次世代の低消費電力、かつ高速の半導体電子デバイスに向けて、シリコンに替わる高性能材料として、ゲルマニウム（Ge）に注目し、特に高速化を可能とすべく、Geに結晶歪みを導入する技術を開発した。特に、歪みを面内で非対称にすることで最も高速化が可能であるため、選択的イオン注入法を開発し、結晶欠陥の局所的導入によって歪み状態を任意に制御すること、それによりGeに一軸性の歪みを導入することに成功した。さらに、絶縁膜上へ歪みGe膜を貼り合わせる技術を開発し、次世代高速Geデバイスへ向けて非常に有望な技術を確立した。