角田功 (Isao Tsunoda) - マイポータル

基本情報

所属: 熊本高等専門学校拠点化プロジェクト系先端研究コアグループ准教授

学位: 博士（工学）(九州大学)

J-GLOBAL ID: 201001002247205880
researchmap会員ID: 6000024196

研究キーワード

研究分野

経歴

2012年4月 - 現在

熊本高等専門学校, 情報通信エレクトロニクス工学科, 准教授
2010年4月 - 2012年3月

熊本高等専門学校, 情報通信エレクトロニクス工学科, 助教
- 2010年3月

公益財団法人福岡県産業・科学技術振興財団, 研究員
- 2008年3月

財団法人くまもとテクノ産業財団, 電子応用機械技術研究所, 研究員

学歴

- 2004年3月

九州大学, 大学院システム情報科学府, 電子デバイス工学専攻

論文

Study of deep levels in the Mg₂Si grown by vertical Bridgeman method

Kouki Fukushima, Naoki Mizunuma, Tatsuya Uematsu, Kyoko Shimizu, Takehiro Ota, Isao Tsunoda, Masashi Yoneoka, Haruhiko Udono, Kenichiro Takakura

Japanese Journal of Applied Physics 62(SD) SD1012-SD1012 2022年12月23日
Rapid change in polarization accompanying Fabry–Pérot resonance in anodic porous alumina coated with a gold thin film

Toyonori Matsuda, Isao Tsunoda, Masanori Nagata, Takao Kawakita, Shumpei Noguchi

Applied Optics 61(34) 10178-10178 2022年11月28日
Low temperature formation of high-quality crystalline Ge (1 1 1) by improving Au catalyst crystallinity

Kazuaki Sumi, Noboru Shimizu, Kenichiro Takakura, Isao Tsunoda

Journal of Crystal Growth 572 126270-126270 2021年10月査読有り最終著者責任著者
Electron, Neutron, and Proton Irradiation Effects on SiC Radiation Detectors

Joan Marc Rafi, Giulio Pellegrini, Philippe Godignon, Sofia Otero Ugobono, Gemma Rius, Isao Tsunoda, Masashi Yoneoka, Kenichiro Takakura, Gregor Kramberger, Michael Moll

IEEE Transactions on Nuclear Science 67(12) 2481-2489 2020年12月査読有り
Au induced lateral crystallization of amorphous Ge with stress stimulation at 130 ○C

Taiki Nishijima, Satoshi Shimizu, Kinta Kusano, Kazuki Kudo, Masahiro Furuta, Yutaka Kusuda, Shinichi Motoyama, Nobuyuki Naka, Tomoko Numata, Kenichiro Takakura, Isao Tsunoda

AIP Advances 10(5) 055306-055306 2020年5月1日査読有り最終著者責任著者
Electrical properties of pseudo-single-crystalline Ge films grown by Au-induced layer exchange crystallization at 250 ºC

H. Higashi, K. Kudo, K. Yamamoto, S. Yamada, T. Kanashima, I. Tsunoda, H. Nakashima, K. Hamaya

J. Appl. Phys. 123(21) 215704-215704 2018年6月7日査読有り
Four-quadrant silicon and silicon carbide photodiodes for beam position monitor applications: Electrical characterization and electron irradiation effects

J. M. Rafí, G. Pellegrini, P. Godignon, D. Quirion, S. Hidalgo, O. Matilla, A. Fontserè, B. Molas, K. Takakura, I. Tsunoda, M. Yoneoka, D. Pothin, P. Fajardo

Journal of Instrumentation 13(1) C01045 2018年1月1日査読有り
A crystalline germanium flexible thin-film transistor

H. Higashi, M. Nakano, K. Kudo, Y. Fujita, S. Yamada, T. Kanashima, I. Tsunoda, H. Nakashima, K. Hamaya

APPLIED PHYSICS LETTERS 111(22) 222105-1-222105-4 2017年11月査読有り
Thermoelectric Properties of Ge-Rich GeSn Films Grown on Insulators

M. Kurosawa, K. Liu, M. Izawa, I. Tsunoda, S. Zaima

ECS Transactions 75(8) 481-487 2016年9月23日査読有り
Au induced low-temperature formation of preferentially (111)-oriented crystalline Ge on insulator

Japanese Journal of Applied Physics, vol.55, 04EJ10 (4pages), 2016 55(4) 2016年4月査読有り最終著者責任著者
Enhancement of Au-induced lateral crystallization in electron-irradiated amorphous Ge on SiO2

Japanese Journal of Applied Physics, vol. 55, 04EJ06 (3pages), 2016 55(4) 2016年4月査読有り
Hole trap distribution on 2 MeV electron irradiated high-k dielectrics

Salvador Dueñas, Helena Castán, Héctor García, Lisa María Fuentes, Luis Bailón, Francesca Campabadal, Joan Marc Rafí, Mireia Bargalló González, Kenitirou Takakura, Isao Tsunoda, Masashi Yoneoka

Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena 33(3) 032201-032201 2015年5月査読有り
A pseudo-single-crystalline germanium film for flexible electronics

Applied Physics Letters, vol.106, 041902 (5pages) 106(4) 2015年1月査読有り
Thermal recovery process of electron irradiated Si1-xCx source/drain n-MOSFETs

Physica Status Solidi C. vol.12, pp. 1405-1408. 12(12) 1405-1408 2015年査読有り
Radiation tolerance of Si1-yCy source/drain n-type metal oxide semiconductor field effect transistors with different carbon concentrations

Thin Solid Films, vol.557, pp.307-310 557 307-310 2014年4月査読有り
Enhanced Au induced lateral crystallization in electron-irradiated amorphous Ge on SiO2

Shin Sakiyama, Takahiro Kaneko, Takanobu Ootsubo, Takatsugu Sakai, Kazutoshi Nakashima, Kenta Moto, Masashi Yoneoka, Kenichiro Takakura, Isao Tsunoda

Thin Solid Films 557 151-154 2014年4月査読有り
Effect of post-deposition annealing on structural and optical properties of RF magnetron sputtered β−Ga2O3 films

R. Aida, K. Minami, K. Ishibashi, J. Kudou, M. Takahara, I. Tsunoda, K. Takakura, T. Nakashima, M. Shibuya, K. Murakami

2014年査読有り
Evaluation of degradation due to electron irradiation of Si1-xCx S/D n-type MOSFETs

Materals Science Forum, vol.778-780,pp.1197-1200 778-780 1197-+ 2014年査読有り
Impact of electrical stress on the electrical characteristics of 2 MeV electron irradiated metal-oxide-silicon capacitors with atomic layer deposited Al2O3, HfO2 and nanolaminated dielectrics

Solid-state Electronics, vol.89, pp.198-206 89 198-206 2013年11月査読有り
Investigation of the crystalline quality of a gallium oxide thick film grown by RF magnetron sputtering

Kazuya Ishibashi, Ryohei Aida, Motoki Takahara, Jyun Kudo, Isao Tsunoda, Kenichiro Takakura, Toshiyuki Nakashima, Mutsuo Shibuya, Katsuya Murakami

Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics 10(11) 1588-1591 2013年11月査読有り

もっとみる

MISC

367

Low temperature formation of high-quality crystalline Ge (111) by improving Au-catalyst crystallinity

Technical Digest of the 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology C02-03-12 2021年3月最終著者責任著者
非晶質Ge/絶縁基板への電子線照射による Sn 誘起横方向成長の促進

脇島海晴, 小川大輔, 高倉健一郎, 角田功

2020年度電子情報通信学会九州支部学生会講演会・講演論文集 2020年9月
非晶質Ge/絶縁基板のMg 誘起横方向成長

阿部陸斗鍬釣一牧謙太高倉健一郎角田功

2020年度電子情報通信学会九州支部学生会講演会・講演論文集 2020年9月
Ge1−xSnx溶融成長時に生じる偏析現象の理解

中尾天哉, 西島泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 黒澤昌志

第81回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 2020年9月
Ge1−xSnx細線の偏析溶融成長:冷却速度の影響

中尾天哉, 西嶋泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 黒澤昌志

第67回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 2020年3月
高照射量電子線による結晶GeSnの成長促進

脇島海晴、小川大輔、高倉健一郎、角田功

2019年日本原子力学会九州支部第38回研究発表講演会予稿集 2019年12月
電子線照射したGe薄膜のAu誘起成長挙動の評価

阿部陸斗, 清水智, 高倉健一郎, 角田功

2019年日本原子力学会九州支部第38回研究発表講演会予稿集 2019年12月
Effect of sulfurization process on Ag8SnS6 thin films Prepared by Vacuum Evaporation

Tomohiro Uchimura, Shigeyuki Nakamura, Isao Tsunoda, Hideaki Araki, Tetsuya Okuyama, Satoru Seto, Toshiyuki Yamaguchi, Yoji Akaki

Proceeding of The 29th International Photovoltaic Science and Engineering Conference 2019年11月
触媒結晶性変調法を用いた高品質 Ge(111)の低温形成

角和章, 清水昇, 角田功

2019年応用物理学会九州支部学術講演会予稿集 2019年11月
Sn誘起成長法を用いた結晶Ge1-xSnx(x≧15%)の低温形成

小川大輔, 高倉健一郎, 角田功

2019年応用物理学会九州支部学術講演会予稿集 2019年11月
Effects of Sulfurization Process on Ag8SnS6 Thin Films

Tomohiro Uchimura, Shigeyuki Nakamura, Isao Tsunoda, Hideaki Araki, Tetsuya Okuyama, Satoru Seto, Toshiyuki Yamaguchi, Kunihiko Tanaka, Tomoichiro Okamoto, Yoji Akaki

Abstract of the 4th International Conference on “Science of Technology Innovation” 2019 2019年9月査読有り
Low Temperature (< 130℃) Formation of Crystalline Ge Film on Insulator by Stress Stimulated GILC

T. Nishijima, K. Kusano, K.Kudo, M. Furuta, Y. Kusuda, S.Motoyama, N. Naka, T, Numata, I. Tsunoda

Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials 2019年9月査読有り
Au結晶性を変調した非晶質Ge/Au/SiO2積層構造の低温固相成長

角和章, 清水昇, 角田功

第80回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 2019年9月
電子線照射した非晶質Ge/SiO2のAu誘起横方向成長過程の評価

清水智, 高倉健一郎, 角田功

第80回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 2019年9月
Sn誘起横方向成長により低温形成した結晶GeSn/SiO2の評価

小川大輔, 高倉健一郎, 角田功

第80回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 2019年9月
偏析溶融成長法により形成した絶縁膜上 Ge1−xSnx細線の電気特性評価

中尾天哉, 西嶋泰樹, 清水智, 角田功, 中塚理, 黒澤昌志

第80回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 2019年9月
イオン注入法を用いた面内組成傾斜n型Si1−xGex細線の形成

中田壮哉, 西嶋大樹, 清水智, 角田功, 富田基裕, 渡邊孝信, 中塚理, 黒澤昌志

第80回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集 2019年9月
Ge-Au同時蒸着膜を用いた金誘起層交換成長法によるGe結晶の低温形成

栫昂輝, 笠原健司, 清水昇, 角田功, 眞砂卓史

第66回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 66th 2019年3月
金誘起層交換成長法で作製したGe薄膜における電気伝導特性の理解

東英実, 笠原健司, 工藤康平, 山田晋也, 金島岳, 角田功, 中島寛, 浜屋宏平

第66回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集 66th 2019年3月
Au誘起横方向成長により形成した低温結晶化Ge薄膜の結晶性評価

西嶋泰樹, 濱崎健, 草野欽太, 高倉健一郎, 角田功

応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集(Web) 44 47 (WEB ONLY) 2018年12月8日

もっとみる

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

低温（≦150℃）成長法によるIV族半導体結晶の面方位制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2017年4月 - 2020年3月

角田功
触媒成長を用いたⅣ族半導体結晶形成プロセスの極低温化

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2014年4月 - 2016年3月

角田功

産業財産権

特許6312134 ゲルマニウム層つき基板の製造方法及びゲルマニウム層付き基板

角田功

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

論文

MISC

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

メニュー

共著者の一覧