2019年5月16日
窒化物半導体集積回路プロセスの検討 : Siイオン注入による閾値制御の試み (シリコン材料・デバイス)
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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- 巻
- 119
- 号
- 36
- 開始ページ
- 77
- 終了ページ
- 80
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- 出版者・発行元
- 電子情報通信学会
- リンク情報
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- CiNii Articles
- http://ci.nii.ac.jp/naid/40021913000
- CiNii Books
- http://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013254
- URL
- http://id.ndl.go.jp/bib/029722483
- ID情報
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- ISSN : 0913-5685
- CiNii Articles ID : 40021913000
- CiNii Books ID : AN10013254