清水康雄 (Yasuo Shimizu) - マイポータル

基本情報

所属: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社プロセスエンジニア

学位: 博士（工学）(2009年3月慶應義塾大学)

研究者番号: 40581963
ORCID ID: https://orcid.org/0000-0002-6844-8165
J-GLOBAL ID: 201001083637797737
Researcher ID: A-8116-2011
researchmap会員ID: 6000024874

外部リンク: https://scholar.google.com/citations?user=fypcITMAAAAJ&hl=ja

研究キーワード

研究分野

経歴

2021年12月 - 現在

ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社プロセスエンジニア
2020年5月 - 2021年11月

国立研究開発法人物質・材料研究機構 NIMS特別研究員
2020年4月 - 2020年4月

東北大学金属材料研究所学術研究員
2010年4月 - 2020年3月

東北大学金属材料研究所材料照射工学研究部門助教
2008年4月 - 2010年3月

独立行政法人日本学術振興会特別研究員DC2/PD
2009年4月 - 2010年1月

IMEC vzw (Belgium) 博士研究員
2009年4月 - 2010年1月

ルーヴェンカトリック大学（ベルギー）博士研究員

学歴

2004年4月 - 2009年3月

慶應義塾大学理工学研究科基礎理工学専攻
2000年4月 - 2004年3月

慶應義塾大学理工学部物理情報工学科

委員歴

2023年4月 - 現在

システムデバイスロードマップ（計測WG）
2017年5月 - 2021年11月

SIMS国際シンポジウム（SISS）幹事会委員、SISS-20実行委員長
2017年4月 - 2021年11月

システムデバイスロードマップ（計測WG）
2018年10月 - 2019年10月

22nd International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry Program Committee
2016年6月 - 2017年7月

29th International Conference on Defects in Semiconductors Local Program Sub-Committee (Materials Characterization)
2014年6月 - 2016年3月

半導体技術ロードマップ専門委員会専門部会WG14（計測）特別委員

受賞

2021年10月

Best Short Presentation Award Fabrication of GaN/SiC/diamond structure for efficient thermal management of power device 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration

R. Kagawa, K. Kawamura, Y. Sakaida, S. Ouchi, H. Uratani, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang
2021年10月

Best Presentation Award Fabrication of Ga₂O₃/Si direct bonding interface for high power device applications 7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration

J. Liang, D. Takatsuki, Y. Shimizu, M. Higashiwaki, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa
2017年4月

JSAP Poster Award Atom probe tomographic study on implanted deuterium in Al₂O₃/Hf_xSi_1-xO₂/SiO₂ Stacks Japan Society of Applied Physics

Y. Tu, B. Han, Y. Shimizu, Y. Kunimune, Y. Shimada, M. Inoue, K. Inoue, S. Nagata, Y. Nagai
2016年6月

APT&M2016 Best Poster Award Atom probe tomographic study of human tooth materials International Field Emission Society
2013年5月

東北大学金属材料研究所所内講演会優秀ポスター賞アトムプローブ法によるゲルマニウム同位体超構造の３次元分布解析東北大学金属材料研究所

清水康雄
2012年11月

MRS Outstanding Poster Award Atom probe tomography of germanium isotopic multilayer structures Materials Research Society
2011年3月

MIRAI賞最優秀賞大規模TEGを用いたばらつきメカニズム解明と低減化手法の開発半導体MIRAIプロジェクト

角村貴昭, 竹内潔, 稲葉聡, 松平将治, 蒲原史朗, 矢野史子, 西田彰男, アニル・クマール, 水谷朋子, 宋驍嵬, 更屋拓哉, 高見澤悠, 清水康雄
2007年11月

SIMS-XVI Student Award Silicon isotope superlattices: Ideal SIMS standards for shallow junction characterization SIMS-XVI （第16回二次イオン質量分析に関する国際会議）
2006年8月

第20回応用物理学会講演奨励賞シリコン同位体超格子を用いた砒素注入時のミキシングのSIMSによる評価（社）応用物理学会

主要な論文

112

Fabrication of β-Ga₂O₃/Si heterointerface and characterization of interfacial structures for high-power device applications

Jianbo Liang, Daiki Takatsuki, Masataka Higashiwaki, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics 61(SF) SF1001/1-SF1001/7 2022年6月1日査読有り
Variation in atomistic structure due to annealing at diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding

Yutaka Ohno, Jianbo Liang, Hideto Yoshida, Yasuo Shimizu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

Japanese Journal of Applied Physics 61(SF) SF1006/1-SF1006/5 2022年3月11日査読有り
AlGaN/GaN/3C-SiC on diamond HEMTs with thick nitride layers prepared by bonding-first process

Ryo Kagawa, Keisuke Kawamura, Yoshiki SAKAIDA, Sumito Ouchi, Hiroki URATANI, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Yasuyoshi Nagai, Jianbo Liang, Naoteru Shigekawa

Applied Physics Express 15(4) 041003/1-041003/5 2022年3月8日査読有り
Radiation-enhanced diffusion of copper in iron studied by three-dimensional atom probe

T. Toyama, C. Zhao, T. Yoshiie, S. Yamasaki, S. Uno, M. Shimodaira, H. Miyata, T. Suzudo, Y. Shimizu, K. Yoshida, K. Inoue, Y. Nagai

Journal of Nuclear Materials 556 153176/1-153176/7 2021年12月査読有り
Fabrication of GaN/Diamond Heterointerface and Interfacial Chemical Bonding State for Highly Efficient Device Design

Jianbo Liang, Ayaka Kobayashi, Yasuo Shimizu, Yutaka Ohno, Seong‐Woo Kim, Koji Koyama, Makoto Kasu, Yasuyoshi Nagai, Naoteru Shigekawa

Advanced Materials 33(43) 2104564/1-2104564/13 2021年10月査読有り
Segregation mechanism of arsenic dopants at grain boundaries in silicon

Y. Ohno, T. Yokoi, Y. Shimizu, J. Ren, K. Inoue, Y. Nagai, K. Kutsukake, K. Fujiwara, A. Nakamura, K. Matsunaga, H. Yoshida

Science and Technology of Advanced Materials: Methods 1(1) 169-180 2021年9月査読有り
Crystallite distribution analysis based on hydrogen content in thin-film nanocrystalline silicon solar cells by atom probe tomography

Y. Shimizu, H. Sai, T. Matsui, K. Taki, T. Hashiguchi, H. Katayama, M. Matsumoto, A. Terakawa, K. Inoue, Y. Nagai

Applied Physics Express 14(1) 016501/1-016501/5 2021年1月査読有り筆頭著者責任著者
3D impurity profiles of doped/intrinsic amorphous-silicon layers composing textured silicon heterojunction solar cells detected by atom probe tomography

Y. Shimizu, B. Han, N. Ebisawa, Y. Ichihashi, T. Hashiguchi, H. Katayama, M. Matsumoto, A. Terakawa, K. Inoue, Y. Nagai

Applied Physics Express 13(12) 126503/1-126503/5 2020年12月査読有り筆頭著者責任著者
Atom probe study of erbium and oxygen co-implanted silicon

Y. Shimizu, Y. Tu, A. Abdelghafar, M. Yano, Y. Suzuki, T. Tanii, T. Shinada, E. Prati, M. Celebrano, M. Finazzi, L. Ghirardini, K. Inoue, Y. Nagai

Proceedings of 2017 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) 99-100 2017年6月筆頭著者責任著者

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主要なMISC

高性能Si太陽電池の３次元アトムプローブ解析: 水素検出によるSiヘテロ接合および微結晶粒の可視化へ

清水康雄

応用物理 90(10) 610-616 2021年10月査読有り招待有り筆頭著者責任著者
陽電子消滅および３次元アトムプローブによる原子炉圧力容器鋼の照射脆化機構に関する研究 -フィンランド・ロビーザ炉監視試験片を例として-

外山健, 蔵本明, 野沢康子, Matti Valo, 清水康雄, 井上耕治, 長谷川雅幸, 永井康介

陽電子科学誌 5(2) 41-46 2013年9月
レーザー３次元アトムプローブによる半導体材料中のドーパント分布解析

井上耕治, 清水康雄, 高見澤悠

日本物理学会誌 67(9) 645-649 2012年9月

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書籍等出版物

試料分析講座半導体・電子材料分析（日本分析化学会編）

朝山匡一郎, 伊藤寛征, 井上耕治, 植田和弘, 上殿明良, 表和彦, 小林慶規, 齋藤正裕, 笹川薫, 清水康雄, 末包高史, 高野明雄, 張利, 永井康介, 中村誠, 福嶋球琳男, 藤田高弥, 藤村聖史, 星野英樹, 松下光英, 山田隆, 行嶋史郎 (担当:共著, 範囲:第６章（三次元アトムプローブ）７１頁～９２頁)

丸善出版 2013年7月 (ISBN: 9784621087008)

講演・口頭発表等

307

Hydrogen detection in high-performance Si solar cells by atom probe tomography

Y. Shimizu

14th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices’22 (ALC’22) 2022年10月17日招待有り
Fabrication of high-thermal-stability GaN/diamond junctions via intermediate layers

J. Liang, Y. Ohno, Y. Shimizu, Y. Nagai, N. Shigekawa

Conference on Wafer Bonding for Microsystems, 3D- and Wafer Level Integration (WaferBond'22) 2022年10月5日
３次元アトムプローブによるフェライト鋼中のナノ析出物における水素トラップの可視化と水素トラップ能に及ぼす析出物サイズの影響

佐々木泰祐, 清水康雄, L. Zehao, 田中裕二, 田中孝明, 木村勇次, 大久保忠勝, 宝野和博

日本金属学会2022年秋期（第171回）講演大会 2022年9月23日
表面活性化接合法によるGaN/GaN接合界面の評価

澤井一樹, 梁剣波, 清水康雄, 大野裕, 永井康介, 重川直輝

第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月23日
Electrical properties in wafer-bonding-based GaAs/GaN junctions on free-standing substrates

M. Hirose, S. Ishimi, Y. Shimizu, J. Liang, N. Shigekawa

14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2022) 2022年9月1日
Nano-structural and electro-thermal analyses of GaN/3C-SiC on-diamond HEMTs prepared by bonding-first process

R. Kagawa, K. Kawamura, Y. Sakaida, S. Ouchi, H. Uratani, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

14th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM2022) 2022年8月31日
Thermal annealing effect on the structure of GaN/diamond bonding interface

J. Liang, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa

International Conference on New Diamond and Nano Carbons 2022年6月6日
GaN/ダイヤモンド接合界面の特性評価

梁剣波, 清水康雄, 大野裕, 永井康介, 重川直輝

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月24日
Precise analysis of segregation sites for As dopants at Si grain boundaries

Y. Ohno, T. Yokoi, Y. Shimizu, J. Ren, K. Inoue, Y. Nagai, K. Kutsukake, K. Fujiwara, A. Nakamura, K. Matsunaga, H. Yoshida

Material Research Meeting Forum 2021 2021年12月14日
Fabrication of Ga₂O₃/3C-SiC direct bonding for efficient surface heat dissipation

H. Nagai, K. Kawamura, Y. Sakaida, H. Uratani, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月7日
Fabrication and characterization of GaN/diamond bonding interface

A. Kobayashi, Y. Shimizu, Y. Ohno, S.W. Kim, K. Koyama, M. Kasu, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月7日
Nanostructural analysis of Al/β-Ga₂O₃ interface fabricated using surface activated bonding

Z. Wan, J. Liang, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, N Shigekawa

7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月6日
Polarization inverted GaN/GaN junctions fabricated by surface-activated bonding

K. Sawai, J. Liang, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa

7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月6日
Fabrication of Ga₂O₃/Si direct bonding interface for high power device applications

J. Liang, D. Takatsuki, Y. Shimizu, M. Higashiwaki, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa

7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月6日
Fabrication of GaN/SiC/diamond structure for efficient thermal management of power device

R. Kagawa, K. Kawamura, Y. Sakaida, S. Ouchi, H. Uratani, Y. Shimizu, Y. Ohno, Y. Nagai, N. Shigekawa, J. Liang

7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月5日
Structural analysis of diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature

Y. Ohno, J. Liang, H. Yoshida, Y. Shimizu, Y. Nagai, N. Shigekawa

7th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D) 2021年10月5日
Ga₂O₃/Siヘテロ構造の作製及び構造評価

髙月大輝, 東脇正高, 清水康雄, 大野裕, 永井康介, 重川直輝, 梁剣波

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月13日
Segregation mechanism of arsenic dopants at Si grain boundaries

Y. Ohno, T. Yokoi, Y. Shimizu, J. Ren, K. Inoue, Y. Nagai, K. Kutsukake, K. Fujiwara, A. Nakamura, K. Matsunaga, H. Yoshida

31st International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-31) 2021年7月27日
3DAPとWB-STEMを組み合わせた中性子照射鋼材中の硬化因子の定量解析

吉田健太, 嶋田雄介, 清水康雄, 杜玉峰, 外山健, 井上耕治, 永井康介

日本顕微鏡学会第77回学術講演会 2021年6月14日招待有り
Precise characterization of segregation sites for oxygen impurities at grain boundaries in silicon

Y. Ohno, J. Ren, S. Tanaka, M. Kohyama, K. Inoue, Y. Shimizu, Y. Nagai, H. Yoshida

European Materials Research Society (E-MRS) 2021 Spring Meeting 2021年5月31日

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所属学協会

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

決定論的ドーピング法に基づく量子物性制御とその確率的情報処理・量子計測への応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2018年4月 - 2023年3月

品田賢宏, 谷井孝至, 大矢剛嗣, 清水康雄, 井上耕治, 河野行雄
革新炉材料開発のための次世代ナノスケール解析法の開発と照射後実験研究の国際ハブの構築

文部科学省原子力システム研究開発事業（安全基盤技術研究開発分野） 2018年10月 - 2022年3月

永井康介
高効率発光デバイスの実現に向けた共添加元素の３次元原子スケール分布の制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2020年4月 - 2021年11月

清水康雄
フレキシブル・超軽量SHJ太陽電池およびタンデム化の要素技術の開発

新エネルギー・産業技術総合開発機構先導研究プログラム／エネルギー・環境新技術先導研究プログラム 2018年6月 - 2019年5月

パナソニック
微小欠陥－元素分布トモグラフィー法による原子炉構造材料の照射劣化機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2016年4月 - 2019年3月

永井康介, 井上耕治, 外山健, 吉田健太, 清水康雄, 西山裕孝, 勝山仁哉, 南雲一章, 鈴土智明
３次元アトムプローブと透過電子顕微鏡を組み合わせた単一ナノワイヤの解析法の確立

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(A) 2015年4月 - 2018年3月

清水康雄, 深田直樹, 井上耕治, 永井康介
拡散メカニズム解析に基づく３次元トランジスタ局所領域におけるドーパント分布制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2014年4月 - 2017年3月

井上耕治, 永井康介, 清水康雄
人間の歯の健全性評価に向けた３次元アトムプローブによるナノスケール元素分析解析

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2014年4月 - 2016年3月

清水康雄, サダルアリレザ, 永井康介, 井上耕治
原子炉容器構造材料の微視的損傷機構の解明を通じた脆化予測モデルに関する研究開発

文部科学省原子力システム研究開発事業（安全基盤技術研究開発分野） 2012年11月 - 2016年3月

永井康介
先端ナノ組織分析による事故時加熱環境を考慮した原子炉構造材料の劣化機構解明と予測

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2012年4月 - 2015年3月

永井康介, 井上耕治, 外山健, 清水康雄, 南雲一章, 西山裕孝, 勝山仁哉, 松川義孝
３次元アトムプローブによる半導体中に共注入した異種不純物間の相互作用の解明と制御

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 2012年4月 - 2014年3月

清水康雄
アトムプローブを用いた異種原子クラスターの観察および極浅活性層形成の制御

公益財団法人カシオ科学振興財団第29回研究助成 2011年12月 - 2012年11月

清水康雄
アトムプローブによる半導体電子デバイス構造中の広範領域ドーパント分布評価法の確立

半導体理工学研究センターアイデア・スカウト(IS)プログラム 2011年8月 - 2012年7月

清水康雄
アトムプローブによる原子炉材料の粒界偏析の原子レベル観察と粒界劣化機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2009年4月 - 2012年3月

永井康介, 外山健, 畠山賢彦, 松川義孝, 清水康雄, 西山裕孝, 山口正剛
同位体を用いたナノCMOSにおけるシリコン-不純物相互作用の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費 2008年4月 - 2010年3月

清水康雄

産業財産権

特開2012-238760 半導体装置およびその製造方法

清水康雄, 永井康介, 高見澤悠, 西田彰男, 矢野史子
特許第5004072号イオン照射効果評価方法，プロセスシミュレータ及びデバイスシミュレータ

伊藤公平, 清水康雄

清水康雄

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

委員歴

受賞

主要な論文

主要なMISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

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