デュアルイオンビームスパッタ法により,組成及び価数,ドメイン構造を制御したエピタキシャルBiFeO_3薄膜を作製し,そのリーク電流機構を調べた.μmサイズのリークスポットの存在や,リーク電流が組成によらずPoole-Frenkel伝導にしたがうことなどから,鉛系強誘電体に比べて大きなリーク電流の起源は,組成の不均一性と多量の電荷トラップであることが示唆され,これらの改善が絶縁性向上に必要であることを明らかにした.