2020年10月15日
Polarization engineering via InAlN/AlGaN heterostructures for demonstration of normally-off AlGaN channel field effect transistors
Applied Physics Letters
- ,
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- 巻
- 117
- 号
- 15
- 開始ページ
- 152108
- 終了ページ
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
- 出版者・発行元
- AIP