分島彰男 (Akio Wakejima) - マイポータル

基本情報

所属: 名古屋工業大学大学院つくり領域准教授

研究者番号: 80588575
J-GLOBAL ID: 201001055056427609
researchmap会員ID: 6000026720

論文

Impact of Film Stress of Field-Plate Dielectric on Electric Characteristics of GaN-HEMTs

Yuji Ando, Hidemasa Takahashi, Qiang Ma, Akio Wakejima, Jun Suda

IEEE Transactions on Electron Devices 2020年10月20日査読有り
Polarization engineering via InAlN/AlGaN heterostructures for demonstration of normally-off AlGaN channel field effect transistors

Lei Lia, Ryohei Yamaguchi, Akio Wakejima

Applied Physics Letters 117(15) 152108 2020年10月15日査読有り
Transient response of drain current following biasing stress in GaN HEMTs on SiC substrates with a field plate

Qiang Ma, Tomoyo Yoshida, Yuji Ando, Akio Wakejima

Japanese Journal of Applied Physics 59(10) 101002 2020年9月24日査読有り
Elimination of the Low Resistivity of Si Substrates in GaN HEMTs by Introducing a SiC Intermediate and a Thick Nitride Layer

Arijit Bose, Debaleen Biswas, Shigeomi Hishiki, Sumito Ouchi, Koichi Kitahara, Keisuke Kawamura, Akio Wakejima

IEEE Electron Device Letters 41(10) 1480-1483 2020年8月26日査読有り
Bonding GaN on high thermal conductivity graphite composite with adequate interfacial thermal conductance for high power electronics applications

Lei Lia, Aozora Fukui, Akio Wakejima

Applied Physics Letters 116(14) 142105 2020年4月7日査読有り
An AlGaN/GaN field effect diode with a high turn-on voltage controllability

Naoki Kato, Akio Wakejima, Yamato Osada, Ryuichiro Kamimura, Kenji Itoh, Takashi Egawa

physica status solidi (a) 214(8) 2017年8月1日査読有り
Analysis of carrier trapping and emission in AlGaN/GaN HEMT with bias-controllable field plate

Suguru Mase, Akio Wakejima, Takashi Egawa

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 214(8) 2017年8月査読有り
Distortion in Difference Frequency Under Two-Tone Signal Input Evaluated with Volterra Series Analysis

K. Tamesue, T. Egawa, A. Wakejima

Digest of 2016 Compound Semicondutor IC Symposium 2016年10月23日
An AlGaN/GaN Field Effect Diode with a High Turn-On Voltage Controllability

Naoki Kato, Takaya Nagai, Akio Wakejima, Yamato Osada, Ryuichiro Kamimura, Kenji Itou, Takashi Egawa

Digest of 2016 International Workshop on Nitride Semiconductors 2016年10月2日査読有り
Analysis of Carrier Trapping and Emission in AlGaN/GaN HEMT with Bias-Controllable Field Plate

Suguru Mase, Akio Wakejima, Takashi

Digest of 2016 International Workshop on Nitride Semiconductors 2016年10月2日査読有り
Local gate leakage current induced by inhomogeneous epitaxial growth in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

Tomotaka Narita, Akio Wakejima, Takashi Egawa

Applied Physics Express 9(3) 031002 2016年2月12日査読有り
Observation of 8600 K electron temperature in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Si substrate

Tomotaka Narita, Yuichi Fujimoto, Akio Wakejima, Takashi Egawa

Semiconductor Science and Technology 31(3) 035007 2016年2月1日
Activation energy of frequency-dependent drain-conductance of AlGaN/GaN HEMT evaluated with low frequency S-parameters

A. Wakejima, T. Narita, Y. Katayama, K. Tamesue, T. Egawa

Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA), 2015 IEEE 3rd Workshop on 81-85 2015年11月2日査読有り
High fT and fMAX for 100 nm unpassivated rectangular gate AlGaN/GaN HEMT on high resistive silicon (111) substrate

P. D. Christy, Y. Katayama, A. Wakejima, T. Egawa

Electronics Letters 51(11) 1366-1368 2015年8月17日査読有り
Transient characteristics of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor with bias-controllable ﬁeld plate

Suguru Mase, Takashi Egawa, Akio Wakejima

Applied Physics Express 8(2) 036601-1-3 2015年2月1日査読有り
Low ohmic-contact resistance in recessed-gate normally-off AlGaN/GaN MIS-HEMT with δ-doped GaN Cap Layer

A. Wakejima, A. Ando, A. Watanabe, K. Inoue, T. Kubo, T. Nagai, N. Kato, Y. Osada, R. Kamimura, T. Egawa

2015 73rd Annual Device Research Conference (DRC) 59-60 2015年査読有り
Normally off AlGaN/GaN HEMT on Si substrate with selectively dry-etched recessed gate and polarization-charge-compensation δ-doped GaN cap layer

Akio Wakejima, Akihiro Ando, Arata Watanabe, Keita Inoue, Toshiharu Kubo, Yamato Osada, Ryuichiro Kamimura, Takashi Egawa

Applied Physics Express 8(1) 026502-1-4 2015年1月1日査読有り
Identification of local gate leakage withelectroluminescence using AlGaN/GaN HEMTs

T. Narita, Y. Fujimoto, A. Wakejima, T. Egawa

Electronics Letters 50(16) 1164-1165 2014年7月1日査読有り
Origin and Appearance of Defective Pits in the Gate–Drain Region during Reliability Measurements of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors on Si

A. F. Wilson, A. Wakejima, T. Egawa

Applied Physics Express 6(11) 116601 2013年11月1日査読有り
Evaluation of Electron Trapping Speed of AlGaN/GaN HEMT With Real-Time Electroluminescence and Pulsed I-V Measurements

Akio Wakejima, Amalraj Frank Wilson, Suguru Mase, Takuya Joka, Takashi Egawa

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 60(10) 3183-3189 2013年10月

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書籍等出版物

空間伝送型ワイヤレス給電技術の最前線

篠原真毅 (担当:共著)

シーエムシー出版 2021年5月31日

講演・口頭発表等

Gated-Anode AlGaN/GaN Diode for Microwave Wireless Power Transfer

Akio Wakejima

2021 Taiwan Wireless Power Transfer International Workshop 2021年9月29日
GaNと高熱伝導カーボンコンポジット系材料の接合試料における過渡温度評価

齊藤裕人, 福井青空, 小畑智弘, 田中敦之, 須賀唯知, 竹内魁, 分島彰男

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月10日
SiC基板上GaN HEMTのfilm stressとEL発光色

浦野紫陽, 馬強, 安藤裕二, 田中敦之, 分島彰男

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月10日
異方性熱伝導カーボン材の過渡熱特性の測定

小畑智弘, 福井青空, 齊藤裕人, i Lei, 分島彰男

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
ゲートリセス構造GaN HEMT を用いたゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性

高橋英匡, 安藤裕二, 生島百恵, 分島彰男, 須田淳

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
i線ステッパーを用いた150 nmゲートAlGaN/GaN HEMTの作製

安藤裕二, 高橋英匡, 分島彰男, 須田淳

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
AlGaN/GaN ホール効果測定素子の電流-電圧特性の基板依存性

田中大貴, 分島彰男, 安藤裕二, 須田淳

第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
GaN系HEMTを用いたマイクロ波無線電力伝送整流用ダイオード

分島彰男

MWE2020 2020年11月25日招待有り
Gated-Anode GaN HEMT Based Diode for Microwave Wireless Power Transfer

Akio Wakejima

Wireless Power Week 2020 2020年11月15日
「窒化ガリウム（GaN）により実現可能域にきたマイクロ波電力伝送」

分島彰男

第１２回アカデミックナイト 2020年11月12日招待有り
Effect of Thick Nitride Layer on The RF Performance in GaN HEMTs on 3C-SiC/Si

Arijit Bose, Debaleen Biswas, Shigeomi Hishiki, Sumito Ouchi, Koichi Kitahara, Keisuke Kawamura, Akio Wakejima

2020 International Conference on Solid State Devices and Materials 2020年9月27日
GaNゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性のリセス長依存性

高橋英匡, 安藤裕二, 山口椋平, 分島彰男, 須田淳

81回応用物理学会学術講演会 2020年9月8日
Effect of High Temperature on Electron Trapping Behavior of GaN HEMTs on SiC Substrates with Field Plate

Qiang Ma, Yuji Ando, Akio Wakejima

67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月12日
GaN-HEMTの電気的特性のAlGaN電子供給層厚依存性

高橋英匡, 安藤裕二, 山口椋平, 分島彰男, 須田淳

67回ぉうよう物理学会春季学術講演会 2020年3月12日
ミリ波による高速通信の拡大を牽引するSi基板上の窒化物半導体トランジスタの研究開発

分島彰男, 江川孝志, 葛原正明, 細谷健一

ICTイノベーションフォーラム2017 2017年10月3日
AlGaN/GaN Field-Effect Diode for High Frequency Rectification

Y.Ito, Y.Ikedo, N.Kato, J.Sumino, T.Egawa, R.Kamimura, Y.Osada, K.Ito, A.Wakejima

12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics 2017年8月28日
Microwave Leakage through Buffer Layer of AlGaN/GaN HEMT on Si

Y. Ikedo, Y. Ito, T.Egawa, M.Kuzuhara, K.Hosoya, A. Wakejima

12th International Conference on Nitride Semiconductors ... 2017年7月24日
GaN 系 HEMT のノーマリオフ化に向けた選択ドライエッチング

安藤彰浩, 長田大和, 上村隆一郎, 分島彰男, 江川孝志

第 61 回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月17日
透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いたゲート電極直下の変動要因探査

成田知隆, 分島彰男, 江川孝志

2013年春季第60回応用物理学関係連合講演会 2013年3月27日
Si基板上のAlGaN/GaN HEMT技術

分島彰男, 江川孝志

電気学会電子デバイス研究会 2013年3月7日

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