2016年2月1日
Observation of 8600 K electron temperature in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Si substrate
Semiconductor Science and Technology
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- 巻
- 31
- 号
- 3
- 開始ページ
- 035007
- 終了ページ
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）