岡田竜弥 (Okada Tatsuya) - マイポータル

基本情報

所属: 琉球大学工学部電気電子工学科助教

学位: 博士(工学)(広島大学)
修士(工学)(広島大学)

J-GLOBAL ID: 201001082673435659
researchmap会員ID: 6000024607

外部リンク: http://www.cc.u-ryukyu.ac.jp/~tokada

研究キーワード

研究分野

経歴

2009年4月

- , 琉球大学工学部電気電子工学科電子物性工学講座
2009年4月

- , University of the Ryukyus, Faculty of Engineering, Electrical and Electronics Engineering, Electronics and Electronic Materials,

MISC

Excimer laser annealing for low-voltage power MOSFET

Yi Chen, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Fulvio Mazzamuto, Karim Huet

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(8) 0865003 2016年8月
Excimer laser annealing for low-voltage power MOSFET

Yi Chen, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Fulvio Mazzamuto, Karim Huet

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(8) 0865003 2016年8月
An Application of Laser Annealing Process in Low-Voltage Power MOSFETs

Yi Chen, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E99C(5) 516-521 2016年5月
An Application of Laser Annealing Process in Low-Voltage Power MOSFETs

Yi Chen, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi

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Electrical Characteristics of a-IGZO TFTs With SiO2 Gate Insulator Prepared by RF Sputtering

Jin-Kuk Kim, So-Hyun Jeong, Sang-A Oh, Seung-Jae Moon, Kimihiko Imura, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Eui-Jung Yun, Byung Seong Bae

JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY 12(3) 268-272 2016年3月
Highly Photoconductive Si Film Formed by Blue Laser Diode Annealing for System on Panel

C. J. Koswaththage, K. Nakao, T. Okada, T. Noguchi

JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY 12(3) 247-251 2016年3月
Electrical Characteristics of a-IGZO TFTs With SiO2 Gate Insulator Prepared by RF Sputtering

Jin-Kuk Kim, So-Hyun Jeong, Sang-A Oh, Seung-Jae Moon, Kimihiko Imura, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi, Eui-Jung Yun, Byung Seong Bae

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Highly Photoconductive Si Film Formed by Blue Laser Diode Annealing for System on Panel

C. J. Koswaththage, K. Nakao, T. Okada, T. Noguchi

JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY 12(3) 247-251 2016年3月
Crystallization of a-Si films with smooth surfaces by using Blue Multi-Laser Diode Annealing

Tatsuya Okada, Kouya Sugihara, Satoshi Chinen, Takashi Noguchi

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 66(8) 1265-1269 2015年4月
Crystallization of a-Si films with smooth surfaces by using Blue Multi-Laser Diode Annealing

Tatsuya Okada, Kouya Sugihara, Satoshi Chinen, Takashi Noguchi

JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY 66(8) 1265-1269 2015年4月
Application of remote hydrogen plasma to selective processing for Ge-based devices: Crystallization, etching, and metallization

Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda, Tatsuya Okada, Seiichi Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(11) 11RA02 2014年11月
Application of remote hydrogen plasma to selective processing for Ge-based devices: Crystallization, etching, and metallization

Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda, Tatsuya Okada, Seiichi Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(11) 11RA02 2014年11月
Effective Laser Crystallizations of Si Films and the Applications on Panel

Takashi Noguchi, Tatsuya Okada

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E97C(5) 401-404 2014年5月
Effective Laser Crystallizations of Si Films and the Applications on Panel

Takashi Noguchi, Tatsuya Okada

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Photoconductivity of Si films after blue multi-laser diode annealing for photosensor applications

Charith Jayanada Koswaththage, Satoshi Chinen, Kouya Sugihara, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(3) 03CB02 2014年3月
Photoconductivity of Si films after blue multi-laser diode annealing for photosensor applications

Charith Jayanada Koswaththage, Satoshi Chinen, Kouya Sugihara, Tatsuya Okada, Takashi Noguchi

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Low-resistance phosphorus-doped Si films through blue laser diode annealing

Takashi Noguchi, Tatsuya Okada

Journal of Information Display 15(1) 47-51 2014年
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Journal of Information Display 15(1) 47-51 2014年
Crystallization of Si Thin Film on Flexible Plastic Substrate by Blue Multi-Laser Diode Annealing

Tatsuya Okada, Jean de Dieu Mugiraneza, Katsuya Shirai, Toshiharu Suzuki, Takashi Noguchi, Hideki Matsushima, Takao Hashimoto, Yoshiaki Ogino, Eiji Sahota

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51(3) 03CA02 2012年3月
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講演・口頭発表等

268

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