MISC

2019年5月16日

窒化物半導体集積回路プロセスの検討 : Siイオン注入による閾値制御の試み (シリコン材料・デバイス)

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
  • 岡田 浩
  • ,
  • 横山 太一
  • ,
  • 三輪 清允
  • ,
  • 山根 啓輔
  • ,
  • 若原 昭浩
  • ,
  • 関口 寛人

119
36
開始ページ
77
終了ページ
80
記述言語
日本語
掲載種別
出版者・発行元
電子情報通信学会

リンク情報
CiNii Articles
http://ci.nii.ac.jp/naid/40021913000
CiNii Books
http://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013254
URL
http://id.ndl.go.jp/bib/029722483
ID情報
  • ISSN : 0913-5685
  • CiNii Articles ID : 40021913000
  • CiNii Books ID : AN10013254

エクスポート
BibTeX RIS