野崎 友大

電気磁気効果（ME効果）を示すCr2O3を組み込んだ磁気抵抗素子を作製することで、電界操作型の磁気メモリとし、従来の磁場操作や電流操作の磁気メモリに対して、低消費電力化・高記録密度化を実現することを最終目的とする。本研究では、①Cr2O3薄膜において、電界による完全磁化反転は実現されていない、②磁気抵抗素子と組み合わせることを考慮した構造では磁化の電界操作は観測されていない、という2点の問題点の解決を目指す。これらの課題を解決することで応用への道が開け、低消費電力・低炭素化社会に貢献する。