論文

査読有り

2007年3月

1.5-nm-thick silicon oxide gate films grown at 150°C using modified reactive ion beam deposition with pyrolytic-gas passivation

Journal of Vacuum Science & Technology, A25 （pp. 340-346）

山田宏

DOI: 10.1116/1.2699503

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DOI: https://doi.org/10.1116/1.2699503

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DOI : 10.1116/1.2699503

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