダイオード実現のためのアニオン制御窒化物半導体混晶

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2015年4月 - 2017年3月

竹内哲也, 宮嶋孝夫
ワイドギャップ半導体における正孔注入手法の革新と新規発光素子への展開

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2014年4月 - 2017年3月

竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕

竹内哲也

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