論文

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2022年6月1日

Fabrication of β-Ga₂O₃/Si heterointerface and characterization of interfacial structures for high-power device applications

Japanese Journal of Applied Physics

Jianbo Liang
Daiki Takatsuki
Masataka Higashiwaki
Yasuo Shimizu
Yutaka Ohno
Yasuyoshi Nagai
Naoteru Shigekawa

巻: 61
号: SF
開始ページ: SF1001/1
終了ページ: SF1001/7
記述言語: 英語
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
DOI: 10.35848/1347-4065/ac4c6c

リンク情報

DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac4c6c
Web of Science: https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=JSTA_CEL&SrcApp=J_Gate_JST&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:000763076400001&DestApp=WOS_CPL
URL: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac4c6c
URL: https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ac4c6c/pdf

ID情報

DOI : 10.35848/1347-4065/ac4c6c
ISSN : 0021-4922
eISSN : 1347-4065
Web of Science ID : WOS:000763076400001

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