竹内哲也 (Tetsuya Takeuchi) - マイポータル

基本情報

所属: 名城大学理工学部材料機能工学科教授

学位: 博士（工学）

J-GLOBAL ID: 201001011166344906
researchmap会員ID: 6000022742

研究分野

ナノテク・材料 / 結晶工学 /

経歴

2015年4月

名城大学大学院理工学研究科電気・情報・材料・物質工学専攻担当
2015年4月

名城大学理工学部材料機能工学科教授

論文

264

N-type conducting AlInN/GaN distributed Bragg reflectors with AlGaN graded layers

Kenta Kobayashi, Kana Shibata, Tsuyoshi Nagasawa, Ruka Watanabe, Kodai Usui, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Toshihiro Kamei

Japanese Journal of Applied Physics 62(SN) SN1012-SN1012 2023年8月25日
Development of High‐Reflectivity and Antireflection Dielectric Multilayer Mirrors for AlGaN‐Based Ultraviolet‐B Laser Diodes and their Device Applications

Ayumu Yabutani, Ryota Hasegawa, Ryosuke Kondo, Eri Matsubara, Daichi Imai, Sho Iwayama, Yoshito Jin, Tatsuya Matsumoto, Masamitsu Toramaru, Hironori Torii, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake, Motoaki Iwaya

physica status solidi (a) 2023年6月19日
Dimension dependence of current injection path in GaInN/GaN multi-quantum-shell (MQS) nanowire-based light-emitting diode arrays

Sae Katsuro, Weifang Lu, Kazuma Ito, Nanami Nakayama, Soma Inaba, Ayaka Shima, Shiori Yamamura, Yukimi Jinno, Naoki Sone, Kai Huang, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama

Nanophotonics 2023年6月16日
In situ cavity length control of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with in situ reflectivity spectra measurements

Tsuyoshi Nagasawa, Kenta Kobayashi, Ruka Watanabe, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Toshihiro Kamei

Japanese Journal of Applied Physics 62(6) 066504-066504 2023年6月1日
Development of AlGaN-based laser diodes in the UV-A to UV-B regions

Motoaki Iwaya, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake

Novel In-Plane Semiconductor Lasers XXII 2023年3月17日
Demonstration of ultraviolet-B AlGaN-based laser diode operation with a peak light output power of 150 mW by improving injection efficiency through polarization charge modulation

Ryosuke Kondo, Ayumu Yabutani, Tomoya Omori, Kazuki Yamada, Eri Matsubara, Ryota Hasegawa, Toma Nishibayashi, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake, Motoaki Iwaya

Applied Physics Letters 121(25) 253501-253501 2022年12月19日
High-quality n-type conductive Si-doped AlInN/GaN DBRs with hydrogen cleaning

Kana Shibata, Tsuyoshi Nagasawa, Kenta Kobayashi, Ruka Watanabe, Takayuki Tanaka, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Toshihiro Kamei

APPLIED PHYSICS EXPRESS 15(11) 2022年11月
A method for exfoliating AlGaN films from sapphire substrates using heated and pressurized water

Eri Matsubara, Ryota Hasegawa, Toma Nishibayashi, Ayumu Yabutani, Ryoya Yamada, Yoshinori Imoto, Ryosuke Kondo, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi KAMIYAMA, Kanako SHOJIKI, Shinya Kumagai, Hideto MIYAKE, Motoaki Iwaya

Applied Physics Express 15(11) 116502-116502 2022年10月5日
Superlattice-Induced Variations in Morphological and Emission Properties of GaInN/GaN Multiquantum Nanowire-Based Micro-LEDs

Soma Inaba, Weifang Lu, Kazuma Ito, Sae Katsuro, Nanami Nakayama, Ayaka Shima, Yukimi Jinno, Shiori Yamamura, Naoki Sone, Kai Huang, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama

ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES 2022年10月
Suppression of (0001) plane emission in GaInN/GaN multi-quantum nanowires for efficient micro-LEDs

Sae Katsuro, Weifang Lu, Kazuma Ito, Nanami Nakayama, Shiori Yamamura, Yukimi Jinno, Soma Inaba, Ayaka Shima, Naoki Sone, Dong-Pyo Han, Kai Huang, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama

NANOPHOTONICS 2022年9月
Hydrogen in-situ etching of GaN surface to reduce non-radiative recombination centers in 510-nm GaInN/GaN quantum-wells

Ryoto Fujiki, Ryo Takahashi, Ryoya Hiramatsu, Keisuke Hozo, Dong Pyo Han, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama

Journal of Crystal Growth 593 2022年9月1日
Growth Defects in InGaN-Based Multiple-Quantum-Shell Nanowires with Si-Doped GaN Cap Layers and Tunnel Junctions

Koji Okuno, Koichi Mizutani, Kazuyoshi Iida, Masaki Ohya, Naoki Sone, Weifang Lu, Renji Okuda, Yoshiya Miyamoto, Kazuma Ito, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 259(6) 2022年6月
Centimeter-scale laser lift-off of an AlGaN UVB laser diode structure grown on nano-patterned AlN

Kanako Shojiki, Moe Shimokawa, Sho Iwayama, Tomoya Omori, Shohei Teramura, Akihiro Yamaguchi, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake

Applied Physics Express 15(5) 051004-051004 2022年5月1日
Recent development of UV-B laser diodes

Motoaki Iwaya, Shunya Tanaka, Tomoya Omori, Kazuki Yamada, Ryota Hasegawa, Moe Shimokawa, Ayumu Yabutani, Sho Iwayama, Kosuke Sato, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Hideto Miyake

Japanese Journal of Applied Physics 61(4) 2022年4月
Fabrication of vertical AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes operating at high current density (∼43 kA cm^-2) using a laser liftoff method

Moe Shimokawa, Yuya Yamada, Tomoya Omori, Kazuki Yamada, Ryota Hasegawa, Toma Nishibayashi, Ayumu Yabutani, Sho Iwayama, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya, Hideto Miyake, Kohei Miyoshi, Koichi Naniwae, Akihiro Yamaguchi

Applied Physics Express 15(4) 2022年4月
Improvement of 650-nm red-emitting GaIn<inf>0.17</inf>N/GaIn<inf>0.38</inf>N multiple quantum wells on ScAlMgO<inf>4</inf>(0001) substrate by suppressing impurity diffusion/penetration

Ryo Takahashi, Ryoto Fujiki, Keisuke Hozo, Ryoya Hiramatsu, Makoto Matsukura, Takahiro Kojima, Dong Pyo Han, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama

Applied Physics Letters 120(14) 2022年4月
Structural design optimization of 279 nm wavelength AlGaN homojunction tunnel junction deep-UV light-emitting diode

Kengo Nagata, Satoshi Anada, Hiroshi Miwa, Shinichi Matsui, Shinya Boyama, Yoshiki Saito, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, Hiroshi Amano

Applied Physics Express 15(4) 044003-044003 2022年4月1日
Reduction of dislocation density in lattice-relaxed Al<inf>0.68</inf>Ga<inf>0.32</inf>N film grown on periodical 1 μm spacing AlN pillar concave-convex patterns and its effect on the performance of UV-B laser diodes

Tomoya Omori, Ayumu Yabutani, Shunya Tanaka, Kazuki Yamada, Moe Shimokawa, Ryota Hasegawa, Sho Iwayama, Hideto Miyake, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Motoaki Iwaya

Applied Physics Express 15(3) 2022年3月
Improved passivation depth of porous fluorescent 6H-SiC with Si/C faces using atomic layer deposition

Kosuke Yanai, Weifang Lu, Yoma Yamane, Keita Kodera, Yiyu Ou, Haiyan Ou, Satoshi Kamiyama, Tetsuya Takeuchi, Motoaki Iwaya, Isamu Akasaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 61(3) 2022年3月
Visualization of depletion layer in AlGaN homojunction p–n junction

Kengo Nagata, Satoshi Anada, Yoshiki Saito, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, Tetsuya Takeuchi, Kazuo Yamamoto, Tsukasa Hirayama, Hiroshi Amano

Applied Physics Express 15(3) 036504-036504 2022年2月10日

もっとみる

MISC

Frontiers of Nitride Semiconductor Research FOREWORD

Shigefusa F. Chichibu, Yoshinao Kumagai, Kazunobu Kojima, Momoko Deura, Toru Akiyama, Munetaka Arita, Hiroshi Fujioka, Yasufumi Fujiwara, Naoki Hara, Tamotsu Hashizume, Hideki Hirayama, Mark Holmes, Yoshio Honda, Masataka Imura, Ryota Ishii, Yoshihiro Ishitani, Motoaki Iwaya, Satoshi Kamiyama, Yoshihiro Kangawa, Ryuji Katayama, Yoichi Kawakami, Takahiro Kawamura, Atsushi Kobayashi, Masaaki Kuzuhara, Koh Matsumoto, Yusuke Mori, Takashi Mukai, Hisashi Murakami, Hideaki Murotani, Satoshi Nakazawa, Narihito Okada, Yoshiki Saito, Akira Sakai, Hiroto Sekiguchi, Koji Shiozaki, Kanako Shojiki, Jun Suda, Tetsuya Takeuchi, Tomoyuki Tanikawa, Jun Tatebayashi, Shigetaka Tomiya, Yoichi Yamada

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 2019年6月
2段階MOCVD法を用いたGaNナノワイヤの結晶成長 (電子デバイス)

佐々井耕平, Kim M. H., 鈴木敦, 澁谷弘樹, 栗崎湧気, 軒村恭平, 竹林穣, 上山智, 竹内哲也, 岩谷素顕, 赤﨑勇

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(331) 77-82 2017年11月30日
深紫外発光素子に向けた二段階組成傾斜p-AlGaN構造 (電子部品・材料)

小島久範, 安田俊輝, 上林大輝, 飯田一喜, 小出典克, 竹内哲也, 岩谷素顕, 上山智, 赤崎勇

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(332) 49-53 2017年11月30日
ウェハ接合技術を用いたGaInN/GaInP/GaAs/Ge4接合太陽電池の作製

高橋一矢, 篠田涼二, 光藤駿, 岩谷素顕, 上山智, 竹内哲也, 服部友一, 赤崎勇, 赤崎勇, 天野浩, 天野浩

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年
X線吸収微細構造測定によるAl_0.82In_0.18Nの局所構造解析

清木良麻, 小森大資, 池山和希, 伊奈稔哲, 尾沼猛儀, 宮嶋孝夫, 竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 赤崎勇

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th 2016年
XAFS法を用いたGaN_1-xSb_x混晶半導体中のSb占有位置評価

宮嶋孝夫, 小森大資, 清木良麻, 伊奈稔哲, 新田清文, 鈴木健太, 竹内哲也, 宇留賀朋哉, 上山智, 岩谷素顕, 赤崎勇

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th 2016年
低抵抗・低吸収窒化物半導体トンネル接合 : 深紫外レーザーダイオードに向けて

竹内哲也, 高須賀大貴, 井野匡貴, 岩谷素顕, 上山智, 赤﨑勇

名城大学総合研究所紀要 (21) 133-136 2016年
その場観察X線回折法を用いたGalnN/GaN超格子の評価

山本泰司, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤﨑勇

名城大学総合研究所紀要 (21) 37-40 2016年
GaNSbにおけるGaSbモル分率のキャリアガス依存性

小森大資, 財部覚, 鈴木健太, 竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 宮嶋孝夫, 小出典克, 赤崎勇, 赤崎勇

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th 2015年
高効率深紫外発光素子のための新規npn接合発光素子構造の確立

竹内哲也

旭硝子財団助成研究成果報告 Reports of research assisted by the Asahi Glass Foundation 1-7 2015年
窒化物半導体HFET型紫外受光素子の火炎センサー応用 (電子デバイス)

山本雄磨, 村瀬卓弥, 石黒真未, 山田知明, 岩谷素顕, 上山智, 竹内哲也, 赤崎勇

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(56) 81-84 2014年5月28日
窒化物半導体HFET型紫外受光素子の火炎センサー応用 (電子部品・材料)

山本雄磨, 村瀬卓弥, 石黒真未, 山田知明, 岩谷素顕, 上山智, 竹内哲也, 赤崎勇

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(57) 81-84 2014年5月28日
トンネル接合を用いた多接合窒化物半導体の検討 (電子デバイス)

黒川泰視, 合田智美, 加賀充, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(329) 57-61 2013年11月28日
Ⅲ族窒化物半導体太陽光発電素子の高性能化

森美貴子, 岩谷素顕, 竹内哲也

名城大学総合研究所紀要 (18) 21-24 2013年
超高感度窒化物半導体Photo-HFET

石黒真未, 岩谷素顕, 竹内哲也

名城大学総合研究所紀要 (18) 125-129 2013年
窒化物半導体基盤技術研究センター : その概要と研究成果

赤﨑勇, 岩谷素顕, 竹内哲也

名城大学総合研究所紀要 (18) 137-141 2013年
ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製

森田隆敏, 加賀充, 桑野侑香, 松井健城, 竹内哲也, 上山智, 岩谷素顕, 赤崎勇

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 112(327) 59-64 2012年11月22日
紫外・深紫外発光素子のための結晶成長技術 (特集ここまで進んだ紫外発光素子)

岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智

オプトロニクス 30(9) 116-121 2011年9月
β-Ga_2O_3(100)基板上GaN及びAlGaNの成長

伊藤駿, 竹田健一郎, 永田賢吾, 青島宏樹, 竹原孝祐, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇, 天野浩

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111(46) 77-81 2011年5月12日
X線その場観察装置を用いたMOVPE結晶成長

田中大樹, 飯田大輔, 岩谷素顕, 竹内哲也, 上山智, 赤崎勇

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111(46) 83-87 2011年5月12日

もっとみる

竹内哲也

基本情報

研究分野

経歴

論文

MISC

メニュー

共著者の一覧