強誘電性のディスコチックカラムナー液晶性化合物にイオンチャネル型の液晶性化合物を混合させ、ゲートイオンチャネル構造を作製した。両液晶相は、互いにドメイン分離状態で共存し、強誘電体ヒステリシスに対応して発生する内部電場の勾配をイオンチャネルが感じることで、ゲート輸送機構が実現する。混晶形成とイオンドープが可能である事が示され、ゲート開閉機構を有する人工イオンチャネルの実現のための設計指針を提出した。