共同研究・競争的資金等の研究課題

2015年4月 - 2017年3月

原子層薄膜へテロ接合界面のガスセンサー応用

独立行政法人日本学術振興会  学術研究助成基金助成金 若手研究B  若手研究(B)

課題番号
15K21145
体系的課題番号
JP15K21145
担当区分
研究代表者
資金種別
競争的資金

本研究課題では、ガス分子の吸着が、原子層薄膜同士のvdWsヘテロ接合界面の電気伝導特性に及ぼす影響を調べ、このヘテロ接合界面を利用した、ガスセンシングに有用な新規機能の探索を行った。WSe2/MoS2ヘテロ構造を用いたpn接合デバイス、グラフェン/MoS2ヘテロ構造を用いたショットキー接合デバイスを作製し、NO2ガスに対するセンサー応答を調べた。WSe2/MoS2ヘテロ接合デバイスは、光照射下で光起電力型ガスセンサーとして動作すること、グラフェン/MoS2ヘテロ接合デバイスは、ショットキー障壁変調による巨大応答とその応答のバイアス電圧やゲート電圧による制御性を見出した。

リンク情報
URL
https://kaken.nii.ac.jp/file/KAKENHI-PROJECT-15K21145/15K21145seika.pdf
KAKEN
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K21145
ID情報
  • 課題番号 : 15K21145
  • 体系的課題番号 : JP15K21145