従来相関のある熱伝導率と電気伝導率の同時制御は困難であるが、熱電変換において、高い電気伝導率と低い熱伝導率の実現は必要である。本研究では、ナノドット/Si層をコヒーレントに積層した構造を創出し、高電気伝導率、低熱伝導率をもつ材料の創製を行った。本ナノドットは、フォノンを波動として効率的に散乱し熱伝導率を低減する役割を果たしている。また、適切にドーピングすることでナノドット/Si界面では、あまり電子は散乱されない条件としている。そのため、高電気伝導率、低熱伝導率となるＳｉ材料を開発することに成功した。これは、高性能Si系熱電材料実現の可能性を示す結果である。