超高集積強誘電体メモリ(FeRAMs)への応用を目指した強誘電体ナノロッドキャパシタを作製した。有機金属気相成長（MOCVD）法により凸型テンプレートとなるZnOナノロッドやナノワイヤを基板上に成長させ、その上に強誘電体Pb(Zr,Ti)O3(PZT)や(Hf,Zr)O2をやはりMOCVD法により被覆堆積させた。さらに、ZnOをその上に堆積させることでZnO/PZT/ZnO及びZnO/(Hf,Zr)O2/ZnOナノロッド（ナノワイヤ）キャパシタ構造を作製することに成功した。パターン化されたPt上にのみZnOナノロッドを選択成長することも出来た。