微細化が進む半導体デバイス開発において、異種不純物間の相互作用を利用した極浅接合形成法が注目されている。本研究では、シリコン基板中に共注入した炭素とホウ素に着目し、熱処理によって形成される炭素－ホウ素複合クラスターを３次元アトムプローブ法で直接観察し、拡がり抵抗測定で得られる深さ方向の電気的特性と照らし合わせた。その結果、共注入した炭素がホウ素の拡散を抑制する一方で、ホウ素の電気的不活性化に寄与することを明らかにした。本研究で用いた３次元アトムプローブ法による像は、深さスケールの任意性があるため、原子層単位で平坦に製膜された同位体超構造を適用することで、深さ方向の元素分布の高精度化を図った。