角田 功

J-GLOBALへ         更新日: 18/11/14 13:43
 
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研究者氏名
角田 功
 
ツノダ イサオ
所属
熊本高等専門学校
部署
情報通信エレクトロニクス工学科
職名
准教授

研究分野

 
 

論文

 
角田 功
ECS Transactions, vol. 75, pp.481-487 (2016)      2016年9月
角田 功
Japanese Journal of Applied Physics, vol. 55, 04EJ06 (3pages), 2016      2016年3月
角田 功
Japanese Journal of Applied Physics, vol.55, 04EJ10 (4pages), 2016      2016年3月
角田 功
Physica Status Solidi C. vol.12, pp. 1405-1408.      2015年9月
Hole trap distribution on 2MeV electron irradiated high-k dielectrics(査読つき)
角田 功
Journal of Vacuum Science and Technology B, vol.33, 032201 (7pages).      2015年3月

Misc

 
Thermoelectric Properties of Ge-Rich GeSn Films Grown on Insulators
角田 功
PRiME 2016/230th ECS Meeting, Extended Abstract #2030.(口頭発表)      2016年10月
Low temperature (<150℃) formation of crystalline Ge on insulating substrate by stress stimulated crystallization
角田 功
Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials (APAC-Silicide) 2016 Extended Abstract 17-P29.(ポスター発表)      2016年7月
Study of mobility enhancement by stresses at the channel of Gate-All-Around nMOSFETs
角田 功
35th Electron Materials Symposium, pp. 213-214.(ポスター発表)      2016年7月
Enhancement of solid-phase crystallization of amorphous Ge on insulating substrate by electron stimulated nucleation
角田 功
35th Electronic Materials Symposium Extended abstract pp.171-172.(ポスター発表)      2016年7月
Au thickness dependent solid phase crystallization of amorphous Ge on insulating substrate by catalytic Au insertion
角田 功
35th Electronic Materials Symposium Extended abstract pp.167-168.(ポスター発表)      2016年7月

競争的資金等の研究課題

 
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