竹内和歌奈 (Wakana Takeuchi) - マイポータル

基本情報

学位: 博士(工学）(名古屋大学)

J-GLOBAL ID: 201001012577371013
researchmap会員ID: 6000026157

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経歴

2017年4月 - 現在

名古屋大学, 大学院工学研究科物質科学専攻物質デバイス機能創成学, 助教
2010年4月 - 2017年3月

名古屋大学, 大学院工学研究科結晶材料工学専攻, 助教
2010年4月

大学院工学研究科・工学部結晶材料工学専攻助教
2009年4月 - 2010年3月

名古屋大学大学院工学研究科研究員
名古屋大学大学院工学研究科物質科学専攻物質デバイス機能創成学, 助教

委員歴

2015年7月 - 2016年7月

ISCSI-VII/ISTDM2016, 実行委員
2015年6月 - 2016年4月

ISPlasma2016/IC-PLANTS2016, 実行委員
2011年4月 - 2012年3月

応用物理学会人材育成・教育事業委員会, 若手・人財育成部門
2010年12月 - 2011年11月

2011 International Conference on Solid Devices and Materials, Organizing Committee
2010年12月 - 2011年11月

2011年国際固体素子・材料コンファレンス実行委員, 実行委員

MISC

Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の物性評価

金田裕一, 池進一, 兼松正行, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

信学技報 IEICE Technical Report 00 2017年6月13日
Solid-phase crystallization of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layers and characterization of their crystalline and optical properties

Shota Yano, Takashi Yamaha, Yosuke Shimura, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(1) 01AB02 2017年1月査読有り
Low-temperature crystallization of Ge-rich GeSn layers on Si3N4 substrate

I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima

Materials Science in Semiconductor Processing 00 2016年12月査読有り
EXAFS study of local structure contributing to Sn stability in SiyGe1-y-zSnz

Y. Shimura, T. Asano, T. Yamaha, M. Fukuda, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, S. Zaima

Materials Science in Semiconductor Processing 00 2016年11月15日査読有り
Selective epitaxial growth of Ge1-xSnx on Si by using metal organic chemical vapor deposition

T. Washizu, S. Ike, Y. Inuzuka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, S. Zaima

Journal of Crystal Growth 00 2016年10月11日査読有り
Effect of GeO2 deposition temperature in atomic layer deposition on electrical properties of Ge gate stack

Masayuki Kanematsu, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(8) 08PC05 2016年8月査読有り
Ge基板上エピタキシャルGeSn膜の電気的活性な欠陥の評価

金田裕一, 兼松正行, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

信学技報 IEICE Technical Report 116(118) 37 2016年6月29日
Effects of nitridation for SiO2/SiC interface on defect properties near the conduction band edge

Wakana Takeuchi, Kensaku Yamamoto, Noriyuki Taoka, Mitsuo Sakashita, Takashi Kanemura, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(4) 04ER13 2016年4月査読有り
Influence of precursor gas on SiGe epitaxial material quality in terms of structural and electrical defects

Shinichi Ike, Eddy Simoen, Yosuke Shimura, Andriy Hikavyy, Wilfried Vandervorst, Roger Loo, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(4) 04EJ11 2016年4月査読有り
Effect of in situ Sb doping on crystalline and electrical characteristics of n-type Ge1-xSnx epitaxial layer

Jihee Jeon, Takanori Asano, Yosuke Shimura, Wakana Takeuchi, Masashi Kurosawa, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(4) 04EB13 2016年4月査読有り
Growth of ultrahigh-Sn-content Ge1-xSnx epitaxial layer and its impact on controlling Schottky barrier height of metal/Ge contact

Akihiro Suzuki, Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Masashi Kurosawa, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(4) 04EB12 2016年4月査読有り
Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価

志村洋介, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明

信学技報 IEICE Technical Report 116(1) 23 2016年4月1日
Characterization of crystallinity of Ge1-xSnx epitaxial layers grown using metal-organic chemical vapor deposition

Yuki Inuzuka, Shinichi Ike, Takanori Asano, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

THIN SOLID FILMS 602(7) 7-12 2016年3月査読有り
Low thermal budget n-type doping into Ge(001) surface using ultraviolet laser irradiation in phosphoric acid solution

Kouta Takahashi, Masashi Kurosawa, Hiroshi Ikenoue, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

APPLIED PHYSICS LETTERS 108(5) 052104 2016年2月査読有り
Experimental observation of type-I energy band alignment in lattice-matched Ge1-x-ySixSny/Ge heterostructures

Takashi Yamaha, Shigehisa Shibayama, Takanori Asano, Kimihiko Kato, Mitsuo Sakashita, Wakana Takeuchi, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

APPLIED PHYSICS LETTERS 108(6) 061009 2016年2月査読有り
界面エネルギー制御による絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長

吉川勲, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明

応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第21回） (21) 24 2016年1月22日
原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面形成および欠陥の堆積温度依存性

兼松正行, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

応用物理学会薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第21回） (5) 8 2016年1月22日
Characterization of Shallow- and Deep-Level Defects in Undoped Ge1-xSnx Epitaxial Layers by Electrical Measurements

Wakana Takeuchi, Takanori Asano, Yuki Inuzuka, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Shigeaki Zaima

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY 5(4) P3082-P3086 2016年査読有り
Analysis of microscopic strain and crystalline structure in Ge/Ge<inf>1-x</inf>Sn<inf>x</inf> fine structures by using synchrotron X-ray microdiffraction

S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Inuzuka, T. Washizu, W. Takeuchi, Y. Imai, S. Kimura, S. Zaima

ECS Transactions 75(8) 769-775 2016年査読有り
Reduction of Schottky barrier height at metal/n-Ge interface by introducing an ultra-high Sn content Ge1-xSnx interlayer

A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, S. Zaima

Appl. Phys. Lett. 107 212103 2015年11月23日査読有り

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講演・口頭発表等

119

Research and development of GeSn-related thin-film semiconductors for nanoelectronic and optoelectronic applications

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, S. Zaima

Frontiers in Materials Processing Applications, Research and Technology (FiMPART 2017) 2017年7月9日招待有り
Development of GeSn and related semiconductor thin films for next generation optoelectronic applications

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, S. Zaima

2017 Global Conference on Polymer and Composite Materials (PCM 2017) 2017年5月23日招待有り
Epitaxial growth of n+-Ge1-xSnxlayerswith in situ phosphorus doping using low-temperature metal-organic chemical vapor deposition method

S. Ike, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, S. Zaima

The 10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10) 2017年5月14日
Electrical Properties of AlON/4H-SiC MOS Capacitor Prepared by Plasma-Assisted Atomic Layer Deposition

W. Takeuchi, K. Yamamoto, T. Mimura, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and, S. Zaima

9th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 10th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2016 / IC-PLANTS 2017) 2017年3月1日
Selective Growth of Ge1-xSnx Epitaxial Layer on Patterned Si Substrate using Metal-organic Chemical Vapor Deposition Method

T. Washizu, S. Ike, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, S. Zaima

9th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 10th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2016 / IC-PLANTS 2017) 2017年3月1日
Formation of SiC and SiCN Films by Chemical Vapor Deposition using Vinylsilane

T. Doi, W. Takeuchi, Y. Jin, H. Kokubun, S. Yasuhara, O. Nakatsuka, S. Zaima

9th International Symposium on Advanced Plasma Science and Its Applications for Nitrides Nanomaterials / 10th International Conference on Plasma-Nano Technology and Science (ISPlasma 2016 / IC-PLANTS 2017) 2017年3月1日
Influence of atomic layer deposition temperature of GeO2 layer on electrical properties of Ge and Ge1-xSnx gate stack

Y. Kaneda, M. Kanematsu, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, S. Zaima

10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 2017年2月13日
Solid phase crystallization of Ge0.98Sn0.02 layers on various insulating substrates

I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima

10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 2017年2月13日
In situ phosphorus doping of Ge and Ge1-xSnx epitaxial layers by low-temperature metal-organic chemical vapor deposition

S. Ike, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, S. Zaima

10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 2017年2月13日
Effect of Oxynitridation Annealing for SiO2/SiC Interface on Defects Properties

W. Takeuchi, K. Yamamoto, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima

10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration" 2017年2月13日招待有り
Characterization of Deep-Level Defects in Ge1-xSnx Epitaxial Layers using Deep Level Transient Spectroscopy

W. Takeuchi, Y. Inuzuka, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima

The 7th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon Materials (7th JSPS Silicon Symposium) 2016年11月21日
Analysis of Microscopic Strain and Crystalline Structure in Ge/Ge1-XSnx Fine Structures By Using Synchrotron X-Ray Microdiffraction

S. Ike, O. Nakatsuka, Y. Inuzuka, T. Washizu, W. Takeuchi, Y. Imai, S. Kimura, S. Zaima

Pacific Rim Meeting 2016 Joint The 230th Electrochemical Society Meeting (PRiME 2016/230th ECS Meeting) 2016年10月2日
Effect of N bonding structure in AlON on leakage current of 4H-SiC MOS capacitor

W. Takeuchi, K. Yamamoto, T. Mimura, M. Sakashita, T. Kanemura, O. Nakatsuka, S. Zaima

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2016) 2016年9月26日
Growth of Heavily Doped n-Ge Epitaxial Layer by In situ Phosphorus-doping with Low-temperature Metal-Organic Chemical Vapor Deposition

S. Ike, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, S. Zaima

2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2016) 2016年9月26日
Challenges in Engineering Materials Properties for GeSn Nanoelectronics

S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita

The 2016 European Materials Research Society (E-MRS) Fall Meeting 2016年9月19日
Low-Temperature Selective Epitaxial Growth of Ge on Si by using Metal Organic Chemical Vapor Deposition

T. Washizu, S. Ike, Y. Inuzuka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, S. Zaima

The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 2016年8月7日
Growth and applications of GeSn-related group-IV semiconductor materials

S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Asano, T. Yamaha, S. Ike, A. Suzuki, K. Takahashi, Y. Nagae, M. Kurosawa, W. Takeuchi, Y. Shimura, M. Sakashita

IEEE 2016 Summer Topicals Meeting Series 2016年7月11日
Direct Measurement of Anisotropic Local Strain in Ge Nanostructures Strained with MOCVD-grown Ge1-xSnx by using Microdiffraction

S. Ike, Y. Inuzuka, T. Washizu, W. Takeuchi, Y. Shimura, Y. Imai, O. Nakatsuka, S. Kimura, S. Zaima

7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) and International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016) 2016年6月7日
Interfacial Energy Control for Low-Temperature Crystallization of Ge-rich GeSn Layers on Insulating Substrate

I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima

7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VII) and International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016) 2016年6月7日
Development of GeSn thin film technology for electronic and optoelectronic applications

O. Nakatsuka, M. Kurosawa, W. Takeuchi, Y. Shimura, M. Sakashita, S. Zaima

2016 Energy Materials Nanotechnology (EMN) Summer Meeting and Photodetectors Meeting 2016年6月5日

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所属学協会

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

GeSn膜の低欠陥密度化及びキャリア密度の制御

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 2014年4月 - 2017年3月

竹内和歌奈
省電力／超高速ナノCMOSのための電子物性設計と高移動度チャネル技術の創生

日本学術振興会科学研究費助成事業特別推進研究 2010年4月 - 2014年3月

財満鎭明, 田中信夫, 竹中充, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 高木信一
低次元カーボン系チャネルエンジニアリング

文部科学省科学研究費助成事業特定領域研究 2006年4月 - 2009年3月

堀勝, 高島成剛, 竹田圭吾, 竹内和歌奈

産業財産権

PCT/JP2008/79765 カーボンナノウォール及びその製造方法

堀勝, 竹内和歌奈, 加納浩之