2014年4月 - 2018年3月
半導体ナノ結晶のpn接合による高度ガス認識界面の創出
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(B) 基盤研究(B)
ガスセンサの高感度化を目指して、n型およびp型半導体材料の形状制御による増感と、それらの組み合わせによるガスセンサの構築を検討した。代表的なn型材料であるSnO2のナノロッドを用いることで大幅なガス感度の向上を達成した。異方性の高い粒子によりガス感応膜のポアサイズが増大し、ガスの拡散性が向上したためである。また、ZnOナノロッドについても良好なガス応答性を示すことを確認した。p型については、ホットソープ法で合成したCu2OがPd担持により低温でも硫化水素を高感度に検知できることを明らかにした。ZnOナノロッド/Cu2Oナノ結晶のpn接合膜は良好なガス応答性を示した。
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- 課題番号 : 26288107
- 体系的課題番号 : JP26288107