小池洋紀 (Hiroki Koike) - マイポータル

基本情報

所属: 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター研究開発部門准教授

学位: 博士（情報工学）(2006年3月九州工業大学)

J-GLOBAL ID: 201101098924141987
researchmap会員ID: 6000029618

外部リンク: http://db.tohoku.ac.jp/whois/detail/5e81aff24235e813b17f05c8877121be.html

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

論文

40 nm 1T-1MTJ 128 Mb STT-MRAM With Novel Averaged Reference Voltage Generator Based on Detailed Analysis of Scaled-Down Memory Cell Array Design

Hiroki Koike, Takaho Tanigawa, Toshinari Watanabe, Takashi Nasuno, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Toru Yoshiduka, Yitao Ma, Hiroaki Honjo, Koichi Nishioka, Sadahiko Miura, Hirofumi Inoue, Shoji Ikeda, Tetsuo Endoh

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS 57(3) 2021年3月
Review of STT-MRAM circuit design strategies, and a 40-nm 1T-1MTJ 128Mb STT-MRAM design practice

Hiroki KOIKE, Takaho TANIGAWA, Toshinari WATANABE, Takashi NASUNO, Yasuo NOGUCHI, Mitsuo YASUHIRA, Toru YOSHIDUKA, Yitao MA, Hiroaki HONJO, Koichi NISHIOKA, Sadahiko MIURA, Hirofumi INOUE, Shoji IKEDA, Tetsuo ENDOH

2020 IEEE 31st Magnetic Recording Conference (TMRC) 2020年8月17日
First demonstration of field-free SOT-MRAM with 0.35 ns write speed and 70 thermal stability under 400℃ thermal tolerance by canted SOT structure and its advanced patterning/SOT channel technology

International Electron Device Meeting 2019-December 2019年12月査読有り
12.1 An FPGA-Accelerated Fully Nonvolatile Microcontroller Unit for Sensor-Node Applications in 40nm CMOS/MTJ-Hybrid Technology Achieving 47.14μW Operation at 200MHz

Masanori Natsui, Daisuke Suzuki, Akira Tamakoshi, Toshinari Watanabe, Hiroaki Honjo, Hiroki Koike, Takashi Nasuno, Yitao Ma, Takaho Tanigawa, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Takahiro Hanyu

Digest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference 2019-February 202-204 2019年3月6日
A 47.14-µW 200-MHz MOS/MTJ-Hybrid Nonvolatile Microcontroller Unit Embedding STT-MRAM and FPGA for IoT Applications.

Masanori Natsui, Daisuke Suzuki, Akira Tamakoshi, Toshinari Watanabe, Hiroaki Honjo, Hiroki Koike, Takashi Nasuno, Yitao Ma, Takaho Tanigawa, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Hideo Sato, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh, Takahiro Hanyu

J. Solid-State Circuits 54(11) 2991-3004 2019年査読有り
A Fully Nonvolatile Microcontroller Unit with Embedded STT-MRAM and FPGA-Based Accelerator for Sensor-Node Applications in 40nm CMOS/MTJ-Hybrid Technology

M. Natsui, D. Suzuki, A. Tamakoshi, T. Watanabe, H. Honjo, H. Koike, T. Nasuno, Y. Ma, T. Tanigawa, Y. Noguchi, M. Yasuhira, H. Sato, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh, T. Hanyu

IEEE Journal of Solid State Circuits 54(11) 2991-3004 2019年査読有り
14ns write speed 128Mb density Embedded STT-MRAM with endurance>10^10 and 10yrs retention @85°C using novel low damage MTJ integration process

H. Sato, H. Honjo, T. Watanabe, M. Niwa, H. Koike, S. Miura, T. Saito, H. Inoue, T. Nasuno, T. Tanigawa, Y. Noguchi, T. Yoshiduka, M. Yasuhira, S. Ikeda, S.- Y. Kang, T. Kubo, K. Yamashita, Y. Yagi, R. Tamura, T. Endoh

International Electron Devise Meeting 2018-December 27.2.1-27.2.4 2018年12月査読有り
1T-1MTJ Type Embedded STT-MRAM with Advanced Low-Damage and Short-Failure-Free RIE Technology down to 32 nmφ MTJ Patterning

Hideo Sato, Toshinari Watanabe, Hiroki Koike, Takashi Saito, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Hirofumi Inoue, Shoji Ikeda, Yasuo Noguchi, Takaho Tanigawa, Mitsuo Yasuhira, Hideo Ohno, Song Yun Kang, Takuya Kubo, Koichi Takatsuki, Koji Yamashita, Yasushi Yagi, Ryo Tamura, Takuro Nishimura, Koh Murata, Tetsuo Endoh

2018 IEEE International Memory Workshop (IMW) 1-4 2018年5月査読有り
Impact of Tungsten Sputtering Condition on Magnetic and Transport Properties of Double-MgO Magnetic Tunneling Junction With CoFeB/W/CoFeB Free Layer

H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, K. Nishioka, T. Watanabe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, H. Inoue, M. Muraguchi, M. Niwa, H. Ohno, T. Endoh

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS 53(11) 2017年11月査読有り
Origin of variation of shift field via annealing at 400 degrees C in a perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junction with [Co/Pt]-multilayers based synthetic ferrimagnetic reference layer

H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, H. Ohno, T. Endoh

AIP ADVANCES 7(5) 2017年5月査読有り
Beyond MRAM: Nonvolatile Logic-in-Memory VLSI

Takahiro Hanyu, Tetsuo Endoh, Shoji Ikeda, Tadahiko Sugibayashi, Naoki Kasai, Daisuke Suzuki, Masanori Natsui, Hiroki Koike, Hideo Ohno

Introduction to Magnetic Random-Access Memory 199-229 2016年11月26日査読有り
Standby-Power-Free Integrated Circuits Using MTJ-Based VLSI Computing

Takahiro Hanyu, Tetsuo Endoh, Daisuke Suzuki, Hiroki Koike, Yitao Ma, Naoya Onizawa, Masanori Natsui, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

PROCEEDINGS OF THE IEEE 104(10) 1844-1863 2016年10月査読有り招待有り
Stochastic behavior-considered VLSI CAD environment for MTJ/MOS-hybrid microprocessor design

M. Natsui, A. Tamakoshi, A. Mochizuki, H. Koike, H. Ohno, T. Endoh, T. Hanyu

Proceedings - IEEE International Symposium on Circuits and Systems 2016- 1878-1881 2016年7月29日査読有り
Improvement of Thermal Tolerance of CoFeB-MgO Perpendicular-Anisotropy Magnetic Tunnel Junctions by Controlling Boron Composition

H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, S. Sato, T. Watanabe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, H. Ohno, T. Endoh

IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS 52(7) 2016年7月査読有り
An Overview of Nonvolatile Emerging Memories-Spintronics for Working Memories

Tetsuo Endoh, Hiroki Koike, Shoji Ikeda, Takahiro Hanyu, Hideo Ohno

IEEE JOURNAL ON EMERGING AND SELECTED TOPICS IN CIRCUITS AND SYSTEMS 6(2) 109-119 2016年6月査読有り招待有り
Optimum boron concentration difference between single and double CoFeB/MgO interface perpendicular MTJs with high thermal tolerance and its mechanism

H. Honjo, H. Sato, S. Ikeda, S. Sato, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M.Yasuhira, T.Tanigawa, H.Koike, M.Muraguchi, M.Niwa, K.Ito, H.Ohno, T.Endoh

13th Joint MMM-Intermag Conference FB-06 2016年1月14日査読有り
Demonstration of yield improvement for on-via MTJ using a 2-Mbit 1T-1MTJ STT-MRAM test chip

Hiroki Koike, Sadahiko Miura, Hiroaki Honjo, Toshinari Watanabe, Hideo Sato, Soshi Sato, Takashi Nasuno, Yasuo Noguchi, Mitsuo Yasuhira, Takaho Tanigawa, Masakazu Muraguchi, Masaaki Niwa, Kenchi Ito, Shoji Ikeda, Hideo Ohno, Tetsuo Endoh

2016 IEEE 8TH INTERNATIONAL MEMORY WORKSHOP (IMW) 2016年査読有り
10 nm perpendicular anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junction with over 400oC high thermal tolerance by boron diffusion control

H. Honjo, H. Sato, S. Ikeda, S. Sato, T. Watanebe, S. Miura, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, H. Koike, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, H. Ohno, T. Endoh

2015 Symposia on VLSI technology 2015-August T160-T161 2015年6月18日査読有り
1T1MTJ STT-MRAM Cell Array Design with an Adaptive Reference Voltage Generator for Improving Device Variation Tolerance

H. Koike, S. Miura, H. Honjo, T. Watanabe, H. Sato, S. Sato, T. Nasuno, Y. Noguchi, M. Yasuhira, T. Tanigawa, M. Muraguchi, M. Niwa, K. Ito, S. Ikeda, H. Ohno, T. Endoh

2015 IEEE International Memory Workshop 1-4 2015年5月17日査読有り
Properties of perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junctions fabricated over the bottom

S. Miura, H. Honjo, K. Kinoshita, K. Tokutome, H. Koike, S. Ikeda, T. Endoh, H. Ohno

Japanese Journal of Applied Physics 54(4) 04DM06-1-04DM06-4 2015年3月11日査読有り

もっとみる

MISC

A demonstration of high-performance STT-MRAM by development of unit process and integration process

H. Sato, H. Honjo, T. Watanabe, M. Niwa, H. Koike, S. Miura, T. Saito, H. Inoue, T. Nasuno, T. Tanigawa, Y. Noguchi, T. Yoshiduka, M. Yasuhira, S. Ikeda, S.- Y. Kang, T. Kubo, K. Yamashita, R. Tamura, T. Nishimura, K. Murata, T. Endoh

ICD研究会 2019年4月23日
依頼講演適応型リファレンス電圧生成回路を用いた1T1MTJ STT-MRAMセルアレイ設計 (集積回路)

小池洋紀, 三浦貞彦, 本庄弘明, 渡辺俊成, 佐藤英夫, 佐藤創志, 那須野孝, 野口靖夫, 安平光雄, 谷川高穂, 村口正和, 丹羽正昭, 伊藤顕知, 池田正二, 大野英男, 遠藤哲郎

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(3) 51-56 2016年4月14日
CT-1-3 磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)の最新技術動向(CT-1.不揮発メモリの最新技術動向,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)

小池洋紀, 大澤隆, 池田正二, 羽生貴弘, 大野英男, 遠藤哲郎

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2014(2) "SS-6"-"SS-9" 2014年9月9日
招待講演 3次元構造とスピントロニクスによる半導体メモリの新展開

遠藤哲郎, 大澤隆, 小池洋紀

半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集 = Proceedings of Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology 77 35-40 2013年7月11日
依頼講演 32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM : 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成 (集積回路)

遠藤哲郎, 大澤隆, 小池洋紀, 三浦貞彦, 本庄弘明, 徳留圭一, 池田正二, 羽生貴弘, 大野英男

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 113(1) 27-32 2013年4月11日
シリコン不揮発性メモリ技術の限界を突破するスピントルク注入形磁気メモリの最新動向

遠藤哲郎, 大澤隆, 小池洋紀, 羽生貴弘, 笠井直記, 大野英男

電子情報通信学会誌 = The journal of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 95(11) 986-991 2012年11月1日

小池洋紀

基本情報

研究分野

論文

MISC

メニュー

共著者の一覧